HONGJIACHENG
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GBU2510
供应商: Anychip Mall
分类: 桥式整流器/整流桥
描述: 桥式整流器/整流桥 1KV 25A GBU
封装/外壳: GBU 反向漏电流IR: 10µA 安装类型: 插件 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 反向耐压VR: 1KV 平均整流电流: 25A 高度: 18.80mm 正向压降VF: 1.1V@12.5A 长x宽/尺寸: 22.30 x 3.56mm 引脚数: 4Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 桥式整流器/整流桥
描述: 桥式整流器/整流桥 1KV 25A GBU
封装/外壳: GBU 反向漏电流IR: 10µA 安装类型: 插件 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 反向耐压VR: 1KV 平均整流电流: 25A 高度: 18.80mm 正向压降VF: 1.1V@12.5A 长x宽/尺寸: 22.30 x 3.56mm 引脚数: 4Pin
SMAJ24CA
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: 双向TVS 24V截止 峰值浪涌电流：10.3A@10/1000US
封装/外壳: SMA(DO-214AC) 钳位电压: 38.9V 工作温度: -55℃~+155℃ 反向漏电流 IR: 1μA 峰值脉冲电流（Ipp）: 10.3A 击穿电压: 26.7V 功率-峰值脉冲: 400W 通道数: 单路 极性: 双向 反向断态电压: 24V 类型: TVS
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: 双向TVS 24V截止 峰值浪涌电流：10.3A@10/1000US
封装/外壳: SMA(DO-214AC) 钳位电压: 38.9V 工作温度: -55℃~+155℃ 反向漏电流 IR: 1μA 峰值脉冲电流（Ipp）: 10.3A 击穿电压: 26.7V 功率-峰值脉冲: 400W 通道数: 单路 极性: 双向 反向断态电压: 24V 类型: TVS
1N4148WS
供应商: Anychip Mall
分类: 开关二极管
封装/外壳: SOD-323 反向漏电流IR: 1μA@75V 二极管配置: 独立式 工作温度: -55℃~+150℃ 反向耐压VR: 100V 平均整流电流: 150mA 反向恢复时间(trr): 4ns 正向压降VF: 1.25V@150mA
供应商: Anychip Mall
分类: 开关二极管
封装/外壳: SOD-323 反向漏电流IR: 1μA@75V 二极管配置: 独立式 工作温度: -55℃~+150℃ 反向耐压VR: 100V 平均整流电流: 150mA 反向恢复时间(trr): 4ns 正向压降VF: 1.25V@150mA
MMBT2222A
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: hFE:200-300，丝印:1P
封装/外壳: SOT-23 工作温度: -55℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 600mA 额定功率: 300mW 特征频率(fT): 300MHz 集射极击穿电压Vce(Max): 40V 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)): 300mV@800mA,80mA DC电流增益(hFE): 100@150mA,10V 晶体管类型: NPN
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: hFE:200-300，丝印:1P
封装/外壳: SOT-23 工作温度: -55℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 600mA 额定功率: 300mW 特征频率(fT): 300MHz 集射极击穿电压Vce(Max): 40V 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)): 300mV@800mA,80mA DC电流增益(hFE): 100@150mA,10V 晶体管类型: NPN
MMBT5551
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: hFE:100-300，丝印:G1
封装/外壳: SOT-23 工作温度: -55℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 600mA 额定功率: 300mW 特征频率(fT): 100MHz 集射极击穿电压Vce(Max): 160V 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)): 150mV@10mA,1.0mA DC电流增益(hFE): 100@10mA,5V 晶体管类型: NPN
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: hFE:100-300，丝印:G1
封装/外壳: SOT-23 工作温度: -55℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 600mA 额定功率: 300mW 特征频率(fT): 100MHz 集射极击穿电压Vce(Max): 160V 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)): 150mV@10mA,1.0mA DC电流增益(hFE): 100@10mA,5V 晶体管类型: NPN
SMBJ36CA
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: 双向TVS 36V截止 峰值浪涌电流：10.33A@10/1000US
封装/外壳: SMB(DO-214AA) 钳位电压: 58.1V 工作温度: -55℃~+155℃ 反向漏电流 IR: 5μA 峰值脉冲电流（Ipp）: 10.33A 击穿电压: 40V 功率-峰值脉冲: 600W 通道数: 单路 极性: 双向 反向断态电压: 36V 类型: TVS
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: 双向TVS 36V截止 峰值浪涌电流：10.33A@10/1000US
封装/外壳: SMB(DO-214AA) 钳位电压: 58.1V 工作温度: -55℃~+155℃ 反向漏电流 IR: 5μA 峰值脉冲电流（Ipp）: 10.33A 击穿电压: 40V 功率-峰值脉冲: 600W 通道数: 单路 极性: 双向 反向断态电压: 36V 类型: TVS
B5817WS
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 电压:20V 电流:1A
反向漏电流IR: 1mA@20V 封装/外壳: SOD-323 二极管配置: 独立式 反向耐压VR: 20V 平均整流电流: 1A 正向压降VF: 450mV@1.0A
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 电压:20V 电流:1A
反向漏电流IR: 1mA@20V 封装/外壳: SOD-323 二极管配置: 独立式 反向耐压VR: 20V 平均整流电流: 1A 正向压降VF: 450mV@1.0A
BAT46W
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 电压:100V 电流:150MA
反向漏电流IR: 2μA@100V 封装/外壳: SOD-123 二极管配置: 独立式 反向耐压VR: 100V 平均整流电流: 150mA 正向压降VF: 450mV@10mA
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 电压:100V 电流:150MA
反向漏电流IR: 2μA@100V 封装/外壳: SOD-123 二极管配置: 独立式 反向耐压VR: 100V 平均整流电流: 150mA 正向压降VF: 450mV@10mA
SD103AWS
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 电压:40V 电流:350MA
反向漏电流IR: 5μA@40V 封装/外壳: SOD-323 二极管配置: 独立式 反向耐压VR: 40V 平均整流电流: 350mA 正向压降VF: 370mV@20mA
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 电压:40V 电流:350MA
反向漏电流IR: 5μA@40V 封装/外壳: SOD-323 二极管配置: 独立式 反向耐压VR: 40V 平均整流电流: 350mA 正向压降VF: 370mV@20mA
BZT52C2V7S
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: 小信号稳压管
二极管配置: 独立式 反向漏电流IR: 20μA@1V 封装/外壳: SOD-323 稳压值(范围): 2.5V~2.9V 功率: 200mW 标准稳压值: 2.7V Zzt阻抗: 100Ω
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: 小信号稳压管
二极管配置: 独立式 反向漏电流IR: 20μA@1V 封装/外壳: SOD-323 稳压值(范围): 2.5V~2.9V 功率: 200mW 标准稳压值: 2.7V Zzt阻抗: 100Ω