WINSOK
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WST2333
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=6A RDS(ON)=32mΩ@4.5V SOT23N
安装类型: SMT 漏源电流(Idss): -6A 功率耗散: 1W 阈值电压: 500mV@250µA 额定功率: 1W 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 6A 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 封装/外壳: SOT23N 栅极源极击穿电压: ±8V 反向传输电容Crss: 187pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 27.3nC 配置: 单路 输入电容: 1.025nF Vgs(Max): ±8V 漏源电压(Vdss): 20V 高度: 1.15mm 晶体管类型: P沟道 类型: 1个P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=6A RDS(ON)=32mΩ@4.5V SOT23N
安装类型: SMT 漏源电流(Idss): -6A 功率耗散: 1W 阈值电压: 500mV@250µA 额定功率: 1W 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 6A 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 封装/外壳: SOT23N 栅极源极击穿电压: ±8V 反向传输电容Crss: 187pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 27.3nC 配置: 单路 输入电容: 1.025nF Vgs(Max): ±8V 漏源电压(Vdss): 20V 高度: 1.15mm 晶体管类型: P沟道 类型: 1个P沟道
WST6008
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFET SOT523 N-Channel ID=300mA
安装类型: SMT 品牌: Winsok 漏源电流(Idss): 0.154A 击穿电压: 30V 阈值电压: 1V@100µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 300mA 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 1.70 x 0.90mm 封装/外壳: SOT-523-3 栅极源极击穿电压: ±10V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 Vgs(Max): ±10V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 0.90mm 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFET SOT523 N-Channel ID=300mA
安装类型: SMT 品牌: Winsok 漏源电流(Idss): 0.154A 击穿电压: 30V 阈值电压: 1V@100µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 300mA 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 1.70 x 0.90mm 封装/外壳: SOT-523-3 栅极源极击穿电压: ±10V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 Vgs(Max): ±10V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 0.90mm 晶体管类型: N沟道
WSP4068
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=10A RDS(ON)=19mΩ@10V
安装类型: SMT 品牌: Winsok 漏源电流(Idss): 10A 阈值电压: 1.8V@250µA 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 10A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOP-8 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 40V 栅极电荷(Qg): 9.4nC@4.5V 高度: 1.75mm 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=10A RDS(ON)=19mΩ@10V
安装类型: SMT 品牌: Winsok 漏源电流(Idss): 10A 阈值电压: 1.8V@250µA 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 10A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOP-8 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 40V 栅极电荷(Qg): 9.4nC@4.5V 高度: 1.75mm 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道 引脚数: 8Pin
WSE9968
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFET SOT89 N-Channel ID=4.2A
安装类型: SMT 功率耗散: 3.5W 阈值电压: 1.5V@250µA 额定功率: 3.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 80mΩ@10V,4A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 4.2A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT89-3 反向传输电容Crss: 24pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 16nC 配置: 单路 Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 100V 栅极电荷(Qg): 16nC@10V 高度: 1.50mm 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFET SOT89 N-Channel ID=4.2A
安装类型: SMT 功率耗散: 3.5W 阈值电压: 1.5V@250µA 额定功率: 3.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 80mΩ@10V,4A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 4.2A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT89-3 反向传输电容Crss: 24pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 16nC 配置: 单路 Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 100V 栅极电荷(Qg): 16nC@10V 高度: 1.50mm 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道 引脚数: 3Pin
WST6004
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N-Channel Vdss=20V SOT-523
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 漏源电流(Idss): 0.6A 击穿电压: 20V 阈值电压: 1V@250µA 额定功率: 175mW 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD. 包装: Tube packing 连续漏极电流: 600mA 封装/外壳: SOT-523-3 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±8V 反向传输电容Crss: 16pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 Vgs(Max): ±8V 漏源电压(Vdss): 20V 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N-Channel Vdss=20V SOT-523
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 漏源电流(Idss): 0.6A 击穿电压: 20V 阈值电压: 1V@250µA 额定功率: 175mW 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD. 包装: Tube packing 连续漏极电流: 600mA 封装/外壳: SOT-523-3 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±8V 反向传输电容Crss: 16pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 Vgs(Max): ±8V 漏源电压(Vdss): 20V 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
WSD3810DN
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs DFN8_3X3MM_EP ID=18A VDS=30V
安装类型: SMT 击穿电压: 30V 阈值电压: 1.6V@250μA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 18A 封装/外壳: DFN8_3X3MM_EP 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 22pF 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 8nC 配置: 单路 原产国家: China 输入电容: 455pF Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 30V 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs DFN8_3X3MM_EP ID=18A VDS=30V
安装类型: SMT 击穿电压: 30V 阈值电压: 1.6V@250μA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 18A 封装/外壳: DFN8_3X3MM_EP 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 22pF 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 8nC 配置: 单路 原产国家: China 输入电容: 455pF Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 30V 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
WSF40N10A
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=31A RDS(ON)=55mΩ@10V TO252
安装类型: SMT 品牌: Winsok 漏源电流(Idss): 31A 功率耗散: 44.6W 阈值电压: 1.5V@250µA 额定功率: 52.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 55mΩ@10V,12A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 31A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: TO-252(DPAK) 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 13.5nC 配置: 单路 Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 100V 高度: 2.40mm 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=31A RDS(ON)=55mΩ@10V TO252
安装类型: SMT 品牌: Winsok 漏源电流(Idss): 31A 功率耗散: 44.6W 阈值电压: 1.5V@250µA 额定功率: 52.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 55mΩ@10V,12A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 31A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: TO-252(DPAK) 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 13.5nC 配置: 单路 Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 100V 高度: 2.40mm 晶体管类型: N沟道
WSP4812
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs 2N-Channel VDS=30V VGS=±20V SOP8
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 2W 阈值电压: 1.8V@250μA 额定功率: 2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 20mΩ@10V,8A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 8A 长x宽/尺寸: 6.20 x 5.00mm 封装/外壳: SOP-8 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 8.4nC 配置: 单路 输入电容: 701pF Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 8.4nC 晶体管类型: 2个N沟道(双) 类型: 2个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs 2N-Channel VDS=30V VGS=±20V SOP8
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 2W 阈值电压: 1.8V@250μA 额定功率: 2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 20mΩ@10V,8A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 8A 长x宽/尺寸: 6.20 x 5.00mm 封装/外壳: SOP-8 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 8.4nC 配置: 单路 输入电容: 701pF Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 8.4nC 晶体管类型: 2个N沟道(双) 类型: 2个N沟道
WST2301
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.9A 功率(Pd)：1W
安装类型: SMT 功率耗散: 1W 阈值电压: -0.5V@250uA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 2.9A 封装/外壳: SOT23N 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 42pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 5.6nC 配置: 单路 Vgs(Max): ±12V 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 5.6nC@4.5V 高度: 1.15mm 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道 类型: 1个P沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.9A 功率(Pd)：1W
安装类型: SMT 功率耗散: 1W 阈值电压: -0.5V@250uA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 2.9A 封装/外壳: SOT23N 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 42pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 5.6nC 配置: 单路 Vgs(Max): ±12V 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 5.6nC@4.5V 高度: 1.15mm 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道 类型: 1个P沟道 引脚数: 3Pin
WSP6047
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs P-Channel VDS=-60V VGS=±20V SOP8
安装类型: SMT 功率耗散: 2W 阈值电压: -1.74V@250uA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 64mΩ@10V,4A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 4A 长x宽/尺寸: 6.20 x 5.00mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOP-8 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 60pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 23nC 配置: 单路 输入电容: 1.135nF Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 23nC@10V 晶体管类型: N沟道和P沟道互补型 类型: 1个P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs P-Channel VDS=-60V VGS=±20V SOP8
安装类型: SMT 功率耗散: 2W 阈值电压: -1.74V@250uA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 64mΩ@10V,4A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 4A 长x宽/尺寸: 6.20 x 5.00mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOP-8 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 60pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 23nC 配置: 单路 输入电容: 1.135nF Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 23nC@10V 晶体管类型: N沟道和P沟道互补型 类型: 1个P沟道