SPTECH
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MP1526
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅PNP功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 150W 集电极-基极电压（VCBO）: 260V 包装: Tube packing 极性: PNP 集射极击穿电压Vceo: 260V 集射极饱和电压(VCE(sat)): 260V 长x宽/尺寸: 15.60 x 4.80mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO-3PN 工作温度: +150℃(TJ) 集电极电流 Ic: 15A 配置: 单路 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 20.30mm 晶体管类型: PNP DC电流增益(hFE): 140 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅PNP功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 150W 集电极-基极电压（VCBO）: 260V 包装: Tube packing 极性: PNP 集射极击穿电压Vceo: 260V 集射极饱和电压(VCE(sat)): 260V 长x宽/尺寸: 15.60 x 4.80mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO-3PN 工作温度: +150℃(TJ) 集电极电流 Ic: 15A 配置: 单路 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 20.30mm 晶体管类型: PNP DC电流增益(hFE): 140 引脚数: 3Pin
SPT40N120F1A1
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT
描述: 1200V/40A沟槽场阻IGBT
安装类型: 插件 正向电流: 100A 包装: Tube packing 脉冲电流-集电极(Icm): 160A 极性: NPN 集射极击穿电压Vceo: 1.2KV 原产地: China 长x宽/尺寸: 16.13 x 5.21mm 封装/外壳: TO-247 输入电容(Ci): 4.4nF@25V 工作温度: -40℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 50A 配置: 单路 特征频率(fT): - 栅极电荷(Qg): 270nC@15V 高度: 25.57mm 零件状态: Active DC电流增益(hFE): - 晶体管类型: FS(场截止) 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT
描述: 1200V/40A沟槽场阻IGBT
安装类型: 插件 正向电流: 100A 包装: Tube packing 脉冲电流-集电极(Icm): 160A 极性: NPN 集射极击穿电压Vceo: 1.2KV 原产地: China 长x宽/尺寸: 16.13 x 5.21mm 封装/外壳: TO-247 输入电容(Ci): 4.4nF@25V 工作温度: -40℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 50A 配置: 单路 特征频率(fT): - 栅极电荷(Qg): 270nC@15V 高度: 25.57mm 零件状态: Active DC电流增益(hFE): - 晶体管类型: FS(场截止) 引脚数: 3Pin
2SD717
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 80W 集电极-基极电压（VCBO）: 70V 包装: Tube packing 极性: NPN 集射极击穿电压Vceo: 50V 长x宽/尺寸: 15.50 x 4.30mm 封装/外壳: TO-3PI 工作温度: +150℃(TJ) 集电极电流 Ic: 10A 配置: 单路 最小包装: 30pcs 特征频率(fT): 10MHz 发射极基极导通电压VBE(on): 1.2V 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 20.10mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 240 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 80W 集电极-基极电压（VCBO）: 70V 包装: Tube packing 极性: NPN 集射极击穿电压Vceo: 50V 长x宽/尺寸: 15.50 x 4.30mm 封装/外壳: TO-3PI 工作温度: +150℃(TJ) 集电极电流 Ic: 10A 配置: 单路 最小包装: 30pcs 特征频率(fT): 10MHz 发射极基极导通电压VBE(on): 1.2V 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 20.10mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 240 引脚数: 3Pin
D44VH10
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: SPTECH硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 83W 包装: Tube packing 极性: NPN 集射极击穿电压Vceo: 100V 集射极饱和电压(VCE(sat)): 100V 长x宽/尺寸: 10.00 x 4.30mm 封装/外壳: TO-220C 工作温度: +150℃(TJ) 集电极电流 Ic: 15A 特征频率(fT): 50MHz 最小包装: 50pcs 高度: 15.80mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 35
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: SPTECH硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 83W 包装: Tube packing 极性: NPN 集射极击穿电压Vceo: 100V 集射极饱和电压(VCE(sat)): 100V 长x宽/尺寸: 10.00 x 4.30mm 封装/外壳: TO-220C 工作温度: +150℃(TJ) 集电极电流 Ic: 15A 特征频率(fT): 50MHz 最小包装: 50pcs 高度: 15.80mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 35
2SC5299
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 70W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 集电极-基极电压（VCBO）: 1500V 包装: Tube packing 极性: NPN 集射极击穿电压Vceo: 800V 原产地: Chnia 集射极饱和电压(VCE(sat)): 800V 长x宽/尺寸: 16.10 x 5.70mm 封装/外壳: TO-3PML 工作温度: +150℃(TJ) 集电极电流 Ic: 10A 配置: 单路 特征频率(fT): 50MHz 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 30
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 70W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 集电极-基极电压（VCBO）: 1500V 包装: Tube packing 极性: NPN 集射极击穿电压Vceo: 800V 原产地: Chnia 集射极饱和电压(VCE(sat)): 800V 长x宽/尺寸: 16.10 x 5.70mm 封装/外壳: TO-3PML 工作温度: +150℃(TJ) 集电极电流 Ic: 10A 配置: 单路 特征频率(fT): 50MHz 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 30
2SA1452
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅PNP功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 30W 集电极-基极电压（VCBO）: 80V 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 包装: Tube packing 极性: PNP 集射极击穿电压Vceo: 80V 原产地: Chnia 集射极饱和电压(VCE(sat)): 80V 长x宽/尺寸: 10.10 x 4.65mm 封装/外壳: TO-220FA 工作温度: +150℃(TJ) 集电极电流 Ic: 12A 配置: 单路 特征频率(fT): 50MHz 发射极基极导通电压VBE(on): 1.2V 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V DC电流增益(hFE): 240 晶体管类型: PNP
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅PNP功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 30W 集电极-基极电压（VCBO）: 80V 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 包装: Tube packing 极性: PNP 集射极击穿电压Vceo: 80V 原产地: Chnia 集射极饱和电压(VCE(sat)): 80V 长x宽/尺寸: 10.10 x 4.65mm 封装/外壳: TO-220FA 工作温度: +150℃(TJ) 集电极电流 Ic: 12A 配置: 单路 特征频率(fT): 50MHz 发射极基极导通电压VBE(on): 1.2V 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V DC电流增益(hFE): 240 晶体管类型: PNP
MJE15033
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅PNP功率晶体管
安装类型: 插件 功率耗散: 50W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 包装: Tube packing 极性: PNP 集射极击穿电压Vceo: 250V 原产地: Chnia 集射极饱和电压(VCE(sat)): 250V 长x宽/尺寸: 10.20 x 4.50mm 封装/外壳: TO-220C 工作温度: +150℃(TJ) 集电极电流 Ic: 8A 配置: 单路 发射极基极导通电压VBE(on): 1V 最小包装: 50pcs 特征频率(fT): 20MHz 高度: 15.90mm 晶体管类型: PNP DC电流增益(hFE): 50 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅PNP功率晶体管
安装类型: 插件 功率耗散: 50W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 包装: Tube packing 极性: PNP 集射极击穿电压Vceo: 250V 原产地: Chnia 集射极饱和电压(VCE(sat)): 250V 长x宽/尺寸: 10.20 x 4.50mm 封装/外壳: TO-220C 工作温度: +150℃(TJ) 集电极电流 Ic: 8A 配置: 单路 发射极基极导通电压VBE(on): 1V 最小包装: 50pcs 特征频率(fT): 20MHz 高度: 15.90mm 晶体管类型: PNP DC电流增益(hFE): 50 引脚数: 3Pin
2SC3058
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 200W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 集电极-基极电压（VCBO）: 600V 包装: Box packing 极性: NPN 集射极击穿电压Vceo: 400V 原产地: Chnia 集射极饱和电压(VCE(sat)): 600V 长x宽/尺寸: 39.00 x 26.00mm 封装/外壳: TO-3 工作温度: +175℃(TJ) 集电极电流 Ic: 30A 配置: 单路 特征频率(fT): 15MHz 最小包装: 25pcs DC电流增益(hFE): 40 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 200W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 集电极-基极电压（VCBO）: 600V 包装: Box packing 极性: NPN 集射极击穿电压Vceo: 400V 原产地: Chnia 集射极饱和电压(VCE(sat)): 600V 长x宽/尺寸: 39.00 x 26.00mm 封装/外壳: TO-3 工作温度: +175℃(TJ) 集电极电流 Ic: 30A 配置: 单路 特征频率(fT): 15MHz 最小包装: 25pcs DC电流增益(hFE): 40 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
2SA1264
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅PNP功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 80W 集电极-基极电压（VCBO）: 120V 包装: Tube packing 极性: PNP 集射极击穿电压Vceo: 120V 集射极饱和电压(VCE(sat)): 120V 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO-3PI 工作温度: +150℃(TJ) 集电极电流 Ic: 8A 配置: 单路 特征频率(fT): 30MHz 最小包装: 30pcs 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V DC电流增益(hFE): 160 晶体管类型: PNP 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅PNP功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 80W 集电极-基极电压（VCBO）: 120V 包装: Tube packing 极性: PNP 集射极击穿电压Vceo: 120V 集射极饱和电压(VCE(sat)): 120V 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO-3PI 工作温度: +150℃(TJ) 集电极电流 Ic: 8A 配置: 单路 特征频率(fT): 30MHz 最小包装: 30pcs 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V DC电流增益(hFE): 160 晶体管类型: PNP 引脚数: 3Pin
SPT40N120T1B1
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT
描述: 1200V /40A Trench Field Stop IGBT
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 416W 原始制造商: Shenzhen SPTECH Microelectronics Co., Ltd. 包装: Tape/reel 脉冲电流-集电极(Icm): 160A 集射极击穿电压Vceo: 1.2KV 长x宽/尺寸: 16.13 x 5.21mm 存储温度: -55℃~+150℃ 导通损耗: 2.4mJ 封装/外壳: TO-247 输入电容(Ci): 4.4nF@25V 工作温度: -40℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 40A 最小包装: 1pcs 反向恢复时间(trr): 190ns 栅极电荷(Qg): 270nC@15V 高度: 25.57mm 晶体管类型: FS(场截止) DC电流增益(hFE): -
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT
描述: 1200V /40A Trench Field Stop IGBT
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 416W 原始制造商: Shenzhen SPTECH Microelectronics Co., Ltd. 包装: Tape/reel 脉冲电流-集电极(Icm): 160A 集射极击穿电压Vceo: 1.2KV 长x宽/尺寸: 16.13 x 5.21mm 存储温度: -55℃~+150℃ 导通损耗: 2.4mJ 封装/外壳: TO-247 输入电容(Ci): 4.4nF@25V 工作温度: -40℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 40A 最小包装: 1pcs 反向恢复时间(trr): 190ns 栅极电荷(Qg): 270nC@15V 高度: 25.57mm 晶体管类型: FS(场截止) DC电流增益(hFE): -