HONGJIACHENG
None
商品列表
BZT52C12S
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: 小信号稳压管
反向漏电流IR: 100nA@8V 封装/外壳: SOD-323 二极管配置: 独立式 稳压值(范围): 11.4V~12.7V 功率: 200mW 标准稳压值: 12V Zzt阻抗: 25Ω
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: 小信号稳压管
反向漏电流IR: 100nA@8V 封装/外壳: SOD-323 二极管配置: 独立式 稳压值(范围): 11.4V~12.7V 功率: 200mW 标准稳压值: 12V Zzt阻抗: 25Ω
BZT52C15
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: 小信号稳压管
封装/外壳: SOD-123 反向漏电流IR: 100nA@10.5V 二极管配置: 独立式 稳压值(范围): 14.25V~15.75V 功率: 500mW 标准稳压值: 15V Zzt阻抗: 40Ω
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: 小信号稳压管
封装/外壳: SOD-123 反向漏电流IR: 100nA@10.5V 二极管配置: 独立式 稳压值(范围): 14.25V~15.75V 功率: 500mW 标准稳压值: 15V Zzt阻抗: 40Ω
SMBJ24CA
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: 双向TVS 24V截止 峰值浪涌电流：15.42A@10/1000US
封装/外壳: SMB(DO-214AA) 钳位电压: 38.9V 工作温度: -55℃~+155℃ 反向漏电流 IR: 5μA 峰值脉冲电流（Ipp）: 15.42A@10/1000μs 击穿电压: 26.7V 功率-峰值脉冲: 600W@10/1000μs 通道数: 单通道 极性: 双向 类型: TVS 反向断态电压: 24V
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: 双向TVS 24V截止 峰值浪涌电流：15.42A@10/1000US
封装/外壳: SMB(DO-214AA) 钳位电压: 38.9V 工作温度: -55℃~+155℃ 反向漏电流 IR: 5μA 峰值脉冲电流（Ipp）: 15.42A@10/1000μs 击穿电压: 26.7V 功率-峰值脉冲: 600W@10/1000μs 通道数: 单通道 极性: 双向 类型: TVS 反向断态电压: 24V
BAV21WS
供应商: Anychip Mall
分类: 开关二极管
二极管配置: 独立式 封装/外壳: SOD-323 反向漏电流IR: 100nA@200V 工作温度: -55℃~+150℃ 反向耐压VR: 250V 平均整流电流: 200mA 反向恢复时间(trr): 50ns 正向压降VF: 1.25V@200mA
供应商: Anychip Mall
分类: 开关二极管
二极管配置: 独立式 封装/外壳: SOD-323 反向漏电流IR: 100nA@200V 工作温度: -55℃~+150℃ 反向耐压VR: 250V 平均整流电流: 200mA 反向恢复时间(trr): 50ns 正向压降VF: 1.25V@200mA
BSS138
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 1个N沟道 耐压:50V 电流:340MA
封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 6.5pF@25V 工作温度: -55℃~+150℃ 阈值电压: 1.6V@250μA 输入电容: 17.5pF@25V 额定功率: 350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 2.5Ω@10V,0.34A 漏源电压(Vdss): 50V 极性: N-沟道 连续漏极电流: 340mA 栅极电荷(Qg): 1.7nC@10V 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 1个N沟道 耐压:50V 电流:340MA
封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 6.5pF@25V 工作温度: -55℃~+150℃ 阈值电压: 1.6V@250μA 输入电容: 17.5pF@25V 额定功率: 350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 2.5Ω@10V,0.34A 漏源电压(Vdss): 50V 极性: N-沟道 连续漏极电流: 340mA 栅极电荷(Qg): 1.7nC@10V 类型: 1个N沟道
BZT52C3V3S
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: 小信号稳压管
反向漏电流IR: 5μA@1V 二极管配置: 独立式 封装/外壳: SOD-323 稳压值(范围): 3.1V~3.5V 功率: 200mW 标准稳压值: 3.3V Zzt阻抗: 95Ω
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: 小信号稳压管
反向漏电流IR: 5μA@1V 二极管配置: 独立式 封装/外壳: SOD-323 稳压值(范围): 3.1V~3.5V 功率: 200mW 标准稳压值: 3.3V Zzt阻抗: 95Ω
SS34
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 肖特基二极管 40V 3A SMA(DO-214AC)
封装/外壳: SMA(DO-214AC) 二极管配置: 独立式 安装类型: SMT 反向漏电流IR: 200μA@40V 反向耐压VR: 40V 平均整流电流: 3A 高度: 2.41mm 正向压降VF: 550mV@3.0A 长x宽/尺寸: - 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 肖特基二极管 40V 3A SMA(DO-214AC)
封装/外壳: SMA(DO-214AC) 二极管配置: 独立式 安装类型: SMT 反向漏电流IR: 200μA@40V 反向耐压VR: 40V 平均整流电流: 3A 高度: 2.41mm 正向压降VF: 550mV@3.0A 长x宽/尺寸: - 引脚数: 2Pin
ABS210
供应商: Anychip Mall
分类: 桥式整流器/整流桥
描述: 桥式整流器/整流桥 1KV 2A ABS
封装/外壳: ABS 安装类型: SMT 反向漏电流IR: 5µA 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 反向耐压VR: 1KV 平均整流电流: 2A 高度: 1.45mm 正向压降VF: 1V@1A 引脚数: 4Pin 长x宽/尺寸: 5.10 x 4.60mm
供应商: Anychip Mall
分类: 桥式整流器/整流桥
描述: 桥式整流器/整流桥 1KV 2A ABS
封装/外壳: ABS 安装类型: SMT 反向漏电流IR: 5µA 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 反向耐压VR: 1KV 平均整流电流: 2A 高度: 1.45mm 正向压降VF: 1V@1A 引脚数: 4Pin 长x宽/尺寸: 5.10 x 4.60mm
SMF12A
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: 单向TVS 12V截止 峰值浪涌电流：10.1A@10/1000US
封装/外壳: SOD-123FL 钳位电压: 19.9V 工作温度: -55℃~+155℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 10.1A@10/1000μs 反向漏电流 IR: 2.5μA 击穿电压: 14.7V 功率-峰值脉冲: 200W@10/1000μs 极性: 单向 反向断态电压: 12V 类型: TVS
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: 单向TVS 12V截止 峰值浪涌电流：10.1A@10/1000US
封装/外壳: SOD-123FL 钳位电压: 19.9V 工作温度: -55℃~+155℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 10.1A@10/1000μs 反向漏电流 IR: 2.5μA 击穿电压: 14.7V 功率-峰值脉冲: 200W@10/1000μs 极性: 单向 反向断态电压: 12V 类型: TVS
SS8050
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 通用三极管 NPN 25V 1.5A SOT-23
安装类型: SMT 额定功率: 300mW 集射极击穿电压Vce(Max): 25V 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)): 500mV@800mA,80mA 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 工作温度: -55℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 1.5A 特征频率(fT): 100MHz 高度: 1.15mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 120@100mA,1.0V 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 通用三极管 NPN 25V 1.5A SOT-23
安装类型: SMT 额定功率: 300mW 集射极击穿电压Vce(Max): 25V 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)): 500mV@800mA,80mA 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 工作温度: -55℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 1.5A 特征频率(fT): 100MHz 高度: 1.15mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 120@100mA,1.0V 引脚数: 3Pin