CBI
The CBI-electric Group under the auspices of Reunert Holdings which is a leading South African company listed on the JSE in the industrial goods and services (electronic and electrical equipment) sectors. Reunert manages a number of businesses focused on electronics and electrical engineering and regularly ranks among the country's top companies.
商品列表
MM5Z8V2
供应商: Anychip Mall
分类: 稳压二极管
描述: M8(M8表示丝印)
安装类型: SMT 二极管配置: 单路 最大耗散功率: 200mW 稳压值Vz: 8.2V 品牌: CBI 原始制造商: China Base Electronics Technology Co.,Ltd. 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 1.25 x 0.85mm 存储温度: -65~+150℃ 封装/外壳: SOD523 反向漏电流IR: 0.5μA 元件生命周期: Active 工作温度: -65℃~+150℃ Izk-稳定电流Min: 1mA 原产国家: China Hong Kong 反向耐压VR: 5V 高度: 0.70mm 零件状态: Active Zzt阻抗Max: 15Ω 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 稳压二极管
描述: M8(M8表示丝印)
安装类型: SMT 二极管配置: 单路 最大耗散功率: 200mW 稳压值Vz: 8.2V 品牌: CBI 原始制造商: China Base Electronics Technology Co.,Ltd. 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 1.25 x 0.85mm 存储温度: -65~+150℃ 封装/外壳: SOD523 反向漏电流IR: 0.5μA 元件生命周期: Active 工作温度: -65℃~+150℃ Izk-稳定电流Min: 1mA 原产国家: China Hong Kong 反向耐压VR: 5V 高度: 0.70mm 零件状态: Active Zzt阻抗Max: 15Ω 引脚数: 2Pin
MMBD4148CC
供应商: Anychip Mall
分类: 开关二极管
描述: D5(D5表示丝印)
安装类型: SMT 二极管配置: 双独立 品牌: CBI 原始制造商: China Base Electronics Technology Co.,Ltd. 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 1V 长x宽/尺寸: 3.10 x 1.65mm 反向漏电流IR: 5μA 封装/外壳: SOT23 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China Hong Kong 平均整流电流IF: 200mA 反向峰值电压（最大值）: 100V 反向耐压VR: 75V 最小包装: 3000pcs 认证信息: RoHS 反向恢复时间(trr): 4ns 零件状态: Active 高度: 1.40mm 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 开关二极管
描述: D5(D5表示丝印)
安装类型: SMT 二极管配置: 双独立 品牌: CBI 原始制造商: China Base Electronics Technology Co.,Ltd. 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 1V 长x宽/尺寸: 3.10 x 1.65mm 反向漏电流IR: 5μA 封装/外壳: SOT23 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China Hong Kong 平均整流电流IF: 200mA 反向峰值电压（最大值）: 100V 反向耐压VR: 75V 最小包装: 3000pcs 认证信息: RoHS 反向恢复时间(trr): 4ns 零件状态: Active 高度: 1.40mm 引脚数: 3Pin
SS8050W
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: Y1(Y1表示丝印)
安装类型: SMT 品牌: CBI 功率耗散: 200mW 额定功率: 200mW 集射极击穿电压Vce(Max): 25V 跃迁频率: 100MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT323 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 25V 集电极电流 Ic: 1.5A 原产国家: China DC电流增益(hFE)(Min&Range): 120 Vce饱和压降(Max): 500mV 零件状态: Active 晶体管类型: NPN
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: Y1(Y1表示丝印)
安装类型: SMT 品牌: CBI 功率耗散: 200mW 额定功率: 200mW 集射极击穿电压Vce(Max): 25V 跃迁频率: 100MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT323 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 25V 集电极电流 Ic: 1.5A 原产国家: China DC电流增益(hFE)(Min&Range): 120 Vce饱和压降(Max): 500mV 零件状态: Active 晶体管类型: NPN
MM5Z7V5
供应商: Anychip Mall
分类: 稳压二极管
描述: L8(L8表示丝印)
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 稳压值Vz: 7.5V 最大耗散功率: 200mW 原始制造商: China Base Electronics Technology Co.,Ltd. 包装: Tape/Reel 最大稳压值: 7.9V 反向漏电流IR: 0.5μA 封装/外壳: SOD523 元件生命周期: Active 工作温度: -65℃~+150℃ Izk-稳定电流Min: 1mA 原产国家: China Hong Kong 标准稳压值: 7.5V 电流-DC正向（If）: 10mA 最小稳压值: 7.00V 反向耐压VR: 4V 最小包装: 3000pcs 正向压降VF Max: 900mV
供应商: Anychip Mall
分类: 稳压二极管
描述: L8(L8表示丝印)
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 稳压值Vz: 7.5V 最大耗散功率: 200mW 原始制造商: China Base Electronics Technology Co.,Ltd. 包装: Tape/Reel 最大稳压值: 7.9V 反向漏电流IR: 0.5μA 封装/外壳: SOD523 元件生命周期: Active 工作温度: -65℃~+150℃ Izk-稳定电流Min: 1mA 原产国家: China Hong Kong 标准稳压值: 7.5V 电流-DC正向（If）: 10mA 最小稳压值: 7.00V 反向耐压VR: 4V 最小包装: 3000pcs 正向压降VF Max: 900mV
BAS16WT
供应商: Anychip Mall
分类: 开关二极管
描述: A6(A6表示丝印)
安装类型: SMT 最大耗散功率: 150mW 原始制造商: China Base International Enterprises Ltd. 包装: Tape/Reel 存储温度: +150℃ 长x宽/尺寸: 1.25 x 0.85mm 反向击穿电压: 75V 反向漏电流IR: 1μA 封装/外壳: SOD523 工作温度: +150℃ 平均整流电流IF: 500mA 电流-DC正向（If）: 200mA 反向耐压VR: 75V 最小包装: 3000pcs 认证信息: RoHS 反向恢复时间(trr): 6ns 正向压降VF Max: 1.25V 零件状态: Active 高度: 0.70mm 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 开关二极管
描述: A6(A6表示丝印)
安装类型: SMT 最大耗散功率: 150mW 原始制造商: China Base International Enterprises Ltd. 包装: Tape/Reel 存储温度: +150℃ 长x宽/尺寸: 1.25 x 0.85mm 反向击穿电压: 75V 反向漏电流IR: 1μA 封装/外壳: SOD523 工作温度: +150℃ 平均整流电流IF: 500mA 电流-DC正向（If）: 200mA 反向耐压VR: 75V 最小包装: 3000pcs 认证信息: RoHS 反向恢复时间(trr): 6ns 正向压降VF Max: 1.25V 零件状态: Active 高度: 0.70mm 引脚数: 2Pin
S8550SOT523
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：- 集电极截止电流(Icbo)：- 功率(Pd)：- 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：- 集射极击穿电压(Vceo)：- 特征频率(fT)：- 集电极电流(Ic)：- 工作温度(最小值)：- 晶体管类型：- SOT-523
安装类型: SMT 品牌: CBI 功率耗散: 200mW 额定功率: 200mW 集射极击穿电压Vce(Max): 25V 跃迁频率: 150MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT523 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 25V 集电极电流 Ic: 500mA 原产国家: China DC电流增益(hFE)(Min&Range): 120 Vce饱和压降(Max): 600mV 零件状态: Active 晶体管类型: PNP
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：- 集电极截止电流(Icbo)：- 功率(Pd)：- 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：- 集射极击穿电压(Vceo)：- 特征频率(fT)：- 集电极电流(Ic)：- 工作温度(最小值)：- 晶体管类型：- SOT-523
安装类型: SMT 品牌: CBI 功率耗散: 200mW 额定功率: 200mW 集射极击穿电压Vce(Max): 25V 跃迁频率: 150MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT523 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 25V 集电极电流 Ic: 500mA 原产国家: China DC电流增益(hFE)(Min&Range): 120 Vce饱和压降(Max): 600mV 零件状态: Active 晶体管类型: PNP
S8550T
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：1.5A 功率(Pd)：0.625W
安装类型: SMT 品牌: CBI 功率耗散: 200mW 包装: Tape/reel 集射极击穿电压Vce(Max): 25V 极性: PNP 集电极与基极之间电压 VCBO: -40V 长x宽/尺寸: 1.70 x 0.90mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT523 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 500mA 发射极基极导通电压VBE(on): -1.2V DC电流增益(hFE)(Min&Range): 120~400 发射极与基极之间电压 VEBO: -5V Vce饱和压降(Max): 500mV 零件状态: Active 高度: 0.80mm 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：1.5A 功率(Pd)：0.625W
安装类型: SMT 品牌: CBI 功率耗散: 200mW 包装: Tape/reel 集射极击穿电压Vce(Max): 25V 极性: PNP 集电极与基极之间电压 VCBO: -40V 长x宽/尺寸: 1.70 x 0.90mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT523 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 500mA 发射极基极导通电压VBE(on): -1.2V DC电流增益(hFE)(Min&Range): 120~400 发射极与基极之间电压 VEBO: -5V Vce饱和压降(Max): 500mV 零件状态: Active 高度: 0.80mm 引脚数: 3Pin
TL431U
供应商: Anychip Mall
分类: 电压基准芯片
描述: (431表示丝印)
安装类型: SMT 品牌: CBI 输出电压（最大值）: 36V 输入电压: 2.48V~2.51V 存储温度: -65℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.60 x 2.60mm 输出类型: Adjustable 封装/外壳: SOT89-3 元件生命周期: Active 工作温度: -25℃~+85℃ 温度系数（温漂）: 50ppm/℃ 应用等级: Consumer 最小包装: 1000pcs 高度: 1.50mm
供应商: Anychip Mall
分类: 电压基准芯片
描述: (431表示丝印)
安装类型: SMT 品牌: CBI 输出电压（最大值）: 36V 输入电压: 2.48V~2.51V 存储温度: -65℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.60 x 2.60mm 输出类型: Adjustable 封装/外壳: SOT89-3 元件生命周期: Active 工作温度: -25℃~+85℃ 温度系数（温漂）: 50ppm/℃ 应用等级: Consumer 最小包装: 1000pcs 高度: 1.50mm
BC847BW
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 1F(1F表示丝印)
安装类型: SMT 品牌: CBI 功率耗散: 200mW 额定功率: 200mW 包装: Tape/reel 集射极击穿电压Vce(Max): 45V 跃迁频率: 100MHz 集电极与基极之间电压 VCBO: 50V 长x宽/尺寸: 2.20 x 1.35mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT323 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 100mA 集电极-发射极电压 VCEO: 45V 配置: 单路 原产国家: China DC电流增益(hFE)(Min&Range): 200 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V Vce饱和压降(Max): 600mV 晶体管类型: NPN
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 1F(1F表示丝印)
安装类型: SMT 品牌: CBI 功率耗散: 200mW 额定功率: 200mW 包装: Tape/reel 集射极击穿电压Vce(Max): 45V 跃迁频率: 100MHz 集电极与基极之间电压 VCBO: 50V 长x宽/尺寸: 2.20 x 1.35mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT323 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 100mA 集电极-发射极电压 VCEO: 45V 配置: 单路 原产国家: China DC电流增益(hFE)(Min&Range): 200 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V Vce饱和压降(Max): 600mV 晶体管类型: NPN
BZT52C16W
供应商: Anychip Mall
分类: 稳压二极管
描述: NN(NN表示丝印)
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 热阻: 340℃/W 最大耗散功率: 500mW 稳压值Vz: 16V 品牌: CBI 包装: Tape/Reel 反向电流Izt: 5mA 正向压降VF: 900mV 长x宽/尺寸: 2.70 x 1.65mm 存储温度: -65~+150℃ 封装/外壳: SOD123 反向漏电流IR: 100nA 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃ 原产国家: China Hong Kong 二极管类型: 单一 正向压降VF Max: 900mV 高度: 1.15mm 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 稳压二极管
描述: NN(NN表示丝印)
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 热阻: 340℃/W 最大耗散功率: 500mW 稳压值Vz: 16V 品牌: CBI 包装: Tape/Reel 反向电流Izt: 5mA 正向压降VF: 900mV 长x宽/尺寸: 2.70 x 1.65mm 存储温度: -65~+150℃ 封装/外壳: SOD123 反向漏电流IR: 100nA 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃ 原产国家: China Hong Kong 二极管类型: 单一 正向压降VF Max: 900mV 高度: 1.15mm 引脚数: 2Pin