SPTECH
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MJW1302A
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅PNP功率晶体管
安装类型: 插件 功率耗散: 200W 集电极-基极电压（VCBO）: 230V Vce饱和压降: 600mV 包装: Tube packing 极性: PNP 跃迁频率: - 集射极击穿电压Vceo: 230V 存储温度: -65℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 15.60 x 4.80mm 封装/外壳: TO3PN 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 15A 配置: 单路 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 20.30mm 晶体管类型: PNP DC电流增益(hFE): 200 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅PNP功率晶体管
安装类型: 插件 功率耗散: 200W 集电极-基极电压（VCBO）: 230V Vce饱和压降: 600mV 包装: Tube packing 极性: PNP 跃迁频率: - 集射极击穿电压Vceo: 230V 存储温度: -65℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 15.60 x 4.80mm 封装/外壳: TO3PN 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 15A 配置: 单路 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 20.30mm 晶体管类型: PNP DC电流增益(hFE): 200 引脚数: 3Pin
TIP152
供应商: Anychip Mall
分类: 达林顿三极管
描述: 硅NPN达林顿功率晶体管
安装类型: 插件 特性: 带预偏置电阻及保护二极管 品牌: SPTECH 功率耗散: 80W 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vceo: 400V 原产地: China 长x宽/尺寸: 10.20 x 4.50mm 封装/外壳: TO-220C 工作温度: -65℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 7A 配置: 单路 特征频率(fT): - 高度: 18.80mm DC电流增益(hFE): 50 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 达林顿三极管
描述: 硅NPN达林顿功率晶体管
安装类型: 插件 特性: 带预偏置电阻及保护二极管 品牌: SPTECH 功率耗散: 80W 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vceo: 400V 原产地: China 长x宽/尺寸: 10.20 x 4.50mm 封装/外壳: TO-220C 工作温度: -65℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 7A 配置: 单路 特征频率(fT): - 高度: 18.80mm DC电流增益(hFE): 50 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
2SB688
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅PNP功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 80W 集电极-基极电压（VCBO）: 120V 包装: Tube packing 极性: PNP 集射极击穿电压Vceo: 120V 集射极饱和电压(VCE(sat)): 120V 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 15.60 x 4.80mm 封装/外壳: TO-3PN 工作温度: +150℃(TJ) 集电极电流 Ic: 8A 配置: 单路 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 20.30mm 晶体管类型: PNP DC电流增益(hFE): 160 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅PNP功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 80W 集电极-基极电压（VCBO）: 120V 包装: Tube packing 极性: PNP 集射极击穿电压Vceo: 120V 集射极饱和电压(VCE(sat)): 120V 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 15.60 x 4.80mm 封装/外壳: TO-3PN 工作温度: +150℃(TJ) 集电极电流 Ic: 8A 配置: 单路 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 20.30mm 晶体管类型: PNP DC电流增益(hFE): 160 引脚数: 3Pin
2SC5027
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 50W 集电极-基极电压（VCBO）: 850V 包装: Tube packing 极性: NPN 集射极击穿电压Vceo: 800V 原产地: Chnia 集射极饱和电压(VCE(sat)): 800V 长x宽/尺寸: 10.00 x 4.30mm 存储温度: -65℃~+150℃ 封装/外壳: TO-220C 工作温度: +150℃(TJ) 集电极电流 Ic: 3A 配置: 单路 发射极与基极之间电压 VEBO: 7V 高度: 15.90mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 40 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 50W 集电极-基极电压（VCBO）: 850V 包装: Tube packing 极性: NPN 集射极击穿电压Vceo: 800V 原产地: Chnia 集射极饱和电压(VCE(sat)): 800V 长x宽/尺寸: 10.00 x 4.30mm 存储温度: -65℃~+150℃ 封装/外壳: TO-220C 工作温度: +150℃(TJ) 集电极电流 Ic: 3A 配置: 单路 发射极与基极之间电压 VEBO: 7V 高度: 15.90mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 40 引脚数: 3Pin
2SD718
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 80W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 集电极-基极电压（VCBO）: 120V 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vceo: 120V 原产地: Chnia 集射极饱和电压(VCE(sat)): 120V 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO-3PN 工作温度: +150℃(TJ) 配置: 单路 最小包装: 30pcs 特征频率(fT): 12MHz 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 20.30mm DC电流增益(hFE): 160 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 80W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 集电极-基极电压（VCBO）: 120V 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vceo: 120V 原产地: Chnia 集射极饱和电压(VCE(sat)): 120V 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO-3PN 工作温度: +150℃(TJ) 配置: 单路 最小包装: 30pcs 特征频率(fT): 12MHz 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 20.30mm DC电流增益(hFE): 160 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
2SB817
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅PNP功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 集电极-基极电压（VCBO）: 160V 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 包装: Tube packing 极性: PNP 集射极击穿电压Vceo: 140V 原产地: Chnia 集射极饱和电压(VCE(sat)): 140V 存储温度: -40℃~+150℃ 封装/外壳: TO-3PN 工作温度: +150℃(TJ) 配置: 单路 最小包装: 30pcs 特征频率(fT): 15MHz 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V 高度: 20.10mm 晶体管类型: PNP DC电流增益(hFE): 200 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅PNP功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 集电极-基极电压（VCBO）: 160V 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 包装: Tube packing 极性: PNP 集射极击穿电压Vceo: 140V 原产地: Chnia 集射极饱和电压(VCE(sat)): 140V 存储温度: -40℃~+150℃ 封装/外壳: TO-3PN 工作温度: +150℃(TJ) 配置: 单路 最小包装: 30pcs 特征频率(fT): 15MHz 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V 高度: 20.10mm 晶体管类型: PNP DC电流增益(hFE): 200 引脚数: 3Pin
D44H11
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: TO220C-3 10A 50W
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 50W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 包装: Tube packing 极性: NPN 集射极击穿电压Vceo: 80V 原产地: Chnia 集射极饱和电压(VCE(sat)): 80V 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 10.20 x 4.50mm 封装/外壳: TO-220C 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 特征频率(fT): 50MHz 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 18.80mm DC电流增益(hFE): 60 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: TO220C-3 10A 50W
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 50W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 包装: Tube packing 极性: NPN 集射极击穿电压Vceo: 80V 原产地: Chnia 集射极饱和电压(VCE(sat)): 80V 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 10.20 x 4.50mm 封装/外壳: TO-220C 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 特征频率(fT): 50MHz 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 18.80mm DC电流增益(hFE): 60 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
MJW3281A
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 功率耗散: 200W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 包装: Tube packing 极性: NPN 集射极击穿电压Vceo: 230V 原产地: Chnia 存储温度: -65℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 15.60 x 4.80mm 封装/外壳: TO-3PN 工作温度: +150℃(TJ) 集电极电流 Ic: 15A 配置: 单路 最小包装: 30pcs 发射极基极导通电压VBE(on): 2V 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 20.00mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 200 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 功率耗散: 200W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 包装: Tube packing 极性: NPN 集射极击穿电压Vceo: 230V 原产地: Chnia 存储温度: -65℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 15.60 x 4.80mm 封装/外壳: TO-3PN 工作温度: +150℃(TJ) 集电极电流 Ic: 15A 配置: 单路 最小包装: 30pcs 发射极基极导通电压VBE(on): 2V 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 20.00mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 200 引脚数: 3Pin
2SC2581
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 集电极-基极电压（VCBO）: 200V 包装: Tube packing 极性: NPN 集射极击穿电压Vceo: 140V 原产地: Chnia 集射极饱和电压(VCE(sat)): 140V 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO-3PN 工作温度: +150℃(TJ) 集电极电流 Ic: 10A 配置: 单路 特征频率(fT): 20MHz 最小包装: 30pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V 高度: 20.10mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 30 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 集电极-基极电压（VCBO）: 200V 包装: Tube packing 极性: NPN 集射极击穿电压Vceo: 140V 原产地: Chnia 集射极饱和电压(VCE(sat)): 140V 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO-3PN 工作温度: +150℃(TJ) 集电极电流 Ic: 10A 配置: 单路 特征频率(fT): 20MHz 最小包装: 30pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V 高度: 20.10mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 30 引脚数: 3Pin
2SA1941
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅PNP功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vceo: 140V 原产地: Chnia 集射极饱和电压(VCE(sat)): 140V 长x宽/尺寸: 15.50 x 4.30mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO-3PI 工作温度: +150℃(TJ) 集电极电流 Ic: 10A 配置: 单路 特征频率(fT): 30MHz 最小包装: 30pcs 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 高度: 21.10mm DC电流增益(hFE): 160 晶体管类型: PNP 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅PNP功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vceo: 140V 原产地: Chnia 集射极饱和电压(VCE(sat)): 140V 长x宽/尺寸: 15.50 x 4.30mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO-3PI 工作温度: +150℃(TJ) 集电极电流 Ic: 10A 配置: 单路 特征频率(fT): 30MHz 最小包装: 30pcs 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 高度: 21.10mm DC电流增益(hFE): 160 晶体管类型: PNP 引脚数: 3Pin