WINSOK
商品列表
WSF3087
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: N沟道 耐压:30V 电流:70A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):70A 功率(Pd):51W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA
安装类型: SMT 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 阈值电压Vgs(th): 1.5V@250uA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 70A 极性: N-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 30V 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: TO252 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 180pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 20nC 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 8mΩ 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 2.40mm 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: N沟道 耐压:30V 电流:70A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):70A 功率(Pd):51W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA
安装类型: SMT 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 阈值电压Vgs(th): 1.5V@250uA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 70A 极性: N-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 30V 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: TO252 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 180pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 20nC 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 8mΩ 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 2.40mm 晶体管类型: N沟道
WST6002
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：SOT-523 FET类型：N-Channel(ESD) 漏源极电压Vds：30V 连续漏极电流Id：0.1A
安装类型: SMT 品牌: Winsok 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 阈值电压Vgs(th): 2.5V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 100mA 极性: N-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 30V 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: - 封装/外壳: SOT523 栅极源极击穿电压: ±20V 漏极电流Idss: 0.1A 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 5Ω 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：SOT-523 FET类型：N-Channel(ESD) 漏源极电压Vds：30V 连续漏极电流Id：0.1A
安装类型: SMT 品牌: Winsok 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 阈值电压Vgs(th): 2.5V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 100mA 极性: N-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 30V 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: - 封装/外壳: SOT523 栅极源极击穿电压: ±20V 漏极电流Idss: 0.1A 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 5Ω 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 晶体管类型: N沟道
WSR25N20
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：TO-220-3L FET类型：N-Channel 栅极电压Vgs：±20V 漏源极电压Vds：200V 连续漏极电流Id：25A
安装类型: DIP 品牌: Winsok 功率耗散: 45W 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 阈值电压Vgs(th): 1.5V@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 25A 包装: Tube packing 极性: N-沟道 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 10.16 x 4.67mm 封装/外壳: TO220F 反向传输电容Crss: 75pF 漏极电流Idss: 25A 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 60nC 配置: 单路 原产国家: China 漏源电压(Vdss): 200V 高度: 19.31mm 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：TO-220-3L FET类型：N-Channel 栅极电压Vgs：±20V 漏源极电压Vds：200V 连续漏极电流Id：25A
安装类型: DIP 品牌: Winsok 功率耗散: 45W 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 阈值电压Vgs(th): 1.5V@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 25A 包装: Tube packing 极性: N-沟道 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 10.16 x 4.67mm 封装/外壳: TO220F 反向传输电容Crss: 75pF 漏极电流Idss: 25A 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 60nC 配置: 单路 原产国家: China 漏源电压(Vdss): 200V 高度: 19.31mm 晶体管类型: N沟道
WSD3067DN56
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: Configuration N+P Type P-Ch VDS(V) -30 VGS(V) 20 ID(A)Max. -19.8 VGS(th)(v) -1.8 RDS(ON)(m?)@4.252V 15 Qg(nC)@4.5V 8 QgS(nC) 2 Qgd(nC) 4 Ciss(pF) 750 Coss(pF) 140 Crss(pF) 102
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 功率耗散: 18.9W 阈值电压Vgs(th): 1.8V@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 24A 包装: Tape/reel 漏源击穿电压BVDSS: 30V 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: DFN8_5X6MM 输入电容Ciss: 395pF 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 42pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 8.3nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 15mΩ 应用等级: Consumer 漏源电压(Vdss): 30V 晶体管类型: N沟道和P沟道互补型 应用: Consumer
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: Configuration N+P Type P-Ch VDS(V) -30 VGS(V) 20 ID(A)Max. -19.8 VGS(th)(v) -1.8 RDS(ON)(m?)@4.252V 15 Qg(nC)@4.5V 8 QgS(nC) 2 Qgd(nC) 4 Ciss(pF) 750 Coss(pF) 140 Crss(pF) 102
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 功率耗散: 18.9W 阈值电压Vgs(th): 1.8V@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 24A 包装: Tape/reel 漏源击穿电压BVDSS: 30V 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: DFN8_5X6MM 输入电容Ciss: 395pF 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 42pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 8.3nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 15mΩ 应用等级: Consumer 漏源电压(Vdss): 30V 晶体管类型: N沟道和P沟道互补型 应用: Consumer
WSF3013
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：TO-252-4 FET类型：N+P Channel 栅极电压Vgs：20V 漏源极电压Vds：±30V 连续漏极电流Id：12/11.5A
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 5.25W 阈值电压Vgs(th): 1.8V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 12A,11.5A 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO252-4L 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 55pF 输入电容Ciss: 545pF,580pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 5.2/13nC 配置: 单路 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 2.40mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道和P沟道互补型
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：TO-252-4 FET类型：N+P Channel 栅极电压Vgs：20V 漏源极电压Vds：±30V 连续漏极电流Id：12/11.5A
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 5.25W 阈值电压Vgs(th): 1.8V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 12A,11.5A 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO252-4L 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 55pF 输入电容Ciss: 545pF,580pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 5.2/13nC 配置: 单路 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 2.40mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道和P沟道互补型
WST3426
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：SOT-23N FET类型：N-Channel 栅极电压Vgs：±12V 漏源极电压Vds：20V 连续漏极电流Id：2.8A
安装类型: SMT 功率耗散: 1W 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 阈值电压Vgs(th): 850mV@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 3A 包装: Tape/reel 漏源击穿电压BVDSS: 20V 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 封装/外壳: SOT23N 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 22pF 工作温度: -55℃~+150℃ 漏极电流Idss: 3A 充电电量: 5.4nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 75mΩ 原产国家: China 漏源电压(Vdss): 20V 高度: 1.15mm 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：SOT-23N FET类型：N-Channel 栅极电压Vgs：±12V 漏源极电压Vds：20V 连续漏极电流Id：2.8A
安装类型: SMT 功率耗散: 1W 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 阈值电压Vgs(th): 850mV@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 3A 包装: Tape/reel 漏源击穿电压BVDSS: 20V 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 封装/外壳: SOT23N 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 22pF 工作温度: -55℃~+150℃ 漏极电流Idss: 3A 充电电量: 5.4nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 75mΩ 原产国家: China 漏源电压(Vdss): 20V 高度: 1.15mm 晶体管类型: N沟道
WSD80100DN56
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：DFN5X6-8 FET类型：N-Channel 栅极电压Vgs：20V 漏源极电压Vds：80V 连续漏极电流Id：100A
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 200W 阈值电压Vgs(th): 3V@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 100A 包装: Original 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 5.75 x 4.90mm 封装/外壳: DFN8_5X6MM 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 输入电容Ciss: 4.9nF 工作温度: +150℃ 充电电量: 125nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 6.1mΩ 漏源电压(Vdss): 80V 高度: 1.10mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：DFN5X6-8 FET类型：N-Channel 栅极电压Vgs：20V 漏源极电压Vds：80V 连续漏极电流Id：100A
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 200W 阈值电压Vgs(th): 3V@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 100A 包装: Original 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 5.75 x 4.90mm 封装/外壳: DFN8_5X6MM 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 输入电容Ciss: 4.9nF 工作温度: +150℃ 充电电量: 125nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 6.1mΩ 漏源电压(Vdss): 80V 高度: 1.10mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin
WST3427
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：SOT-23N FET类型：P-Channel 栅极电压Vgs：±12V 漏源极电压Vds：-20V 连续漏极电流Id：-3.2A
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 1W 阈值电压Vgs(th): 650mV@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 2.5A 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT23N 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 30pF 输入电容Ciss: 300pF 工作温度: -55℃~+150℃ 漏极电流Idss: -2.5A 充电电量: 5nC 配置: 单路 原产国家: China 漏源电压(Vdss): 20V 高度: 1.15mm 晶体管类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：SOT-23N FET类型：P-Channel 栅极电压Vgs：±12V 漏源极电压Vds：-20V 连续漏极电流Id：-3.2A
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 1W 阈值电压Vgs(th): 650mV@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 2.5A 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT23N 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 30pF 输入电容Ciss: 300pF 工作温度: -55℃~+150℃ 漏极电流Idss: -2.5A 充电电量: 5nC 配置: 单路 原产国家: China 漏源电压(Vdss): 20V 高度: 1.15mm 晶体管类型: P沟道
WSR140N08
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：TO-220-3L FET类型：N-Channel 栅极电压Vgs：±25V 漏源极电压Vds：80V 连续漏极电流Id：150A
安装类型: DIP 品牌: Winsok 功率耗散: 250W 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 阈值电压Vgs(th): 3V@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 140A 包装: Tube packing 极性: N-沟道 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 10.16 x 4.67mm 封装/外壳: TO220FB-3L 反向传输电容Crss: 235pF 漏极电流Idss: 140A 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 115nC 配置: 单路 原产国家: China 漏源电压(Vdss): 80V 高度: 19.31mm 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：TO-220-3L FET类型：N-Channel 栅极电压Vgs：±25V 漏源极电压Vds：80V 连续漏极电流Id：150A
安装类型: DIP 品牌: Winsok 功率耗散: 250W 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 阈值电压Vgs(th): 3V@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 140A 包装: Tube packing 极性: N-沟道 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 10.16 x 4.67mm 封装/外壳: TO220FB-3L 反向传输电容Crss: 235pF 漏极电流Idss: 140A 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 115nC 配置: 单路 原产国家: China 漏源电压(Vdss): 80V 高度: 19.31mm 晶体管类型: N沟道
WSF40P04
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：TO-252-2L FET类型：P-Channel 栅极电压Vgs：3V@250uA 漏源极电压Vds：40V 连续漏极电流Id：20A(Tc)
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 45W 阈值电压Vgs(th): 2V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 20A 极性: P-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 40V 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: TO252 输入电容Ciss: 840pF 工作温度: -55℃~+150℃ 漏极电流Idss: -20A 充电电量: 20nC 配置: 单路 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 40V 高度: 2.40mm 晶体管类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：TO-252-2L FET类型：P-Channel 栅极电压Vgs：3V@250uA 漏源极电压Vds：40V 连续漏极电流Id：20A(Tc)
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 45W 阈值电压Vgs(th): 2V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 20A 极性: P-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 40V 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: TO252 输入电容Ciss: 840pF 工作温度: -55℃~+150℃ 漏极电流Idss: -20A 充电电量: 20nC 配置: 单路 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 40V 高度: 2.40mm 晶体管类型: P沟道