WINSOK
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WSP4445
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=40V VGS=±25V ID=16.7A RDS(ON)=10mΩ@10V SOP8_150MIL
安装类型: SMT 漏源电流(Idss): -16.7A 功率耗散: 4.2W 阈值电压: 2V@250µA 额定功率: 4.2W 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 16.7A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOP-8 反向传输电容Crss: 325pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 60nC 配置: 单路 原产国家: China 输入电容: 2.764nF Vgs(Max): ±25V 漏源电压(Vdss): 40V 栅极电荷(Qg): 60nC@10V 晶体管类型: P沟道 类型: 1个P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=40V VGS=±25V ID=16.7A RDS(ON)=10mΩ@10V SOP8_150MIL
安装类型: SMT 漏源电流(Idss): -16.7A 功率耗散: 4.2W 阈值电压: 2V@250µA 额定功率: 4.2W 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 16.7A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOP-8 反向传输电容Crss: 325pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 60nC 配置: 单路 原产国家: China 输入电容: 2.764nF Vgs(Max): ±25V 漏源电压(Vdss): 40V 栅极电荷(Qg): 60nC@10V 晶体管类型: P沟道 类型: 1个P沟道
WSD14N10DN
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：14A 功率(Pd)：17W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：110mΩ@10V
安装类型: SMT 品牌: Winsok 阈值电压: 2V@250µA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 160mΩ 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 14A 长x宽/尺寸: 3.10 x 3.10mm 封装/外壳: DFN-8(3x3) 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 4.3nC 配置: 单路 原产国家: China Vgs(Max): ±20V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 100V 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 5Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：14A 功率(Pd)：17W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：110mΩ@10V
安装类型: SMT 品牌: Winsok 阈值电压: 2V@250µA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 160mΩ 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 14A 长x宽/尺寸: 3.10 x 3.10mm 封装/外壳: DFN-8(3x3) 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 4.3nC 配置: 单路 原产国家: China Vgs(Max): ±20V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 100V 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 5Pin
WSP4409A
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=-30V VGS=±20V SOP8
安装类型: SMT 功率耗散: 2.5W 阈值电压: 2.7V@250μA 额定功率: 2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 8mΩ@10V,15A 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 15A 长x宽/尺寸: 6.20 x 5.00mm 封装/外壳: SOP-8 反向传输电容Crss: 645pF@15V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 输入电容: 3.5nF Vgs(Max): ±20V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 72nC 晶体管类型: P沟道 类型: 1个P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=-30V VGS=±20V SOP8
安装类型: SMT 功率耗散: 2.5W 阈值电压: 2.7V@250μA 额定功率: 2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 8mΩ@10V,15A 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 15A 长x宽/尺寸: 6.20 x 5.00mm 封装/外壳: SOP-8 反向传输电容Crss: 645pF@15V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 输入电容: 3.5nF Vgs(Max): ±20V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 72nC 晶体管类型: P沟道 类型: 1个P沟道
WSR80P06
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=50A RDS(ON)=18mΩ@10V TO220AB-3
安装类型: 插件 是否无铅: Yes 击穿电压: 60V 阈值电压: 3V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD. 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 18mΩ 包装: Tube packing 连续漏极电流: 50A 封装/外壳: TO220AB-3 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 141pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 25nC 配置: 单路 原产国家: China Taiwan Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 60V 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=50A RDS(ON)=18mΩ@10V TO220AB-3
安装类型: 插件 是否无铅: Yes 击穿电压: 60V 阈值电压: 3V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD. 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 18mΩ 包装: Tube packing 连续漏极电流: 50A 封装/外壳: TO220AB-3 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 141pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 25nC 配置: 单路 原产国家: China Taiwan Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 60V 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道
WSC40N06
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：53W
安装类型: 插件 品牌: Winsok 功率耗散: 3.5W 阈值电压: 2.5V@250µA 额定功率: 53W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 20mΩ@10V,20A 包装: Tube packing 极性: N-沟道 连续漏极电流: 50A 长x宽/尺寸: 6.60 x 2.30mm 封装/外壳: TO-251-3 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 28nC@4.5V 高度: 6.10mm 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：53W
安装类型: 插件 品牌: Winsok 功率耗散: 3.5W 阈值电压: 2.5V@250µA 额定功率: 53W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 20mΩ@10V,20A 包装: Tube packing 极性: N-沟道 连续漏极电流: 50A 长x宽/尺寸: 6.60 x 2.30mm 封装/外壳: TO-251-3 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 28nC@4.5V 高度: 6.10mm 晶体管类型: N沟道
WSD4080DN56
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：85A
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 52.1W 阈值电压: 2.5V@250µA 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 85A 长x宽/尺寸: 5.02 x 5.87mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: DFN5x6-8L 反向传输电容Crss: 175pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 20nC 配置: 单路 输入电容: 2.354nF Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 40V 高度: 1.10mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：85A
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 52.1W 阈值电压: 2.5V@250µA 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 85A 长x宽/尺寸: 5.02 x 5.87mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: DFN5x6-8L 反向传输电容Crss: 175pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 20nC 配置: 单路 输入电容: 2.354nF Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 40V 高度: 1.10mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin
WSD45P10DN56
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：27.5A 功率(Pd)：104W
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 104W 阈值电压: 2.5V@250μA 额定功率: 104W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 62mΩ@10V,20A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 27.5A 封装/外壳: DFN5x6-8L 反向传输电容Crss: 45pF@50V 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 75nC 配置: 单路 输入电容: 2.59nF Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 100V 栅极电荷(Qg): 75nC 晶体管类型: P沟道 类型: 1个P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：27.5A 功率(Pd)：104W
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 104W 阈值电压: 2.5V@250μA 额定功率: 104W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 62mΩ@10V,20A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 27.5A 封装/外壳: DFN5x6-8L 反向传输电容Crss: 45pF@50V 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 75nC 配置: 单路 输入电容: 2.59nF Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 100V 栅极电荷(Qg): 75nC 晶体管类型: P沟道 类型: 1个P沟道
WST6003
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFET SOT523 P-Channel ID=350mA
安装类型: SMT 漏源电流(Idss): -0.35A 击穿电压: 20V 功率耗散: 150mW 阈值电压: 450mV@250µA（最小） 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 1.2Ω 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 350mA 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-523-3 栅极源极击穿电压: ±6V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 3nC 配置: 单路 原产国家: China Vgs(Max): ±6V 漏源电压(Vdss): 20V 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFET SOT523 P-Channel ID=350mA
安装类型: SMT 漏源电流(Idss): -0.35A 击穿电压: 20V 功率耗散: 150mW 阈值电压: 450mV@250µA（最小） 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 1.2Ω 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 350mA 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-523-3 栅极源极击穿电压: ±6V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 3nC 配置: 单路 原产国家: China Vgs(Max): ±6V 漏源电压(Vdss): 20V 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin
WSF3036
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：36A 功率(Pd)：22W
安装类型: SMT 品牌: Winsok 击穿电压: 30V 阈值电压: 1.5V@250uA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 25mΩ 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 36A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: TO-252(DPAK) 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 输入电容: 530pF Vgs(Max): ±20V 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 30V 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：36A 功率(Pd)：22W
安装类型: SMT 品牌: Winsok 击穿电压: 30V 阈值电压: 1.5V@250uA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 25mΩ 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 36A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: TO-252(DPAK) 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 输入电容: 530pF Vgs(Max): ±20V 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 30V 晶体管类型: N沟道
WSP4982
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs 2N-Channel VDS=40V VGS=±20V SOP8
安装类型: SMT 击穿电压: 40V 功率耗散: 1.28W 阈值电压: 1.6V@250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 24mΩ@10V,6A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 7A 长x宽/尺寸: 6.20 x 5.00mm 封装/外壳: SOP-8 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 60pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 7.5nC 配置: 单路 原产国家: China Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 40V 栅极电荷(Qg): 7.5nC@4.5V 晶体管类型: 2个N沟道(双) 类型: 2个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs 2N-Channel VDS=40V VGS=±20V SOP8
安装类型: SMT 击穿电压: 40V 功率耗散: 1.28W 阈值电压: 1.6V@250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 24mΩ@10V,6A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 7A 长x宽/尺寸: 6.20 x 5.00mm 封装/外壳: SOP-8 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 60pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 7.5nC 配置: 单路 原产国家: China Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 40V 栅极电荷(Qg): 7.5nC@4.5V 晶体管类型: 2个N沟道(双) 类型: 2个N沟道