AOS
AOS Thermal Compounds is a manufacturer of dependable thermal management solutions including thermal paste heat sink compounds silicone grease and non-silicone grease.
商品列表
AO3423
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: -20V,-2A,P沟道MOSFET
漏源电压（Vdss）: 20V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 2A 栅源极阈值电压: 1.4V @ 250uA 漏源导通电阻: 92mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）: 1.4W 类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: -20V,-2A,P沟道MOSFET
漏源电压（Vdss）: 20V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 2A 栅源极阈值电压: 1.4V @ 250uA 漏源导通电阻: 92mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）: 1.4W 类型: P沟道
AO3480C
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：6.2A 功率(Pd)：1.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：16mΩ@10V,6.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.8V@250uA
安装类型: SMT 阈值电压: 1.8V 原始制造商: Alpha and Omega Semiconductor 包装: Tape/reel 原产地: America 连续漏极电流: 6.2A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 输入电容(Ci): 600pF 反向传输电容Crss: 60pF@15V 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 12nC 配置: 单路 Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 16mΩ@10V 栅极电荷(Qg): 6nC@10V 零件状态: Active
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：6.2A 功率(Pd)：1.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：16mΩ@10V,6.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.8V@250uA
安装类型: SMT 阈值电压: 1.8V 原始制造商: Alpha and Omega Semiconductor 包装: Tape/reel 原产地: America 连续漏极电流: 6.2A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 输入电容(Ci): 600pF 反向传输电容Crss: 60pF@15V 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 12nC 配置: 单路 Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 16mΩ@10V 栅极电荷(Qg): 6nC@10V 零件状态: Active
AO3420
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: MOSFETs 20V 2.90 x 1.60mm SMT SOT23 6A
安装类型: SMT 品牌: AOS 功率耗散: 1.4W 阈值电压: 1V 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 6A 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 1.8V，10V 封装/外壳: SOT-23 输入电容(Ci): 630pF 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 12.5nC 配置: 单路 FET功能: - Vgs(Max): ±12V 漏源电压(Vdss): 20V 导通电阻(RDS(on): 24mΩ@10V 栅极电荷(Qg): 8.8nC@4.5V 晶体管类型: N沟道 类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: MOSFETs 20V 2.90 x 1.60mm SMT SOT23 6A
安装类型: SMT 品牌: AOS 功率耗散: 1.4W 阈值电压: 1V 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 6A 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 1.8V，10V 封装/外壳: SOT-23 输入电容(Ci): 630pF 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 12.5nC 配置: 单路 FET功能: - Vgs(Max): ±12V 漏源电压(Vdss): 20V 导通电阻(RDS(on): 24mΩ@10V 栅极电荷(Qg): 8.8nC@4.5V 晶体管类型: N沟道 类型: N沟道
AON6354
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型 N 通道 30 V 83A（Tc） 36W（Tc） 8-DFN（5x6）
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 品牌: AOS 阈值电压: 2.2V 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 83A 封装/外壳: DFN-8(5x6) 输入电容(Ci): 1.33nF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 35nC 配置: 单路 Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 3.3mΩ@10V 栅极电荷(Qg): 35nC 高度: 0.95mm 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道 引脚数: 5Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型 N 通道 30 V 83A（Tc） 36W（Tc） 8-DFN（5x6）
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 品牌: AOS 阈值电压: 2.2V 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 83A 封装/外壳: DFN-8(5x6) 输入电容(Ci): 1.33nF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 35nC 配置: 单路 Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 3.3mΩ@10V 栅极电荷(Qg): 35nC 高度: 0.95mm 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道 引脚数: 5Pin
AO6802
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: MOSFETs Dual N-channel VDS=20V ID=3.5A PD=1.15W TSOP6
安装类型: SMT 品牌: AOS 阈值电压: 2.5V 原始制造商: Alpha & Omega Semiconductor, Ltd 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 原产地: America 连续漏极电流: 3.5A 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.60mm 封装/外壳: TSOP-6 输入电容(Ci): 210pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 FET功能: 逻辑电平门 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 50mΩ@10V 栅极电荷(Qg): 5nC@10V 零件状态: Active 晶体管类型: -
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: MOSFETs Dual N-channel VDS=20V ID=3.5A PD=1.15W TSOP6
安装类型: SMT 品牌: AOS 阈值电压: 2.5V 原始制造商: Alpha & Omega Semiconductor, Ltd 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 原产地: America 连续漏极电流: 3.5A 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.60mm 封装/外壳: TSOP-6 输入电容(Ci): 210pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 FET功能: 逻辑电平门 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 50mΩ@10V 栅极电荷(Qg): 5nC@10V 零件状态: Active 晶体管类型: -
AO4805
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: SO-8 P-Channel 25V -30V -9A 2W 18mΩ@10V
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 漏源电流(Idss): 9A 功率耗散: 2W 阈值电压: 2.3V 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 9A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOIC-8 制造商标准提前期: 16 周 输入电容(Ci): 2.6nF@15V 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 39nC 配置: 双路 系列: - FET功能: 逻辑电平门 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 39nC@10V 晶体管类型: - 类型: 2个P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: SO-8 P-Channel 25V -30V -9A 2W 18mΩ@10V
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 漏源电流(Idss): 9A 功率耗散: 2W 阈值电压: 2.3V 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 9A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOIC-8 制造商标准提前期: 16 周 输入电容(Ci): 2.6nF@15V 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 39nC 配置: 双路 系列: - FET功能: 逻辑电平门 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 39nC@10V 晶体管类型: - 类型: 2个P沟道
AO3400A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: MOSFETs N-沟道 30V 5.7A SOT-23
安装类型: SMT 漏源电流(Idss): 5.7A 技术路线: MOSFET (Metal Oxide) 击穿电压: 30V 阈值电压: 1.5V 包装: Tape/reel 原产地: America 连续漏极电流: 5.7A 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.60mm 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 FET功能: - Vgs(Max): ±12V 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 7nC@4.5V 高度: 1.25mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: MOSFETs N-沟道 30V 5.7A SOT-23
安装类型: SMT 漏源电流(Idss): 5.7A 技术路线: MOSFET (Metal Oxide) 击穿电压: 30V 阈值电压: 1.5V 包装: Tape/reel 原产地: America 连续漏极电流: 5.7A 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.60mm 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 FET功能: - Vgs(Max): ±12V 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 7nC@4.5V 高度: 1.25mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
AOTS21115C
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 6-TSOP P-Channel -55°C~150°C(TJ) ±8V 20V 6.6A(Ta) 40 mΩ @ 6.6A,4.5V 2.5W(Ta)
安装类型: SMT 阈值电压: 950mV 原始制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 额定功率: 2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 40mΩ@6.6A,4.5V 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 6.6A 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 1.8,4.5V 封装/外壳: TSOP-6 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 原产国家: America Vgs(Max): ±8V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 17nC 高度: 1.25mm 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道 引脚数: 6Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 6-TSOP P-Channel -55°C~150°C(TJ) ±8V 20V 6.6A(Ta) 40 mΩ @ 6.6A,4.5V 2.5W(Ta)
安装类型: SMT 阈值电压: 950mV 原始制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 额定功率: 2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 40mΩ@6.6A,4.5V 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 6.6A 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 1.8,4.5V 封装/外壳: TSOP-6 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 原产国家: America Vgs(Max): ±8V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 17nC 高度: 1.25mm 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道 引脚数: 6Pin
AO3160
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型 N 通道 600 V 40mA（Ta） 1.39W（Ta） SOT-23A-3
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 功率耗散: 1.39W 阈值电压: 3.2V@8µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 40mA 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 4.5V，10V 封装/外壳: SOT-23 制造商标准提前期: 16 周 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -50℃~+150℃ 配置: 单路 FET功能: - Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 600V 导通电阻(RDS(on): 500Ω@10V,16mA 栅极电荷(Qg): 1.5nC@10V 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型 N 通道 600 V 40mA（Ta） 1.39W（Ta） SOT-23A-3
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 功率耗散: 1.39W 阈值电压: 3.2V@8µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 40mA 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 4.5V，10V 封装/外壳: SOT-23 制造商标准提前期: 16 周 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -50℃~+150℃ 配置: 单路 FET功能: - Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 600V 导通电阻(RDS(on): 500Ω@10V,16mA 栅极电荷(Qg): 1.5nC@10V 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
AON2403
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型 P 通道 12 V 8A（Ta） 2.8W（Ta） 6-DFN（2x2）
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 技术路线: MOSFET (Metal Oxide) 阈值电压: 900mV@250µA 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 8A 长x宽/尺寸: 2.00 x 2.00mm 封装/外壳: DFN6_2X2MM_EP 反向传输电容Crss: 258pF@6V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 FET功能: - Vgs(Max): ±8V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 12V 导通电阻(RDS(on): 16.5mΩ@4.5V,8A 栅极电荷(Qg): 18nC 晶体管类型: P沟道 类型: 1个P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型 P 通道 12 V 8A（Ta） 2.8W（Ta） 6-DFN（2x2）
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 技术路线: MOSFET (Metal Oxide) 阈值电压: 900mV@250µA 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 8A 长x宽/尺寸: 2.00 x 2.00mm 封装/外壳: DFN6_2X2MM_EP 反向传输电容Crss: 258pF@6V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 FET功能: - Vgs(Max): ±8V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 12V 导通电阻(RDS(on): 16.5mΩ@4.5V,8A 栅极电荷(Qg): 18nC 晶体管类型: P沟道 类型: 1个P沟道