WINSOK
商品列表
WST2333
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：SOT-23N FET类型：P-Channel 栅极电压Vgs：1V@250uA 漏源极电压Vds：12V 连续漏极电流Id：6A(Tc)
安装类型: SMT 功率耗散: 1W 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 阈值电压Vgs(th): 500mV@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 6A 包装: Tape/reel 漏源击穿电压BVDSS: 20V 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 封装/外壳: SOT23N 栅极源极击穿电压: ±8V 反向传输电容Crss: 187pF 工作温度: -55℃~+150℃ 漏极电流Idss: -6A 充电电量: 27.3nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 32mΩ 原产国家: China 漏源电压(Vdss): 20V 高度: 1.15mm 晶体管类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：SOT-23N FET类型：P-Channel 栅极电压Vgs：1V@250uA 漏源极电压Vds：12V 连续漏极电流Id：6A(Tc)
安装类型: SMT 功率耗散: 1W 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 阈值电压Vgs(th): 500mV@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 6A 包装: Tape/reel 漏源击穿电压BVDSS: 20V 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 封装/外壳: SOT23N 栅极源极击穿电压: ±8V 反向传输电容Crss: 187pF 工作温度: -55℃~+150℃ 漏极电流Idss: -6A 充电电量: 27.3nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 32mΩ 原产国家: China 漏源电压(Vdss): 20V 高度: 1.15mm 晶体管类型: P沟道
WST6008
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：SOT-523 FET类型：N-Channel 栅极电压Vgs：±10V 漏源极电压Vds：30V 连续漏极电流Id：0.18A
安装类型: SMT 功率耗散: 300mW 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 阈值电压Vgs(th): 1V@100µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 300mA 漏源击穿电压BVDSS: 30V 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT523 栅极源极击穿电压: ±10V 输入电容Ciss: 180pF 反向传输电容Crss: 20pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 漏极电流Idss: 0.154A 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 140mΩ 原产国家: China 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：SOT-523 FET类型：N-Channel 栅极电压Vgs：±10V 漏源极电压Vds：30V 连续漏极电流Id：0.18A
安装类型: SMT 功率耗散: 300mW 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 阈值电压Vgs(th): 1V@100µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 300mA 漏源击穿电压BVDSS: 30V 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT523 栅极源极击穿电压: ±10V 输入电容Ciss: 180pF 反向传输电容Crss: 20pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 漏极电流Idss: 0.154A 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 140mΩ 原产国家: China 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 晶体管类型: N沟道
WSP4068
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：SOP-8 FET类型：N-Channel 栅极电压Vgs：±20V 漏源极电压Vds：40V 连续漏极电流Id：11A
安装类型: SMT 品牌: Winsok 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 阈值电压Vgs(th): 1.8V@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 10A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 40V 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOP8_150MIL 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 漏极电流Idss: 10A 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 19mΩ 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 40V 高度: 1.75mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：SOP-8 FET类型：N-Channel 栅极电压Vgs：±20V 漏源极电压Vds：40V 连续漏极电流Id：11A
安装类型: SMT 品牌: Winsok 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 阈值电压Vgs(th): 1.8V@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 10A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 40V 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOP8_150MIL 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 漏极电流Idss: 10A 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 19mΩ 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 40V 高度: 1.75mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin
WSE9968
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：SOT-89 FET类型：N-Channel 工作温度：-55℃~150℃ 栅极电压Vgs：±20V 漏源极电压Vds：100V
安装类型: SMT 功率耗散: 3.5W 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 阈值电压Vgs(th): 1.5V@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 4.2A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 100V 封装/外壳: SOT89 栅极源极击穿电压: ±20V 输入电容Ciss: 740pF 反向传输电容Crss: 24pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 16nC 配置: 单路 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 80mΩ 最小包装: 1000pcs 漏源电压(Vdss): 100V 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：SOT-89 FET类型：N-Channel 工作温度：-55℃~150℃ 栅极电压Vgs：±20V 漏源极电压Vds：100V
安装类型: SMT 功率耗散: 3.5W 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 阈值电压Vgs(th): 1.5V@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 4.2A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 100V 封装/外壳: SOT89 栅极源极击穿电压: ±20V 输入电容Ciss: 740pF 反向传输电容Crss: 24pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 16nC 配置: 单路 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 80mΩ 最小包装: 1000pcs 漏源电压(Vdss): 100V 晶体管类型: N沟道
WST6004
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：SOT-523 FET类型：N-Channel 栅极电压Vgs：±8V 漏源极电压Vds：20V 连续漏极电流Id：0.7A
安装类型: SMT 品牌: Winsok 阈值电压Vgs(th): 1V@250µA 包装: Tube packing 连续漏极电流Id@25℃: 600mA 极性: N-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 20V 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 1.70 x 0.90mm 封装/外壳: SOT523 漏极电流Idss: 0.6A 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 应用等级: Consumer 漏源电压(Vdss): 20V 认证信息: RoHS 高度: 1.15mm 晶体管类型: N沟道 应用: Consumer 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：SOT-523 FET类型：N-Channel 栅极电压Vgs：±8V 漏源极电压Vds：20V 连续漏极电流Id：0.7A
安装类型: SMT 品牌: Winsok 阈值电压Vgs(th): 1V@250µA 包装: Tube packing 连续漏极电流Id@25℃: 600mA 极性: N-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 20V 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 1.70 x 0.90mm 封装/外壳: SOT523 漏极电流Idss: 0.6A 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 应用等级: Consumer 漏源电压(Vdss): 20V 认证信息: RoHS 高度: 1.15mm 晶体管类型: N沟道 应用: Consumer 引脚数: 3Pin
WSD3810DN
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：DFN3X3-8 FET类型：Dual N-Channel 栅极电压Vgs：20V 漏源极电压Vds：30V 连续漏极电流Id：18A
安装类型: SMT 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 阈值电压Vgs(th): 1.6V@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 18A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: DFN8_3X3MM_EP 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 22pF 输入电容Ciss: 455pF 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 8nC 配置: 单路 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 10.8mΩ 漏源电压(Vdss): 30V 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：DFN3X3-8 FET类型：Dual N-Channel 栅极电压Vgs：20V 漏源极电压Vds：30V 连续漏极电流Id：18A
安装类型: SMT 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 阈值电压Vgs(th): 1.6V@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 18A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: DFN8_3X3MM_EP 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 22pF 输入电容Ciss: 455pF 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 8nC 配置: 单路 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 10.8mΩ 漏源电压(Vdss): 30V 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
WSF40N10A
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：TO-252-2L FET类型：N-Channel 栅极电压Vgs：2.5V@250uA 漏源极电压Vds：100V 连续漏极电流Id：31A(Tc)
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 44.6W 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 阈值电压Vgs(th): 1.5V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 31A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: TO252 输入电容Ciss: 3.84nF 反向传输电容Crss: 80pF 漏极电流Idss: 31A 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 13.5nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 55mΩ 原产国家: China 漏源电压(Vdss): 100V 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：TO-252-2L FET类型：N-Channel 栅极电压Vgs：2.5V@250uA 漏源极电压Vds：100V 连续漏极电流Id：31A(Tc)
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 44.6W 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 阈值电压Vgs(th): 1.5V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 31A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: TO252 输入电容Ciss: 3.84nF 反向传输电容Crss: 80pF 漏极电流Idss: 31A 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 13.5nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 55mΩ 原产国家: China 漏源电压(Vdss): 100V 晶体管类型: N沟道
WSP4812
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：SOP-8 FET类型：P-Channel 栅极电压Vgs：2.5V @ 250uA 漏源极电压Vds：30V 连续漏极电流Id：13A(Tc)
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 2W 额定功率: 2W 连续漏极电流Id@25℃: 8A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 长x宽/尺寸: 6.20 x 5.00mm 封装/外壳: SOP8 栅极源极击穿电压: ±20V 输入电容Ciss: 701pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 8.4nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 32mΩ 栅极电荷(Qg)(Max): 8.4nC 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 晶体管类型: 2个N沟道(双)
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：SOP-8 FET类型：P-Channel 栅极电压Vgs：2.5V @ 250uA 漏源极电压Vds：30V 连续漏极电流Id：13A(Tc)
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 2W 额定功率: 2W 连续漏极电流Id@25℃: 8A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 长x宽/尺寸: 6.20 x 5.00mm 封装/外壳: SOP8 栅极源极击穿电压: ±20V 输入电容Ciss: 701pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 8.4nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 32mΩ 栅极电荷(Qg)(Max): 8.4nC 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 晶体管类型: 2个N沟道(双)
WST2301
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：SOT-23N FET类型：P-Channel 栅极电压Vgs：12V 漏源极电压Vds：-20V 连续漏极电流Id：-2.9A
安装类型: SMT 功率耗散: 1W 阈值电压Vgs(th): -0.5V@250uA 连续漏极电流Id@25℃: 2.9A 包装: Tape/reel 封装/外壳: SOT23N 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 42pF 输入电容Ciss: 332pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 5.6nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 185mΩ 原产国家: China 漏源电压(Vdss): 20V 高度: 1.15mm 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：SOT-23N FET类型：P-Channel 栅极电压Vgs：12V 漏源极电压Vds：-20V 连续漏极电流Id：-2.9A
安装类型: SMT 功率耗散: 1W 阈值电压Vgs(th): -0.5V@250uA 连续漏极电流Id@25℃: 2.9A 包装: Tape/reel 封装/外壳: SOT23N 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 42pF 输入电容Ciss: 332pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 5.6nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 185mΩ 原产国家: China 漏源电压(Vdss): 20V 高度: 1.15mm 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin
WSP6047
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：SOP-8 FET类型：P-Channel 栅极电压Vgs：20V 漏源极电压Vds：-60V 连续漏极电流Id：-4A
安装类型: SMT 功率耗散: 2W 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 阈值电压Vgs(th): -1.74V@250uA 连续漏极电流Id@25℃: 4A 包装: Tape/reel 漏源击穿电压BVDSS: 60V 长x宽/尺寸: 6.20 x 5.00mm 封装/外壳: SOP8 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 60pF 输入电容Ciss: 1.135nF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 23nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 80mΩ 原产国家: China 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 60V 晶体管类型: N沟道和P沟道互补型
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：SOP-8 FET类型：P-Channel 栅极电压Vgs：20V 漏源极电压Vds：-60V 连续漏极电流Id：-4A
安装类型: SMT 功率耗散: 2W 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 阈值电压Vgs(th): -1.74V@250uA 连续漏极电流Id@25℃: 4A 包装: Tape/reel 漏源击穿电压BVDSS: 60V 长x宽/尺寸: 6.20 x 5.00mm 封装/外壳: SOP8 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 60pF 输入电容Ciss: 1.135nF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 23nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 80mΩ 原产国家: China 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 60V 晶体管类型: N沟道和P沟道互补型