SPTECH
商品列表
MP1526
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅PNP功率晶体管
安装类型: 插件 功率耗散: 150W 额定功率: 150W 包装: Tube packing Vce饱和压降: 3V 极性: PNP 跃迁频率: 60MHz 集射极击穿电压Vceo: 260V 长x宽/尺寸: 15.60 x 4.80mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO3PN 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 15A 配置: 单路 最小包装: 30pcs 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 20.30mm 晶体管类型: PNP DC电流增益(hFE): 140
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅PNP功率晶体管
安装类型: 插件 功率耗散: 150W 额定功率: 150W 包装: Tube packing Vce饱和压降: 3V 极性: PNP 跃迁频率: 60MHz 集射极击穿电压Vceo: 260V 长x宽/尺寸: 15.60 x 4.80mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO3PN 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 15A 配置: 单路 最小包装: 30pcs 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 20.30mm 晶体管类型: PNP DC电流增益(hFE): 140
SPT40N120F1A1
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT
描述: 1200V/40A沟槽场阻IGBT
安装类型: 插件 正向电流: 100A 关断延迟时间: 230ns Vce饱和压降: 1.8V 包装: Tube packing 跃迁频率: - 集射极击穿电压Vceo: 1.2KV 存储温度: -40℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 16.13 x 5.21mm 封装/外壳: TO-247-3 元件生命周期: Active 上升/下降沿时间: 27ns 工作温度: -40℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China 开通延迟时间: 60ns 零件状态: Active 高度: 25.57mm DC电流增益(hFE): - 晶体管类型: FS(场截止)
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT
描述: 1200V/40A沟槽场阻IGBT
安装类型: 插件 正向电流: 100A 关断延迟时间: 230ns Vce饱和压降: 1.8V 包装: Tube packing 跃迁频率: - 集射极击穿电压Vceo: 1.2KV 存储温度: -40℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 16.13 x 5.21mm 封装/外壳: TO-247-3 元件生命周期: Active 上升/下降沿时间: 27ns 工作温度: -40℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China 开通延迟时间: 60ns 零件状态: Active 高度: 25.57mm DC电流增益(hFE): - 晶体管类型: FS(场截止)
2SD717
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 80W 包装: Tube packing Vce饱和压降: 400mV 极性: NPN 集射极击穿电压Vceo: 50V 跃迁频率: 10MHz 长x宽/尺寸: 15.50 x 4.30mm 封装/外壳: TO3PI 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 10A 配置: 单路 最小包装: 30pcs 发射极基极导通电压VBE(on): 1.2V 特征频率(fT): 10MHz 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 240 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 80W 包装: Tube packing Vce饱和压降: 400mV 极性: NPN 集射极击穿电压Vceo: 50V 跃迁频率: 10MHz 长x宽/尺寸: 15.50 x 4.30mm 封装/外壳: TO3PI 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 10A 配置: 单路 最小包装: 30pcs 发射极基极导通电压VBE(on): 1.2V 特征频率(fT): 10MHz 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 240 引脚数: 3Pin
D44VH10
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: SPTECH硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 83W 额定功率: 83W 包装: Tube packing Vce饱和压降: 1V 极性: NPN 集射极击穿电压Vceo: 100V 跃迁频率: 50MHz 集射极饱和电压(VCE(sat)): 100V 长x宽/尺寸: 10.00 x 4.30mm 封装/外壳: TO-220C 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 15A 最小包装: 50pcs 高度: 15.80mm DC电流增益(hFE): 35 晶体管类型: NPN
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: SPTECH硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 83W 额定功率: 83W 包装: Tube packing Vce饱和压降: 1V 极性: NPN 集射极击穿电压Vceo: 100V 跃迁频率: 50MHz 集射极饱和电压(VCE(sat)): 100V 长x宽/尺寸: 10.00 x 4.30mm 封装/外壳: TO-220C 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 15A 最小包装: 50pcs 高度: 15.80mm DC电流增益(hFE): 35 晶体管类型: NPN
2SC5299
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 70W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 集电极-基极电压（VCBO）: 1500V Vce饱和压降: 5V 包装: Tube packing 极性: NPN 集射极击穿电压Vceo: 800V 跃迁频率: 50MHz 集射极饱和电压(VCE(sat)): 800V 封装/外壳: TO3PML 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 10A 配置: 单路 原产国家: Chnia 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 30
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 70W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 集电极-基极电压（VCBO）: 1500V Vce饱和压降: 5V 包装: Tube packing 极性: NPN 集射极击穿电压Vceo: 800V 跃迁频率: 50MHz 集射极饱和电压(VCE(sat)): 800V 封装/外壳: TO3PML 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 10A 配置: 单路 原产国家: Chnia 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 30
2SA1452
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅PNP功率晶体管
安装类型: 插件 功率耗散: 30W Vce饱和压降: 400mV 包装: Tube packing 极性: PNP 集射极击穿电压Vceo: 80V 跃迁频率: 50MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 10.10 x 4.65mm 封装/外壳: TO-220FA 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 12A 配置: 单路 最小包装: 50pcs 发射极基极导通电压VBE(on): 1.2V 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V 高度: 17.15mm 晶体管类型: PNP DC电流增益(hFE): 240 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅PNP功率晶体管
安装类型: 插件 功率耗散: 30W Vce饱和压降: 400mV 包装: Tube packing 极性: PNP 集射极击穿电压Vceo: 80V 跃迁频率: 50MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 10.10 x 4.65mm 封装/外壳: TO-220FA 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 12A 配置: 单路 最小包装: 50pcs 发射极基极导通电压VBE(on): 1.2V 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V 高度: 17.15mm 晶体管类型: PNP DC电流增益(hFE): 240 引脚数: 3Pin
MJE15033
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅PNP功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 50W 集电极-基极电压（VCBO）: 250V 包装: Tube packing Vce饱和压降: 500mV 极性: PNP 集射极击穿电压Vceo: 250V 跃迁频率: 20MHz 存储温度: -65℃~+150℃ 封装/外壳: TO-220C 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 8A 配置: 单路 发射极基极导通电压VBE(on): 1V 最小包装: 50pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V DC电流增益(hFE): 50 晶体管类型: PNP 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅PNP功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 50W 集电极-基极电压（VCBO）: 250V 包装: Tube packing Vce饱和压降: 500mV 极性: PNP 集射极击穿电压Vceo: 250V 跃迁频率: 20MHz 存储温度: -65℃~+150℃ 封装/外壳: TO-220C 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 8A 配置: 单路 发射极基极导通电压VBE(on): 1V 最小包装: 50pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V DC电流增益(hFE): 50 晶体管类型: PNP 引脚数: 3Pin
2SC3058
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 200W Vce饱和压降: 1V 包装: Box packing 极性: NPN 跃迁频率: 15MHz 集射极击穿电压Vceo: 400V 存储温度: -65℃~+175℃ 长x宽/尺寸: 39.00 x 26.00mm 封装/外壳: TO-204-2(TO-3) 工作温度: +175℃ 集电极电流 Ic: 30A 配置: 单路 原产国家: Chnia 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 高度: 8.50mm DC电流增益(hFE): 40 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 200W Vce饱和压降: 1V 包装: Box packing 极性: NPN 跃迁频率: 15MHz 集射极击穿电压Vceo: 400V 存储温度: -65℃~+175℃ 长x宽/尺寸: 39.00 x 26.00mm 封装/外壳: TO-204-2(TO-3) 工作温度: +175℃ 集电极电流 Ic: 30A 配置: 单路 原产国家: Chnia 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 高度: 8.50mm DC电流增益(hFE): 40 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
2SA1264
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅PNP功率晶体管
安装类型: 插件 功率耗散: 80W 集电极-基极电压（VCBO）: 120V 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd Vce饱和压降: 2V 包装: Tube packing 极性: PNP 集射极击穿电压Vceo: 120V 跃迁频率: 30MHz 集射极饱和电压(VCE(sat)): 120V 长x宽/尺寸: 15.50 x 4.30mm 封装/外壳: TO3PI 工作温度: +150℃ 配置: 单路 原产国家: Chnia 最小包装: 30pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 20.10mm DC电流增益(hFE): 160 晶体管类型: PNP
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅PNP功率晶体管
安装类型: 插件 功率耗散: 80W 集电极-基极电压（VCBO）: 120V 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd Vce饱和压降: 2V 包装: Tube packing 极性: PNP 集射极击穿电压Vceo: 120V 跃迁频率: 30MHz 集射极饱和电压(VCE(sat)): 120V 长x宽/尺寸: 15.50 x 4.30mm 封装/外壳: TO3PI 工作温度: +150℃ 配置: 单路 原产国家: Chnia 最小包装: 30pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 20.10mm DC电流增益(hFE): 160 晶体管类型: PNP
SPT40N120T1B1
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT
描述: 1200V /40A Trench Field Stop IGBT
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 416W 原始制造商: Shenzhen SPTECH Microelectronics Co., Ltd. 包装: Tape/reel 跃迁频率: - 集射极击穿电压Vceo: 1.2KV 集射极饱和电压(VCE(sat)): 1.2KV 长x宽/尺寸: 16.13 x 5.21mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO-247-3 元件生命周期: Active 工作温度: -40℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 40A 原产国家: China 最小包装: 1pcs 零件状态: Active 高度: 25.57mm DC电流增益(hFE): -
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT
描述: 1200V /40A Trench Field Stop IGBT
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 416W 原始制造商: Shenzhen SPTECH Microelectronics Co., Ltd. 包装: Tape/reel 跃迁频率: - 集射极击穿电压Vceo: 1.2KV 集射极饱和电压(VCE(sat)): 1.2KV 长x宽/尺寸: 16.13 x 5.21mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO-247-3 元件生命周期: Active 工作温度: -40℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 40A 原产国家: China 最小包装: 1pcs 零件状态: Active 高度: 25.57mm DC电流增益(hFE): -