SPTECH
商品列表
2SD844
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 集电极-基极电压（VCBO）: 50V 包装: Tube packing 极性: NPN 集射极击穿电压Vceo: 50V 原产地: Chnia 集射极饱和电压(VCE(sat)): 50V 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 15.50 x 4.30mm 封装/外壳: TO-3PI 工作温度: +150℃(TJ) 集电极电流 Ic: 7A 配置: 单路 最小包装: 30pcs 特征频率(fT): 15MHz 发射极基极导通电压VBE(on): 1.2V 高度: 20.10mm DC电流增益(hFE): 240 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 集电极-基极电压（VCBO）: 50V 包装: Tube packing 极性: NPN 集射极击穿电压Vceo: 50V 原产地: Chnia 集射极饱和电压(VCE(sat)): 50V 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 15.50 x 4.30mm 封装/外壳: TO-3PI 工作温度: +150℃(TJ) 集电极电流 Ic: 7A 配置: 单路 最小包装: 30pcs 特征频率(fT): 15MHz 发射极基极导通电压VBE(on): 1.2V 高度: 20.10mm DC电流增益(hFE): 240 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
2SC4550
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 30W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 集电极-基极电压（VCBO）: 100V 包装: Tube packing 极性: NPN 集射极击穿电压Vceo: 60V 原产地: Chnia 集射极饱和电压(VCE(sat)): 60V 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO-220F 工作温度: +150℃(TJ) 配置: 单路 最小包装: 50pcs 特征频率(fT): 30MHz 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 发射极与基极之间电压 VEBO: 7V DC电流增益(hFE): 400 晶体管类型: NPN
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 30W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 集电极-基极电压（VCBO）: 100V 包装: Tube packing 极性: NPN 集射极击穿电压Vceo: 60V 原产地: Chnia 集射极饱和电压(VCE(sat)): 60V 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO-220F 工作温度: +150℃(TJ) 配置: 单路 最小包装: 50pcs 特征频率(fT): 30MHz 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 发射极与基极之间电压 VEBO: 7V DC电流增益(hFE): 400 晶体管类型: NPN
2SC3300
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 60W 集电极-基极电压（VCBO）: 100V 包装: Tube packing 极性: NPN 集射极击穿电压Vceo: 50V 集射极饱和电压(VCE(sat)): 50V 长x宽/尺寸: 15.60 x 4.80mm 封装/外壳: TO-3PN 工作温度: +150℃(TJ) 集电极电流 Ic: 15A 配置: 单路 特征频率(fT): 18MHz 发射极基极导通电压VBE(on): 1.2V 发射极与基极之间电压 VEBO: 15V 高度: 20.10mm DC电流增益(hFE): 360 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 60W 集电极-基极电压（VCBO）: 100V 包装: Tube packing 极性: NPN 集射极击穿电压Vceo: 50V 集射极饱和电压(VCE(sat)): 50V 长x宽/尺寸: 15.60 x 4.80mm 封装/外壳: TO-3PN 工作温度: +150℃(TJ) 集电极电流 Ic: 15A 配置: 单路 特征频率(fT): 18MHz 发射极基极导通电压VBE(on): 1.2V 发射极与基极之间电压 VEBO: 15V 高度: 20.10mm DC电流增益(hFE): 360 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
2SC3181
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 功率耗散: 80W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 包装: Tube packing 极性: NPN 集射极击穿电压Vceo: 120V 长x宽/尺寸: 15.60 x 4.50mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO-3PI 工作温度: +150℃(TJ) 集电极电流 Ic: 8A 配置: 单路 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 特征频率(fT): 30MHz 最小包装: 30pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 20.10mm DC电流增益(hFE): 160 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 功率耗散: 80W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 包装: Tube packing 极性: NPN 集射极击穿电压Vceo: 120V 长x宽/尺寸: 15.60 x 4.50mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO-3PI 工作温度: +150℃(TJ) 集电极电流 Ic: 8A 配置: 单路 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 特征频率(fT): 30MHz 最小包装: 30pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 20.10mm DC电流增益(hFE): 160 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
2SC3710
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 功率耗散: 30W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vceo: 80V 集射极饱和电压(VCE(sat)): 80V 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 10.10 x 4.65mm 封装/外壳: TO-220FA 工作温度: +150℃(TJ) 集电极电流 Ic: 12A 配置: 单路 最小包装: 50pcs 特征频率(fT): 80MHz 发射极基极导通电压VBE(on): 1.2V 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V 高度: 17.15mm DC电流增益(hFE): 240 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 功率耗散: 30W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vceo: 80V 集射极饱和电压(VCE(sat)): 80V 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 10.10 x 4.65mm 封装/外壳: TO-220FA 工作温度: +150℃(TJ) 集电极电流 Ic: 12A 配置: 单路 最小包装: 50pcs 特征频率(fT): 80MHz 发射极基极导通电压VBE(on): 1.2V 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V 高度: 17.15mm DC电流增益(hFE): 240 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
SPT40N120F1A
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT
描述: 1200V/40A沟槽场阻IGBT
安装类型: 插件 正向电流: 100A 品牌: SPTECH 包装: Tube packing 极性: NPN 集射极击穿电压Vceo: 1.2KV 原产地: China 存储温度: -40℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 16.13 x 5.21mm 封装/外壳: TO-247 工作温度: -40℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 50A 配置: 单路 反向恢复时间(trr): 190ns 栅极电荷(Qg): 270nC@15V 高度: 25.57mm DC电流增益(hFE): - 晶体管类型: FS(场截止)
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT
描述: 1200V/40A沟槽场阻IGBT
安装类型: 插件 正向电流: 100A 品牌: SPTECH 包装: Tube packing 极性: NPN 集射极击穿电压Vceo: 1.2KV 原产地: China 存储温度: -40℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 16.13 x 5.21mm 封装/外壳: TO-247 工作温度: -40℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 50A 配置: 单路 反向恢复时间(trr): 190ns 栅极电荷(Qg): 270nC@15V 高度: 25.57mm DC电流增益(hFE): - 晶体管类型: FS(场截止)
BD250
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅PNP功率晶体管
安装类型: 插件 功率耗散: 125W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 包装: Tube packing 极性: PNP 集射极击穿电压Vceo: 45V 长x宽/尺寸: 15.60 x 4.80mm 存储温度: -65℃~+150℃ 封装/外壳: TO-3PN 工作温度: +150℃(TJ) 集电极电流 Ic: 25A 配置: 单路 发射极基极导通电压VBE(on): 4V 最小包装: 30pcs 特征频率(fT): 50MHz 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 20.30mm DC电流增益(hFE): 25 晶体管类型: PNP 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅PNP功率晶体管
安装类型: 插件 功率耗散: 125W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 包装: Tube packing 极性: PNP 集射极击穿电压Vceo: 45V 长x宽/尺寸: 15.60 x 4.80mm 存储温度: -65℃~+150℃ 封装/外壳: TO-3PN 工作温度: +150℃(TJ) 集电极电流 Ic: 25A 配置: 单路 发射极基极导通电压VBE(on): 4V 最小包装: 30pcs 特征频率(fT): 50MHz 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 20.30mm DC电流增益(hFE): 25 晶体管类型: PNP 引脚数: 3Pin
MN1526
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 集电极-基极电压（VCBO）: 260V 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 包装: Tube packing 极性: NPN 集射极击穿电压Vceo: 260V 原产地: Chnia 集射极饱和电压(VCE(sat)): 260V 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO-3PN 工作温度: +150℃(TJ) 配置: 单路 特征频率(fT): 60MHz 最小包装: 30pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 20.30mm DC电流增益(hFE): 140 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 集电极-基极电压（VCBO）: 260V 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 包装: Tube packing 极性: NPN 集射极击穿电压Vceo: 260V 原产地: Chnia 集射极饱和电压(VCE(sat)): 260V 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO-3PN 工作温度: +150℃(TJ) 配置: 单路 特征频率(fT): 60MHz 最小包装: 30pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 20.30mm DC电流增益(hFE): 140 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
2N6678
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 175W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 包装: Box packing 极性: NPN 集射极击穿电压Vceo: 400V 原产地: Chnia 集射极饱和电压(VCE(sat)): 400V 长x宽/尺寸: 39.00 x 26.00mm 封装/外壳: TO-3 工作温度: +150℃(TJ) 集电极电流 Ic: 15A 配置: 单路 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 特征频率(fT): 3MHz 发射极与基极之间电压 VEBO: 8V 高度: 8.50mm DC电流增益(hFE): 8 晶体管类型: NPN
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 175W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 包装: Box packing 极性: NPN 集射极击穿电压Vceo: 400V 原产地: Chnia 集射极饱和电压(VCE(sat)): 400V 长x宽/尺寸: 39.00 x 26.00mm 封装/外壳: TO-3 工作温度: +150℃(TJ) 集电极电流 Ic: 15A 配置: 单路 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 特征频率(fT): 3MHz 发射极与基极之间电压 VEBO: 8V 高度: 8.50mm DC电流增益(hFE): 8 晶体管类型: NPN
2SD1525
供应商: Anychip Mall
分类: 达林顿三极管
描述: 硅NPN达林顿功率晶体管
特性: 带预偏置电阻及保护二极管 安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 150W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vceo: 100V 原产地: China 长x宽/尺寸: 20.20 x 5.50mm 封装/外壳: TO-3PL 工作温度: -55℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 30A 配置: 单路 最小包装: 50 高度: 29.10mm DC电流增益(hFE): 1000 晶体管类型: NPN
供应商: Anychip Mall
分类: 达林顿三极管
描述: 硅NPN达林顿功率晶体管
特性: 带预偏置电阻及保护二极管 安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 150W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vceo: 100V 原产地: China 长x宽/尺寸: 20.20 x 5.50mm 封装/外壳: TO-3PL 工作温度: -55℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 30A 配置: 单路 最小包装: 50 高度: 29.10mm DC电流增益(hFE): 1000 晶体管类型: NPN