ALLPOWER
商品列表
AP30H100KA
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs TO-252 N-Channel Single
安装类型: SMT 品牌: ALLPOWER 功率耗散: 90W 阈值电压: 3V 原始制造商: Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 100A 封装/外壳: TO-252(DPAK) 元件生命周期: Active 输入电容(Ci): 2.35nF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China 漏源电压(Vdss): 30V 认证信息: RoHS 导通电阻(RDS(on): 4.2mΩ@10V 栅极电荷(Qg): 84nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs TO-252 N-Channel Single
安装类型: SMT 品牌: ALLPOWER 功率耗散: 90W 阈值电压: 3V 原始制造商: Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 100A 封装/外壳: TO-252(DPAK) 元件生命周期: Active 输入电容(Ci): 2.35nF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China 漏源电压(Vdss): 30V 认证信息: RoHS 导通电阻(RDS(on): 4.2mΩ@10V 栅极电荷(Qg): 84nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
AP2312
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs SOT-23 Single N-Channel
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: ALLPOWER 击穿电压: 20V 阈值电压: 1V 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 5A 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.40mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 工作温度: +150℃ 配置: 单路 原产国家: China Vgs(Max): ±8V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 导通电阻(RDS(on): 31.8mΩ@4.5V,5A 高度: 1.15mm 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs SOT-23 Single N-Channel
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: ALLPOWER 击穿电压: 20V 阈值电压: 1V 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 5A 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.40mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 工作温度: +150℃ 配置: 单路 原产国家: China Vgs(Max): ±8V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 导通电阻(RDS(on): 31.8mΩ@4.5V,5A 高度: 1.15mm 类型: 1个N沟道
AP2080KA
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs TO-252 Single N-Channel
安装类型: SMT 品牌: ALLPOWER 功率耗散: 3.13W 阈值电压: 0.9V 原始制造商: Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd. 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 50A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO-252(DPAK) 反向传输电容Crss: 312pF 栅极源极击穿电压: ±12V 输入电容(Ci): 1.1nF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China Vgs(Max): ±12V 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 31nC 零件状态: Active 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs TO-252 Single N-Channel
安装类型: SMT 品牌: ALLPOWER 功率耗散: 3.13W 阈值电压: 0.9V 原始制造商: Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd. 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 50A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO-252(DPAK) 反向传输电容Crss: 312pF 栅极源极击穿电压: ±12V 输入电容(Ci): 1.1nF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China Vgs(Max): ±12V 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 31nC 零件状态: Active 类型: 1个N沟道
AP90N03Q
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：90A 功率(Pd)：46W
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 击穿电压: 30V 功率耗散: 46W 阈值电压: 1.5V 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 90A 长x宽/尺寸: 3.15 x 3.05mm 封装/外壳: PDFN-8(3x3) 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 240pF 工作温度: +150℃ 配置: 单路 最小包装: 5000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 3.6mΩ@10V 栅极电荷(Qg): 42nC 高度: 0.75mm 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：90A 功率(Pd)：46W
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 击穿电压: 30V 功率耗散: 46W 阈值电压: 1.5V 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 90A 长x宽/尺寸: 3.15 x 3.05mm 封装/外壳: PDFN-8(3x3) 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 240pF 工作温度: +150℃ 配置: 单路 最小包装: 5000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 3.6mΩ@10V 栅极电荷(Qg): 42nC 高度: 0.75mm 类型: 1个N沟道
AP2718AB
供应商: Anychip Mall
分类: 麦克风
描述: 麦克风 SMD,2.75x1.85mm 1.6~3.6V 2.75x1.85mm 63dBA
安装类型: SMT 品牌: ALLPOWER 消耗电流: 95μA 频率: 1KHz 原始制造商: Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd 工作电压: 1.6V~3.6V 包装: Tape/Reel 阻抗: 220Ω 长x宽/尺寸: 2.75 x 1.85mm 元件生命周期: Active 封装/外壳: SMD,2.75x1.85mm 方向: 全指向 原产国家: China 最小包装: 5000pcs 高度: 0.90mm 信噪比: 63dBA 零件状态: Active 灵敏度: -38dB
供应商: Anychip Mall
分类: 麦克风
描述: 麦克风 SMD,2.75x1.85mm 1.6~3.6V 2.75x1.85mm 63dBA
安装类型: SMT 品牌: ALLPOWER 消耗电流: 95μA 频率: 1KHz 原始制造商: Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd 工作电压: 1.6V~3.6V 包装: Tape/Reel 阻抗: 220Ω 长x宽/尺寸: 2.75 x 1.85mm 元件生命周期: Active 封装/外壳: SMD,2.75x1.85mm 方向: 全指向 原产国家: China 最小包装: 5000pcs 高度: 0.90mm 信噪比: 63dBA 零件状态: Active 灵敏度: -38dB
AP4008QD
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 2个N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：21W
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: ALLPOWER 阈值电压: 1.6V 原始制造商: Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 20A 封装/外壳: DFN-8(3.3x3.3) 元件生命周期: Active 输入电容(Ci): 1.05nF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China 漏源电压(Vdss): 40V 认证信息: RoHS 栅极电荷(Qg): 11nC 零件状态: Active 晶体管类型: 2个N沟道(双) 类型: 2个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 2个N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：21W
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: ALLPOWER 阈值电压: 1.6V 原始制造商: Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 20A 封装/外壳: DFN-8(3.3x3.3) 元件生命周期: Active 输入电容(Ci): 1.05nF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China 漏源电压(Vdss): 40V 认证信息: RoHS 栅极电荷(Qg): 11nC 零件状态: Active 晶体管类型: 2个N沟道(双) 类型: 2个N沟道
AP30H80K
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs TO-252 N-Channel Single
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: ALLPOWER 阈值电压: 1.6V 原始制造商: Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd. 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 75A 封装/外壳: TO-252(DPAK) 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+175℃ 配置: 单路 原产国家: China 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 30V 认证信息: RoHS 导通电阻(RDS(on): 4.8mΩ@10V 栅极电荷(Qg): 11.1nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs TO-252 N-Channel Single
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: ALLPOWER 阈值电压: 1.6V 原始制造商: Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd. 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 75A 封装/外壳: TO-252(DPAK) 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+175℃ 配置: 单路 原产国家: China 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 30V 认证信息: RoHS 导通电阻(RDS(on): 4.8mΩ@10V 栅极电荷(Qg): 11.1nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
AP2045K
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs TO-252 N-Channel Single VDS=20V VGS=±12V ID=80A
安装类型: SMT 品牌: ALLPOWER 功率耗散: 3.13W 阈值电压: 900mV@250µA 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 80A 长x宽/尺寸: 6.80 x 6.30mm 封装/外壳: TO-252(DPAK) 输入电容(Ci): 4.4nF 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China 漏源电压(Vdss): 20V 认证信息: RoHS 栅极电荷(Qg): 99.2nC 高度: 2.50mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs TO-252 N-Channel Single VDS=20V VGS=±12V ID=80A
安装类型: SMT 品牌: ALLPOWER 功率耗散: 3.13W 阈值电压: 900mV@250µA 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 80A 长x宽/尺寸: 6.80 x 6.30mm 封装/外壳: TO-252(DPAK) 输入电容(Ci): 4.4nF 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China 漏源电压(Vdss): 20V 认证信息: RoHS 栅极电荷(Qg): 99.2nC 高度: 2.50mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
AP2302
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: SOT23 350mW
安装类型: SMT 品牌: ALLPOWER 功率耗散: 350mW 击穿电压: 20V 阈值电压: 1.2V 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 4A 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.30mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 工作温度: +150℃ 配置: 单路 原产国家: China Vgs(Max): ±10V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 4nC 高度: 1.00mm 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: SOT23 350mW
安装类型: SMT 品牌: ALLPOWER 功率耗散: 350mW 击穿电压: 20V 阈值电压: 1.2V 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 4A 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.30mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 工作温度: +150℃ 配置: 单路 原产国家: China Vgs(Max): ±10V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 4nC 高度: 1.00mm 类型: 1个N沟道
AP15P03Q
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs P-沟道 30V 12A PDFN-8(3x3)
安装类型: SMT 品牌: ALLPOWER 功率耗散: 4.8W 阈值电压: 1V 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 12A 长x宽/尺寸: 3.15 x 3.05mm 封装/外壳: PDFN-8(3x3) 反向传输电容Crss: 278pF 输入电容(Ci): 1.55nF 工作温度: -55℃~+150℃ Vgs(Max): ±20V 最小包装: 5000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 35mΩ 栅极电荷(Qg): 60nC 高度: 1.00mm 引脚数: 8Pin 类型: 1个P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs P-沟道 30V 12A PDFN-8(3x3)
安装类型: SMT 品牌: ALLPOWER 功率耗散: 4.8W 阈值电压: 1V 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 12A 长x宽/尺寸: 3.15 x 3.05mm 封装/外壳: PDFN-8(3x3) 反向传输电容Crss: 278pF 输入电容(Ci): 1.55nF 工作温度: -55℃~+150℃ Vgs(Max): ±20V 最小包装: 5000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 35mΩ 栅极电荷(Qg): 60nC 高度: 1.00mm 引脚数: 8Pin 类型: 1个P沟道