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AP4606C
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 1个N沟道和1个P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6.5/-5.8A 功率(Pd)：15W
安装类型: SMT 功率耗散: 2W 阈值电压: 700mV 极性: N-沟道,P-沟道 连续漏极电流: 5.2A,3A 长x宽/尺寸: 5.10 x 4.00mm 封装/外壳: SO-8 输入电容(Ci): 640pF 工作温度: -55℃~+150℃ 漏源电压(Vdss): 20V 导通电阻(RDS(on): 37mΩ 栅极电荷(Qg): 10nC 高度: 1.75mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道和P沟道互补型 类型: 1个N沟道+1个P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 1个N沟道和1个P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6.5/-5.8A 功率(Pd)：15W
安装类型: SMT 功率耗散: 2W 阈值电压: 700mV 极性: N-沟道,P-沟道 连续漏极电流: 5.2A,3A 长x宽/尺寸: 5.10 x 4.00mm 封装/外壳: SO-8 输入电容(Ci): 640pF 工作温度: -55℃~+150℃ 漏源电压(Vdss): 20V 导通电阻(RDS(on): 37mΩ 栅极电荷(Qg): 10nC 高度: 1.75mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道和P沟道互补型 类型: 1个N沟道+1个P沟道
AP2012
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 双N沟道(共漏) 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：2W
安装类型: SMT 击穿电压: 20V 功率耗散: 2W 阈值电压: 700mV 极性: N-沟道 连续漏极电流: 12A 长x宽/尺寸: 4.50 x 3.10mm 封装/外壳: TSSOP-8 反向传输电容Crss: 200pF 栅极源极击穿电压: ±12V 输入电容(Ci): 1.8nF 工作温度: -55℃~+150℃ Vgs(Max): ±12V 漏源电压(Vdss): 20V 导通电阻(RDS(on): 9.5mΩ@4.5V,5A 栅极电荷(Qg): 17.9nC 高度: 1.10mm 零件状态: Active 类型: 2个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 双N沟道(共漏) 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：2W
安装类型: SMT 击穿电压: 20V 功率耗散: 2W 阈值电压: 700mV 极性: N-沟道 连续漏极电流: 12A 长x宽/尺寸: 4.50 x 3.10mm 封装/外壳: TSSOP-8 反向传输电容Crss: 200pF 栅极源极击穿电压: ±12V 输入电容(Ci): 1.8nF 工作温度: -55℃~+150℃ Vgs(Max): ±12V 漏源电压(Vdss): 20V 导通电阻(RDS(on): 9.5mΩ@4.5V,5A 栅极电荷(Qg): 17.9nC 高度: 1.10mm 零件状态: Active 类型: 2个N沟道
AP2003
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N和P沟道功率MOSFET SOT23-6L
安装类型: SMT 功率耗散: 800mW 击穿电压: 22,20V 阈值电压: 0.75V 包装: Tape/reel 原产地: China 连续漏极电流: 3A 长x宽/尺寸: 3.02 x 1.70mm 封装/外壳: SOT-23-6 反向传输电容Crss: 27pF@10V 栅极源极击穿电压: ±12V 输入电容(Ci): 260pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 5nC 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 5nC 高度: 1.25mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道和P沟道互补型 引脚数: 6Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N和P沟道功率MOSFET SOT23-6L
安装类型: SMT 功率耗散: 800mW 击穿电压: 22,20V 阈值电压: 0.75V 包装: Tape/reel 原产地: China 连续漏极电流: 3A 长x宽/尺寸: 3.02 x 1.70mm 封装/外壳: SOT-23-6 反向传输电容Crss: 27pF@10V 栅极源极击穿电压: ±12V 输入电容(Ci): 260pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 5nC 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 5nC 高度: 1.25mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道和P沟道互补型 引脚数: 6Pin
AP4085G
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：27.8W
安装类型: SMT 击穿电压: 40V 功率耗散: 27.8W 阈值电压: 1.5V 极性: N-沟道 连续漏极电流: 50A 长x宽/尺寸: 5.85 x 5.00mm 封装/外壳: PDFN-8(5x6) 反向传输电容Crss: 38pF 栅极源极击穿电压: ±20V 输入电容(Ci): 690pF 工作温度: -55℃~+150℃ 漏源电压(Vdss): 40V 导通电阻(RDS(on): 6.9mΩ@10V,12A 栅极电荷(Qg): 5.8nC 高度: 1.17mm 零件状态: Active 晶体管类型: - 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：27.8W
安装类型: SMT 击穿电压: 40V 功率耗散: 27.8W 阈值电压: 1.5V 极性: N-沟道 连续漏极电流: 50A 长x宽/尺寸: 5.85 x 5.00mm 封装/外壳: PDFN-8(5x6) 反向传输电容Crss: 38pF 栅极源极击穿电压: ±20V 输入电容(Ci): 690pF 工作温度: -55℃~+150℃ 漏源电压(Vdss): 40V 导通电阻(RDS(on): 6.9mΩ@10V,12A 栅极电荷(Qg): 5.8nC 高度: 1.17mm 零件状态: Active 晶体管类型: - 类型: 1个N沟道
AP2012S
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：18V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：2W
安装类型: SMT 击穿电压: 20V 功率耗散: 2W 阈值电压: 1V 极性: N-沟道 连续漏极电流: 12A 长x宽/尺寸: 5.10 x 4.00mm 封装/外壳: SO-8 反向传输电容Crss: 200pF 栅极源极击穿电压: ±12V 输入电容(Ci): 1.8nF 工作温度: -55℃~+150℃ Vgs(Max): ±12V 漏源电压(Vdss): 18V 导通电阻(RDS(on): 9mΩ@4.5V 栅极电荷(Qg): 17.9nC 高度: 1.75mm 零件状态: Active 引脚数: 8Pin 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：18V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：2W
安装类型: SMT 击穿电压: 20V 功率耗散: 2W 阈值电压: 1V 极性: N-沟道 连续漏极电流: 12A 长x宽/尺寸: 5.10 x 4.00mm 封装/外壳: SO-8 反向传输电容Crss: 200pF 栅极源极击穿电压: ±12V 输入电容(Ci): 1.8nF 工作温度: -55℃~+150℃ Vgs(Max): ±12V 漏源电压(Vdss): 18V 导通电阻(RDS(on): 9mΩ@4.5V 栅极电荷(Qg): 17.9nC 高度: 1.75mm 零件状态: Active 引脚数: 8Pin 类型: 1个N沟道
AP2318A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: MOSFETs SOT-23-3 Single N-Channel
安装类型: SMT 击穿电压: 20V 功率耗散: 1.25W 阈值电压: 700mV 极性: N-沟道 连续漏极电流: 6A 长x宽/尺寸: 3.02 x 1.70mm 封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 85pF 栅极源极击穿电压: ±12V 输入电容(Ci): 565pF 工作温度: +150℃(TJ) Vgs(Max): ±12V 漏源电压(Vdss): 20V 导通电阻(RDS(on): 10mΩ@4.5V 高度: 1.30mm 零件状态: Active 引脚数: 3Pin 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: MOSFETs SOT-23-3 Single N-Channel
安装类型: SMT 击穿电压: 20V 功率耗散: 1.25W 阈值电压: 700mV 极性: N-沟道 连续漏极电流: 6A 长x宽/尺寸: 3.02 x 1.70mm 封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 85pF 栅极源极击穿电压: ±12V 输入电容(Ci): 565pF 工作温度: +150℃(TJ) Vgs(Max): ±12V 漏源电压(Vdss): 20V 导通电阻(RDS(on): 10mΩ@4.5V 高度: 1.30mm 零件状态: Active 引脚数: 3Pin 类型: 1个N沟道
AP5N10S
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道功率MOSFET
安装类型: SMT 漏源电流(Idss): 5A 击穿电压: 110V 功率耗散: 5W 阈值电压: 1.8V 极性: N-沟道 连续漏极电流: 5A 长x宽/尺寸: 2.80 x 1.60mm 封装/外壳: SOT-23-3 反向传输电容Crss: 14pF 栅极源极击穿电压: ±20V 输入电容(Ci): 210pF 工作温度: -55℃~+150℃ 漏源电压(Vdss): 100V 导通电阻(RDS(on): 115mΩ@10V 栅极电荷(Qg): 4.5nC 高度: 1.10mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道功率MOSFET
安装类型: SMT 漏源电流(Idss): 5A 击穿电压: 110V 功率耗散: 5W 阈值电压: 1.8V 极性: N-沟道 连续漏极电流: 5A 长x宽/尺寸: 2.80 x 1.60mm 封装/外壳: SOT-23-3 反向传输电容Crss: 14pF 栅极源极击穿电压: ±20V 输入电容(Ci): 210pF 工作温度: -55℃~+150℃ 漏源电压(Vdss): 100V 导通电阻(RDS(on): 115mΩ@10V 栅极电荷(Qg): 4.5nC 高度: 1.10mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin 类型: 1个N沟道
AP30P30Q
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：1.5W
安装类型: SMT 功率耗散: 40W 阈值电压: 2V 极性: P-沟道 连续漏极电流: 30A 长x宽/尺寸: 3.27 x 3.12mm 封装/外壳: DFN-8(3x3) 输入电容(Ci): 2.15nF 工作温度: -55℃~+150℃ 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 10mΩ@10V 栅极电荷(Qg): 35nC 高度: 0.83mm 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道 引脚数: 8Pin 类型: 1个P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：1.5W
安装类型: SMT 功率耗散: 40W 阈值电压: 2V 极性: P-沟道 连续漏极电流: 30A 长x宽/尺寸: 3.27 x 3.12mm 封装/外壳: DFN-8(3x3) 输入电容(Ci): 2.15nF 工作温度: -55℃~+150℃ 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 10mΩ@10V 栅极电荷(Qg): 35nC 高度: 0.83mm 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道 引脚数: 8Pin 类型: 1个P沟道
AP55N03K
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: MOSFETs TO-252 Single N-Channel 30V 30A
安装类型: SMT 品牌: ALLPOWER 击穿电压: 33V 阈值电压: 2V 原始制造商: Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 原产地: China 连续漏极电流: 30A 封装/外壳: TO-252(DPAK) 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+175℃ 配置: 单路 Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 12mΩ@10V 栅极电荷(Qg): 20nC 零件状态: Active 高度: 2.40mm 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: MOSFETs TO-252 Single N-Channel 30V 30A
安装类型: SMT 品牌: ALLPOWER 击穿电压: 33V 阈值电压: 2V 原始制造商: Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 原产地: China 连续漏极电流: 30A 封装/外壳: TO-252(DPAK) 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+175℃ 配置: 单路 Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 12mΩ@10V 栅极电荷(Qg): 20nC 零件状态: Active 高度: 2.40mm 引脚数: 3Pin
AP30H80G
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：70A 功率(Pd)：65W
安装类型: SMT 功率耗散: 65W 阈值电压: 1.5V 极性: N-沟道 连续漏极电流: 70A 长x宽/尺寸: 5.85 x 5.00mm 封装/外壳: PDFN-8(5x6) 反向传输电容Crss: 215pF@15V 输入电容(Ci): 1.614nF 工作温度: -55℃~+150℃ 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 4.8mΩ@10V 栅极电荷(Qg): 33.7nC 高度: 1.17mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：70A 功率(Pd)：65W
安装类型: SMT 功率耗散: 65W 阈值电压: 1.5V 极性: N-沟道 连续漏极电流: 70A 长x宽/尺寸: 5.85 x 5.00mm 封装/外壳: PDFN-8(5x6) 反向传输电容Crss: 215pF@15V 输入电容(Ci): 1.614nF 工作温度: -55℃~+150℃ 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 4.8mΩ@10V 栅极电荷(Qg): 33.7nC 高度: 1.17mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道