WINSOK
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WSD30L30DN
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=32A RDS(ON)=19mΩ@10V
安装类型: SMT 漏源电流(Idss): -32A 击穿电压: 30V 阈值电压: 1.8V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 32A 长x宽/尺寸: 3.00 x 3.00mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: DFN-8(3x3) 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China Vgs(Max): ±20V 最小包装: 5000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 1.00mm 晶体管类型: P沟道 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=32A RDS(ON)=19mΩ@10V
安装类型: SMT 漏源电流(Idss): -32A 击穿电压: 30V 阈值电压: 1.8V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 32A 长x宽/尺寸: 3.00 x 3.00mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: DFN-8(3x3) 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China Vgs(Max): ±20V 最小包装: 5000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 1.00mm 晶体管类型: P沟道 引脚数: 8Pin
WSF3036A
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：32A 功率(Pd)：18W
安装类型: SMT 品牌: Winsok 击穿电压: 30V 阈值电压: 1.5V@250uA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 32A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO-252(DPAK) 输入电容(Ci): 510pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China Taiwan Vgs(Max): ±20V 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 6.9nC@4.5V 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：32A 功率(Pd)：18W
安装类型: SMT 品牌: Winsok 击穿电压: 30V 阈值电压: 1.5V@250uA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 32A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO-252(DPAK) 输入电容(Ci): 510pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China Taiwan Vgs(Max): ±20V 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 6.9nC@4.5V 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
WSD4098DN56
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 Dual N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=22A RDS(ON)=7.8mΩ@10V
安装类型: SMT 品牌: Winsok 击穿电压: 40V 阈值电压: 1.8V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD. 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 22A 封装/外壳: DFN-8(5x6) 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 双路 原产国家: China Taiwan Vgs(Max): ±20V 最小包装: 5000pcs 漏源电压(Vdss): 40V 导通电阻(RDS(on): 6.8mΩ@10V,14A 栅极电荷(Qg): 22nC@4.5V 零件状态: Active 晶体管类型: 2个N沟道(双)
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 Dual N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=22A RDS(ON)=7.8mΩ@10V
安装类型: SMT 品牌: Winsok 击穿电压: 40V 阈值电压: 1.8V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD. 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 22A 封装/外壳: DFN-8(5x6) 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 双路 原产国家: China Taiwan Vgs(Max): ±20V 最小包装: 5000pcs 漏源电压(Vdss): 40V 导通电阻(RDS(on): 6.8mΩ@10V,14A 栅极电荷(Qg): 22nC@4.5V 零件状态: Active 晶体管类型: 2个N沟道(双)
WSP8810
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 Dual N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=7.5A RDS(ON)=14.5mΩ@10V TSSOP8
安装类型: SMT 品牌: Winsok 漏源电流(Idss): 7.5A 功率耗散: 1.25W 阈值电压: 700mV@250µA 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 7.5A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.00 x 4.40mm 封装/外壳: TSSOP8_3X4.4MM 输入电容(Ci): 900pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 13.5nC 配置: 双路 Vgs(Max): ±12V 漏源电压(Vdss): 20V 高度: 1.20mm 晶体管类型: 2个N沟道(双) 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 Dual N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=7.5A RDS(ON)=14.5mΩ@10V TSSOP8
安装类型: SMT 品牌: Winsok 漏源电流(Idss): 7.5A 功率耗散: 1.25W 阈值电压: 700mV@250µA 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 7.5A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.00 x 4.40mm 封装/外壳: TSSOP8_3X4.4MM 输入电容(Ci): 900pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 13.5nC 配置: 双路 Vgs(Max): ±12V 漏源电压(Vdss): 20V 高度: 1.20mm 晶体管类型: 2个N沟道(双) 引脚数: 8Pin
WSK200N08A
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=80V VGS=±25V ID=200A RDS(ON)=4mΩ@10V TO263
安装类型: SMT 漏源电流(Idss): 200A 击穿电压: 80V 阈值电压: 3V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 200A 长x宽/尺寸: 10.16 x 8.70mm 封装/外壳: TO-263(D²Pak) 栅极源极击穿电压: ±25V 反向传输电容Crss: 650pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 197nC 配置: 单路 原产国家: China Taiwan Vgs(Max): ±25V 漏源电压(Vdss): 80V 栅极电荷(Qg): 197nC@10V 高度: 4.67mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=80V VGS=±25V ID=200A RDS(ON)=4mΩ@10V TO263
安装类型: SMT 漏源电流(Idss): 200A 击穿电压: 80V 阈值电压: 3V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 200A 长x宽/尺寸: 10.16 x 8.70mm 封装/外壳: TO-263(D²Pak) 栅极源极击穿电压: ±25V 反向传输电容Crss: 650pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 197nC 配置: 单路 原产国家: China Taiwan Vgs(Max): ±25V 漏源电压(Vdss): 80V 栅极电荷(Qg): 197nC@10V 高度: 4.67mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
WSF10N40
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：400V 连续漏极电流(Id)：40A 功率(Pd)：56W
安装类型: SMT 品牌: Winsok 击穿电压: 400V 阈值电压: 4V@250uA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 40A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 6.70 x 6.20mm 封装/外壳: TO-252(DPAK) 输入电容(Ci): 740pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China Vgs(Max): ±20V 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 400V 导通电阻(RDS(on): 1.1Ω 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：400V 连续漏极电流(Id)：40A 功率(Pd)：56W
安装类型: SMT 品牌: Winsok 击穿电压: 400V 阈值电压: 4V@250uA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 40A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 6.70 x 6.20mm 封装/外壳: TO-252(DPAK) 输入电容(Ci): 740pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China Vgs(Max): ±20V 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 400V 导通电阻(RDS(on): 1.1Ω 晶体管类型: N沟道
WSD30160DN56
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=120A RDS(ON)=2.5mΩ@10V
安装类型: SMT 漏源电流(Idss): 120A 功率耗散: 62.5W 阈值电压: 1.7V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 120A 长x宽/尺寸: 4.90 x 5.75mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: DFN-8(5x6) 输入电容(Ci): 4.9nF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 38nC 配置: 单路 Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 2.5mΩ@10V 高度: 1.17mm 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=120A RDS(ON)=2.5mΩ@10V
安装类型: SMT 漏源电流(Idss): 120A 功率耗散: 62.5W 阈值电压: 1.7V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 120A 长x宽/尺寸: 4.90 x 5.75mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: DFN-8(5x6) 输入电容(Ci): 4.9nF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 38nC 配置: 单路 Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 2.5mΩ@10V 高度: 1.17mm 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道 引脚数: 8Pin
WSF40P06
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：17A 功率(Pd)：27W
安装类型: SMT 功率耗散: 27W 阈值电压: 1.8V@250μA 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 17A 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: TO-252(DPAK) 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 81pF@25V 输入电容(Ci): 1.485nF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 Vgs(Max): ±20V 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 60V 导通电阻(RDS(on): 55mΩ@10V,15A 栅极电荷(Qg): 25.3nC 高度: 2.40mm 晶体管类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：17A 功率(Pd)：27W
安装类型: SMT 功率耗散: 27W 阈值电压: 1.8V@250μA 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 17A 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: TO-252(DPAK) 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 81pF@25V 输入电容(Ci): 1.485nF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 Vgs(Max): ±20V 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 60V 导通电阻(RDS(on): 55mΩ@10V,15A 栅极电荷(Qg): 25.3nC 高度: 2.40mm 晶体管类型: P沟道
WSP8212
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 Dual N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=11A RDS(ON)=13mΩ@10V SOP8_150MIL
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: Winsok 漏源电流(Idss): 11A 功率耗散: 1.5W 阈值电压: 720mV@250µA 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 11A 封装/外壳: SOP-8 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 双路 Vgs(Max): ±12V 漏源电压(Vdss): 20V 导通电阻(RDS(on): 13mΩ 高度: 1.75mm 晶体管类型: 2个N沟道(双) 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 Dual N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=11A RDS(ON)=13mΩ@10V SOP8_150MIL
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: Winsok 漏源电流(Idss): 11A 功率耗散: 1.5W 阈值电压: 720mV@250µA 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 11A 封装/外壳: SOP-8 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 双路 Vgs(Max): ±12V 漏源电压(Vdss): 20V 导通电阻(RDS(on): 13mΩ 高度: 1.75mm 晶体管类型: 2个N沟道(双) 引脚数: 8Pin
WSD3060DN
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=60A RDS(ON)=5.7mΩ@10V
安装类型: SMT 品牌: Winsok 漏源电流(Idss): 60A 功率耗散: 50W 阈值电压: 1.8V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 60A 长x宽/尺寸: 3.00 x 3.00mm 封装/外壳: DFN-8(3x3) 输入电容(Ci): 1.5nF 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China Vgs(Max): ±20V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 1.00mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=60A RDS(ON)=5.7mΩ@10V
安装类型: SMT 品牌: Winsok 漏源电流(Idss): 60A 功率耗散: 50W 阈值电压: 1.8V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 60A 长x宽/尺寸: 3.00 x 3.00mm 封装/外壳: DFN-8(3x3) 输入电容(Ci): 1.5nF 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China Vgs(Max): ±20V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 1.00mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin