WINSOK
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WSD30L30DN
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=32A RDS(ON)=19mΩ@10V
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 29.8W 阈值电压: 1.8V@250µA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 19mΩ 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 32A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.00 x 3.00mm 封装/外壳: DFN8_3X3MM 漏极电流: -32A 反向传输电容Crss: 170pF 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 输入电容: 1nF 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 1.00mm 晶体管类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=32A RDS(ON)=19mΩ@10V
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 29.8W 阈值电压: 1.8V@250µA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 19mΩ 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 32A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.00 x 3.00mm 封装/外壳: DFN8_3X3MM 漏极电流: -32A 反向传输电容Crss: 170pF 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 输入电容: 1nF 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 1.00mm 晶体管类型: P沟道
WSF3036A
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：32A 功率(Pd)：18W
安装类型: SMT 击穿电压: 30V 功率耗散: 18W 阈值电压: 1.5V@250uA 额定功率: 18W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 19mΩ@10V,10A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 32A 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: TO-252(DPAK) 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 44pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 6.9nC 配置: 单路 输入电容: 510pF 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 6.9nC@4.5V 高度: 2.40mm 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：32A 功率(Pd)：18W
安装类型: SMT 击穿电压: 30V 功率耗散: 18W 阈值电压: 1.5V@250uA 额定功率: 18W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 19mΩ@10V,10A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 32A 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: TO-252(DPAK) 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 44pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 6.9nC 配置: 单路 输入电容: 510pF 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 6.9nC@4.5V 高度: 2.40mm 晶体管类型: N沟道
WSD4098DN56
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 Dual N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=22A RDS(ON)=7.8mΩ@10V
安装类型: SMT 品牌: Winsok 击穿电压: 40V 阈值电压: 1.8V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD. 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 6.8mΩ@10V,14A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 22A 封装/外壳: DFN8_4.9X5.75MM 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 96pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 双路 原产国家: China Taiwan 最小包装: 5000pcs 漏源电压(Vdss): 40V 栅极电荷(Qg): 22nC@4.5V 零件状态: Active 晶体管类型: 2个N沟道(双)
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 Dual N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=22A RDS(ON)=7.8mΩ@10V
安装类型: SMT 品牌: Winsok 击穿电压: 40V 阈值电压: 1.8V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD. 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 6.8mΩ@10V,14A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 22A 封装/外壳: DFN8_4.9X5.75MM 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 96pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 双路 原产国家: China Taiwan 最小包装: 5000pcs 漏源电压(Vdss): 40V 栅极电荷(Qg): 22nC@4.5V 零件状态: Active 晶体管类型: 2个N沟道(双)
WSP8810
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 Dual N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=7.5A RDS(ON)=14.5mΩ@10V TSSOP8
安装类型: SMT 品牌: Winsok 击穿电压: 20V 阈值电压: 700mV@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 14.5mΩ 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 7.5A 长x宽/尺寸: 3.00 x 4.40mm 封装/外壳: TSSOP8_3X4.4MM 漏极电流: 7.5A 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 双路 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 高度: 1.20mm 晶体管类型: 2个N沟道(双) 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 Dual N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=7.5A RDS(ON)=14.5mΩ@10V TSSOP8
安装类型: SMT 品牌: Winsok 击穿电压: 20V 阈值电压: 700mV@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 14.5mΩ 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 7.5A 长x宽/尺寸: 3.00 x 4.40mm 封装/外壳: TSSOP8_3X4.4MM 漏极电流: 7.5A 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 双路 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 高度: 1.20mm 晶体管类型: 2个N沟道(双) 引脚数: 8Pin
WSK200N08A
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=80V VGS=±25V ID=200A RDS(ON)=4mΩ@10V TO263
安装类型: SMT 击穿电压: 80V 阈值电压: 3V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 200A 长x宽/尺寸: 10.16 x 8.70mm 封装/外壳: TO-263(D²Pak) 漏极电流: 200A 栅极源极击穿电压: ±25V 反向传输电容Crss: 650pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 197nC 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 漏源电压(Vdss): 80V 栅极电荷(Qg): 197nC@10V 高度: 4.67mm 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=80V VGS=±25V ID=200A RDS(ON)=4mΩ@10V TO263
安装类型: SMT 击穿电压: 80V 阈值电压: 3V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 200A 长x宽/尺寸: 10.16 x 8.70mm 封装/外壳: TO-263(D²Pak) 漏极电流: 200A 栅极源极击穿电压: ±25V 反向传输电容Crss: 650pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 197nC 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 漏源电压(Vdss): 80V 栅极电荷(Qg): 197nC@10V 高度: 4.67mm 晶体管类型: N沟道
WSF10N40
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：400V 连续漏极电流(Id)：40A 功率(Pd)：56W
安装类型: SMT 品牌: Winsok 击穿电压: 400V 功率耗散: 1.5W 阈值电压: 4V@250uA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 1.1Ω 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 40A 长x宽/尺寸: 6.70 x 6.20mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO-252(DPAK) 栅极源极击穿电压: ±25V 反向传输电容Crss: 9pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 25nC 配置: 单路 原产国家: China 输入电容: 740pF 漏源电压(Vdss): 400V 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：400V 连续漏极电流(Id)：40A 功率(Pd)：56W
安装类型: SMT 品牌: Winsok 击穿电压: 400V 功率耗散: 1.5W 阈值电压: 4V@250uA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 1.1Ω 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 40A 长x宽/尺寸: 6.70 x 6.20mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO-252(DPAK) 栅极源极击穿电压: ±25V 反向传输电容Crss: 9pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 25nC 配置: 单路 原产国家: China 输入电容: 740pF 漏源电压(Vdss): 400V 晶体管类型: N沟道
WSD30160DN56
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=120A RDS(ON)=2.5mΩ@10V
安装类型: SMT 击穿电压: 30V 功率耗散: 62.5W 阈值电压: 1.7V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 额定功率: 62.5W 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 120A 长x宽/尺寸: 4.90 x 5.75mm 封装/外壳: DFN8_4.9X5.75MM 漏极电流: 120A 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 530pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 38nC 配置: 单路 原产国家: China 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 1.17mm 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=120A RDS(ON)=2.5mΩ@10V
安装类型: SMT 击穿电压: 30V 功率耗散: 62.5W 阈值电压: 1.7V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 额定功率: 62.5W 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 120A 长x宽/尺寸: 4.90 x 5.75mm 封装/外壳: DFN8_4.9X5.75MM 漏极电流: 120A 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 530pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 38nC 配置: 单路 原产国家: China 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 1.17mm 晶体管类型: N沟道
WSF40P06
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：17A 功率(Pd)：27W
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 27W 阈值电压: 1.8V@250μA 额定功率: 27W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 55mΩ@10V,15A 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 17A 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: TO-252(DPAK) 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 81pF@25V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 25.3nC 晶体管类型: P沟道 类型: 1个P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：17A 功率(Pd)：27W
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 27W 阈值电压: 1.8V@250μA 额定功率: 27W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 55mΩ@10V,15A 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 17A 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: TO-252(DPAK) 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 81pF@25V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 25.3nC 晶体管类型: P沟道 类型: 1个P沟道
WSP8212
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 Dual N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=11A RDS(ON)=13mΩ@10V SOP8_150MIL
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: Winsok 功率耗散: 1.5W 击穿电压: 20V 阈值电压: 720mV@250µA 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 11A 封装/外壳: SOP8_150MIL 元件生命周期: Active 漏极电流: 11A 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 双路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 13mΩ 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 晶体管类型: 2个N沟道(双) 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 Dual N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=11A RDS(ON)=13mΩ@10V SOP8_150MIL
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: Winsok 功率耗散: 1.5W 击穿电压: 20V 阈值电压: 720mV@250µA 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 11A 封装/外壳: SOP8_150MIL 元件生命周期: Active 漏极电流: 11A 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 双路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 13mΩ 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 晶体管类型: 2个N沟道(双) 引脚数: 8Pin
WSD3060DN
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=60A RDS(ON)=5.7mΩ@10V
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 50W 阈值电压: 1.8V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 5.7mΩ 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 60A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.00 x 3.00mm 封装/外壳: DFN8_3X3MM 漏极电流: 60A 反向传输电容Crss: 130pF 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 输入电容: 1.5nF 漏源电压(Vdss): 30V 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=60A RDS(ON)=5.7mΩ@10V
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 50W 阈值电压: 1.8V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 5.7mΩ 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 60A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.00 x 3.00mm 封装/外壳: DFN8_3X3MM 漏极电流: 60A 反向传输电容Crss: 130pF 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 输入电容: 1.5nF 漏源电压(Vdss): 30V 晶体管类型: N沟道