SPTECH
商品列表
2SD844
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 60W 集电极-基极电压（VCBO）: 50V 额定功率: 60W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd Vce饱和压降: 400mV 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vce(Max): 50V 极性: NPN 跃迁频率: 15MHz 封装/外壳: TO3PI 工作温度: +150℃ 配置: 单路 原产国家: Chnia 发射极基极导通电压VBE(on): 1.2V 特征频率(fT): 15MHz 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V DC电流增益(hFE): 240 晶体管类型: NPN
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 60W 集电极-基极电压（VCBO）: 50V 额定功率: 60W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd Vce饱和压降: 400mV 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vce(Max): 50V 极性: NPN 跃迁频率: 15MHz 封装/外壳: TO3PI 工作温度: +150℃ 配置: 单路 原产国家: Chnia 发射极基极导通电压VBE(on): 1.2V 特征频率(fT): 15MHz 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V DC电流增益(hFE): 240 晶体管类型: NPN
2SC4550
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 30W 集电极-基极电压（VCBO）: 100V 集射极击穿电压Vce(Max): 60V 包装: Tube packing Vce饱和压降: 300mV 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)): 60V 极性: NPN 跃迁频率: 30MHz 封装/外壳: TO-220F 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 7A 配置: 单路 原产国家: Chnia 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 特征频率(fT): 30MHz 发射极与基极之间电压 VEBO: 7V DC电流增益(hFE): 400 晶体管类型: NPN
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 30W 集电极-基极电压（VCBO）: 100V 集射极击穿电压Vce(Max): 60V 包装: Tube packing Vce饱和压降: 300mV 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)): 60V 极性: NPN 跃迁频率: 30MHz 封装/外壳: TO-220F 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 7A 配置: 单路 原产国家: Chnia 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 特征频率(fT): 30MHz 发射极与基极之间电压 VEBO: 7V DC电流增益(hFE): 400 晶体管类型: NPN
2SC3300
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 集电极-基极电压（VCBO）: 100V 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vce(Max): 50V Vce饱和压降: 500mV 极性: NPN 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)): 50V 跃迁频率: 18MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO3PN 工作温度: +150℃ 配置: 单路 原产国家: Chnia 发射极基极导通电压VBE(on): 1.2V 最小包装: 30pcs 高度: 20.10mm DC电流增益(hFE): 360 晶体管类型: NPN
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 集电极-基极电压（VCBO）: 100V 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vce(Max): 50V Vce饱和压降: 500mV 极性: NPN 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)): 50V 跃迁频率: 18MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO3PN 工作温度: +150℃ 配置: 单路 原产国家: Chnia 发射极基极导通电压VBE(on): 1.2V 最小包装: 30pcs 高度: 20.10mm DC电流增益(hFE): 360 晶体管类型: NPN
2SC3181
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 功率耗散: 80W 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vce(Max): 120V Vce饱和压降: 2V 极性: NPN 跃迁频率: 30MHz 长x宽/尺寸: 15.60 x 4.50mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO3PI 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 8A 配置: 单路 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 特征频率(fT): 30MHz 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 20.10mm DC电流增益(hFE): 160 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 功率耗散: 80W 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vce(Max): 120V Vce饱和压降: 2V 极性: NPN 跃迁频率: 30MHz 长x宽/尺寸: 15.60 x 4.50mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO3PI 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 8A 配置: 单路 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 特征频率(fT): 30MHz 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 20.10mm DC电流增益(hFE): 160 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
2SC3710
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 30W 额定功率: 30W 集电极-基极电压（VCBO）: 80V 集射极击穿电压Vce(Max): 80V 包装: Tube packing Vce饱和压降: 400mV 跃迁频率: 80MHz 长x宽/尺寸: 10.10 x 4.65mm 封装/外壳: TO-220FA 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 12A 配置: 单路 发射极基极导通电压VBE(on): 1.2V 特征频率(fT): 80MHz 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V 高度: 17.15mm DC电流增益(hFE): 240 晶体管类型: NPN
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 30W 额定功率: 30W 集电极-基极电压（VCBO）: 80V 集射极击穿电压Vce(Max): 80V 包装: Tube packing Vce饱和压降: 400mV 跃迁频率: 80MHz 长x宽/尺寸: 10.10 x 4.65mm 封装/外壳: TO-220FA 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 12A 配置: 单路 发射极基极导通电压VBE(on): 1.2V 特征频率(fT): 80MHz 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V 高度: 17.15mm DC电流增益(hFE): 240 晶体管类型: NPN
SPT40N120F1A
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT
描述: 1200V/40A沟槽场阻IGBT
正向电流: 100A 安装类型: 插件 功率耗散: 260W Vce饱和压降: 1.8V 集射极击穿电压Vce(Max): 1.2KV 包装: Tube packing 跃迁频率: - 长x宽/尺寸: 16.13 x 5.21mm 导通损耗: 1.9mJ 封装/外壳: TO-247-3 工作温度: -40℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 50A 配置: 单路 最小包装: 30pcs 高度: 25.57mm DC电流增益(hFE): - 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT
描述: 1200V/40A沟槽场阻IGBT
正向电流: 100A 安装类型: 插件 功率耗散: 260W Vce饱和压降: 1.8V 集射极击穿电压Vce(Max): 1.2KV 包装: Tube packing 跃迁频率: - 长x宽/尺寸: 16.13 x 5.21mm 导通损耗: 1.9mJ 封装/外壳: TO-247-3 工作温度: -40℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 50A 配置: 单路 最小包装: 30pcs 高度: 25.57mm DC电流增益(hFE): - 引脚数: 3Pin
BD250
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅PNP功率晶体管
安装类型: 插件 功率耗散: 125W 额定功率: 125W 包装: Tube packing Vce饱和压降: 4V 集射极击穿电压Vce(Max): 45V 极性: PNP 跃迁频率: 50MHz 长x宽/尺寸: 15.60 x 4.80mm 存储温度: -65℃~+150℃ 封装/外壳: TO3PN 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 25A 配置: 单路 发射极基极导通电压VBE(on): 4V 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 20.30mm DC电流增益(hFE): 25 晶体管类型: PNP 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅PNP功率晶体管
安装类型: 插件 功率耗散: 125W 额定功率: 125W 包装: Tube packing Vce饱和压降: 4V 集射极击穿电压Vce(Max): 45V 极性: PNP 跃迁频率: 50MHz 长x宽/尺寸: 15.60 x 4.80mm 存储温度: -65℃~+150℃ 封装/外壳: TO3PN 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 25A 配置: 单路 发射极基极导通电压VBE(on): 4V 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 20.30mm DC电流增益(hFE): 25 晶体管类型: PNP 引脚数: 3Pin
MN1526
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 功率耗散: 150W 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vce(Max): 260V Vce饱和压降: 3V 极性: NPN 跃迁频率: 60MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 15.60 x 4.80mm 封装/外壳: TO3PN 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 15A 配置: 单路 最小包装: 30pcs 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 20.30mm DC电流增益(hFE): 140 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 功率耗散: 150W 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vce(Max): 260V Vce饱和压降: 3V 极性: NPN 跃迁频率: 60MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 15.60 x 4.80mm 封装/外壳: TO3PN 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 15A 配置: 单路 最小包装: 30pcs 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 20.30mm DC电流增益(hFE): 140 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
2N6678
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 额定功率: 175W Vce饱和压降: 1.5V 集射极击穿电压Vce(Max): 400V 包装: Box packing 跃迁频率: 3MHz 存储温度: -65℃~+150℃ 封装/外壳: TO-204-2(TO-3) 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 15A 配置: 单路 原产国家: Chnia 特征频率(fT): 3MHz 最小包装: 25pcs 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 高度: 8.50mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 8
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 额定功率: 175W Vce饱和压降: 1.5V 集射极击穿电压Vce(Max): 400V 包装: Box packing 跃迁频率: 3MHz 存储温度: -65℃~+150℃ 封装/外壳: TO-204-2(TO-3) 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 15A 配置: 单路 原产国家: Chnia 特征频率(fT): 3MHz 最小包装: 25pcs 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 高度: 8.50mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 8
2SD1525
供应商: Anychip Mall
分类: 达林顿三极管
描述: 硅NPN达林顿功率晶体管
安装类型: 插件 特性: 带预偏置电阻及保护二极管 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vce(Max): 100V 极性: NPN 跃迁频率: 10MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO-3PL 工作温度: -55℃~+150℃ 集电极截止电流 (Icbo): 100μA 配置: 单路 最小包装: 50 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V DC电流增益(hFE): 200@30A，5V 晶体管类型: PNP 类型: NPN
供应商: Anychip Mall
分类: 达林顿三极管
描述: 硅NPN达林顿功率晶体管
安装类型: 插件 特性: 带预偏置电阻及保护二极管 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vce(Max): 100V 极性: NPN 跃迁频率: 10MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO-3PL 工作温度: -55℃~+150℃ 集电极截止电流 (Icbo): 100μA 配置: 单路 最小包装: 50 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V DC电流增益(hFE): 200@30A，5V 晶体管类型: PNP 类型: NPN