PJ
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PJ78L12SQ
供应商: Anychip Mall
分类: 线性稳压器/LDO
描述: 输出类型：固定 输出极性：正 输出通道数：1 最大输入电压：35V 输出电压：12V 压差：1.7V@(40mA) 输出电流：100mA
安装类型: SMT 输出配置: Positive 品牌: PJ 原始制造商: Dongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd. 输出电压（最大值）: - 静态电流（最大值）: 6mA 长x宽/尺寸: 4.50 x 2.50mm 封装/外壳: SOT89 输出类型: Fixed 元件生命周期: Active 输出电流（Max）: 100mA 工作温度: -40~+125℃ 原产国家: China 输出电流: 100mA 最小包装: 1000pcs 输出电压（最小值/固定）: 12V 输出电压: 12V 输入电压（最大值）: 35V 板上高度: 1.50mm 引脚数: 3Pins
供应商: Anychip Mall
分类: 线性稳压器/LDO
描述: 输出类型：固定 输出极性：正 输出通道数：1 最大输入电压：35V 输出电压：12V 压差：1.7V@(40mA) 输出电流：100mA
安装类型: SMT 输出配置: Positive 品牌: PJ 原始制造商: Dongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd. 输出电压（最大值）: - 静态电流（最大值）: 6mA 长x宽/尺寸: 4.50 x 2.50mm 封装/外壳: SOT89 输出类型: Fixed 元件生命周期: Active 输出电流（Max）: 100mA 工作温度: -40~+125℃ 原产国家: China 输出电流: 100mA 最小包装: 1000pcs 输出电压（最小值/固定）: 12V 输出电压: 12V 输入电压（最大值）: 35V 板上高度: 1.50mm 引脚数: 3Pins
PJM2319PSA
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: Load Switch DC/DC Converte
安装类型: DIP 功率耗散: 1.25W 阈值电压Vgs(th): 3V@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 4.4A 包装: Tape/reel 印字代码: S19 FET类型: P沟道 长x宽/尺寸: 2.90x1.30mm 封装/外壳: SOT-23 配置: Single 栅极电荷(Qg)(Max): 11nC 功率(Max): 1.25W 漏源电压(Vdss): 40V 导通电阻Rds On(Max): 80mΩ 认证信息: RoHS 工作温度(Tj): +150℃ 零件状态: Active 高度: 1.025mm 晶体管类型: PNP 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: Load Switch DC/DC Converte
安装类型: DIP 功率耗散: 1.25W 阈值电压Vgs(th): 3V@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 4.4A 包装: Tape/reel 印字代码: S19 FET类型: P沟道 长x宽/尺寸: 2.90x1.30mm 封装/外壳: SOT-23 配置: Single 栅极电荷(Qg)(Max): 11nC 功率(Max): 1.25W 漏源电压(Vdss): 40V 导通电阻Rds On(Max): 80mΩ 认证信息: RoHS 工作温度(Tj): +150℃ 零件状态: Active 高度: 1.025mm 晶体管类型: PNP 引脚数: 3Pin
PJM2333PSA
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: PWM applicationLoad switchPower Management
安装类型: DIP 功率耗散: 0.9W 阈值电压Vgs(th): 650mV@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 6A 极性: P-channel 印字代码: R33 FET类型: P沟道 长x宽/尺寸: 2.90x1.30mm 封装/外壳: SOT-23 配置: Single 输入电容(Ciss)(Max): 1100pF 原产国家: China 栅极电荷(Qg)(Max): 11.5nC 功率(Max): 900mW 漏源电压(Vdss): 12V 导通电阻Rds On(Max): 30mΩ 工作温度(Tj): +150℃ 零件状态: Active 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: PWM applicationLoad switchPower Management
安装类型: DIP 功率耗散: 0.9W 阈值电压Vgs(th): 650mV@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 6A 极性: P-channel 印字代码: R33 FET类型: P沟道 长x宽/尺寸: 2.90x1.30mm 封装/外壳: SOT-23 配置: Single 输入电容(Ciss)(Max): 1100pF 原产国家: China 栅极电荷(Qg)(Max): 11.5nC 功率(Max): 900mW 漏源电压(Vdss): 12V 导通电阻Rds On(Max): 30mΩ 工作温度(Tj): +150℃ 零件状态: Active 引脚数: 3Pin
PJ54M33SA
供应商: Anychip Mall
分类: 线性稳压器/LDO
描述: 输出类型：固定 输出极性：正 输出通道数：1 最大输入电压：45V 输出电压：3.3V
安装类型: SMT 输出配置: Positive 品牌: PJ 原始制造商: Dongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd. 输出电压（最大值）: - 静态电流（最大值）: 2.1μA 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 封装/外壳: SOT23 输出类型: Fixed 元件生命周期: Active 输出电流（Max）: 350mA 工作温度: -40~+150℃ 原产国家: China 输出电流: 350mA 最小包装: 3000pcs 输出电压: 3.3V 输出电压（最小值/固定）: 3.3V 输入电压（最大值）: 45V 板上高度: 1.03mm 引脚数: 3Pins
供应商: Anychip Mall
分类: 线性稳压器/LDO
描述: 输出类型：固定 输出极性：正 输出通道数：1 最大输入电压：45V 输出电压：3.3V
安装类型: SMT 输出配置: Positive 品牌: PJ 原始制造商: Dongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd. 输出电压（最大值）: - 静态电流（最大值）: 2.1μA 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 封装/外壳: SOT23 输出类型: Fixed 元件生命周期: Active 输出电流（Max）: 350mA 工作温度: -40~+150℃ 原产国家: China 输出电流: 350mA 最小包装: 3000pcs 输出电压: 3.3V 输出电压（最小值/固定）: 3.3V 输入电压（最大值）: 45V 板上高度: 1.03mm 引脚数: 3Pins
PJM2312NSA
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: Load Switching for portable Application DC/DC Converter
安装类型: DIP 功率耗散: 1.25W 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 5A 漏源击穿电压BVDSS: 20V FET类型: N沟道 长x宽/尺寸: 2.90x1.30mm 存储温度: -55~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±12V 配置: Single 栅极电荷(Qg)(Max): - 功率(Max): 1.25W 漏源电压(Vdss): 20V 导通电阻Rds On(Max): 40mΩ 认证信息: RoHS 工作温度(Tj): +150℃ 零件状态: Active 高度: 1.025mm 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: Load Switching for portable Application DC/DC Converter
安装类型: DIP 功率耗散: 1.25W 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 5A 漏源击穿电压BVDSS: 20V FET类型: N沟道 长x宽/尺寸: 2.90x1.30mm 存储温度: -55~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±12V 配置: Single 栅极电荷(Qg)(Max): - 功率(Max): 1.25W 漏源电压(Vdss): 20V 导通电阻Rds On(Max): 40mΩ 认证信息: RoHS 工作温度(Tj): +150℃ 零件状态: Active 高度: 1.025mm 引脚数: 3Pin
PJM3401PSA
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs P沟道 30V 4.1A 65mΩ@10V,4.1A
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: PJ 阈值电压: 1.3V@250µA 原始制造商: DONGGUAN PINGJINGSEMI TECHNOLOGY CO.,LTD 额定功率: 1.2W 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 4.1A 封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 65pF 工作温度: +150℃ 充电电量: 8.5nC 配置: 单路 原产国家: China 输入电容: 954pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): - 晶体管类型: PNP 类型: 1个P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs P沟道 30V 4.1A 65mΩ@10V,4.1A
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: PJ 阈值电压: 1.3V@250µA 原始制造商: DONGGUAN PINGJINGSEMI TECHNOLOGY CO.,LTD 额定功率: 1.2W 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 4.1A 封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 65pF 工作温度: +150℃ 充电电量: 8.5nC 配置: 单路 原产国家: China 输入电容: 954pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): - 晶体管类型: PNP 类型: 1个P沟道
PJM2307PSA
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: Load switch and in PWM applicatopnsPower management
安装类型: DIP 品牌: PJ 功率耗散: 0.9W 原始制造商: DONGGUAN PINGJINGSEMI TECHNOLOGY CO.,LTD 连续漏极电流Id@25℃: 2.7A 包装: Tape/reel 极性: P-channel 印字代码: R7 FET类型: P沟道 封装/外壳: SOT-23 配置: Single 输入电容(Ciss)(Max): 340pF 原产国家: China 栅极电荷(Qg)(Max): 6.2nC 漏源电压(Vdss): 30V 功率(Max): 1.1W 导通电阻Rds On(Max): 88mΩ 工作温度(Tj): +150℃ 晶体管类型: PNP 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: Load switch and in PWM applicatopnsPower management
安装类型: DIP 品牌: PJ 功率耗散: 0.9W 原始制造商: DONGGUAN PINGJINGSEMI TECHNOLOGY CO.,LTD 连续漏极电流Id@25℃: 2.7A 包装: Tape/reel 极性: P-channel 印字代码: R7 FET类型: P沟道 封装/外壳: SOT-23 配置: Single 输入电容(Ciss)(Max): 340pF 原产国家: China 栅极电荷(Qg)(Max): 6.2nC 漏源电压(Vdss): 30V 功率(Max): 1.1W 导通电阻Rds On(Max): 88mΩ 工作温度(Tj): +150℃ 晶体管类型: PNP 引脚数: 3Pin
PJM12P20DF
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道增强型功率mosfet VDS=20V VGS=±12V ID=12A DFN6_2X2MM_EP
安装类型: SMT 功率耗散: 4.5W 阈值电压: 700mV@250μA 额定功率: 4.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 17mΩ@4.5V,10A 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 12A 封装/外壳: DFN6_2X2MM_EP 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 231pF@10V 工作温度: +150℃ 配置: 单路 原产国家: China 输入电容: 510pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 7.5nC 高度: 0.75mm 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道增强型功率mosfet VDS=20V VGS=±12V ID=12A DFN6_2X2MM_EP
安装类型: SMT 功率耗散: 4.5W 阈值电压: 700mV@250μA 额定功率: 4.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 17mΩ@4.5V,10A 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 12A 封装/外壳: DFN6_2X2MM_EP 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 231pF@10V 工作温度: +150℃ 配置: 单路 原产国家: China 输入电容: 510pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 7.5nC 高度: 0.75mm 晶体管类型: N沟道
PJM7N02SA
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: Load/ power switching Small portable electronics
安装类型: SMT 连续漏极电流Id@25℃: 7A 包装: Tape/reel 漏源导通电阻 RDS(on): 45 mΩ 漏源击穿电压BVDSS: 20V FET类型: N沟道 长x宽/尺寸: 2.90x1.30mm 存储温度: -55~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±12V 配置: Single 栅极电荷(Qg)(Max): 15nC 最小包装: 3000pcs 功率(Max): 1.2W 漏源电压(Vdss): 20V 导通电阻Rds On(Max): 26mΩ 认证信息: RoHS 工作温度(Tj): +150℃ 零件状态: Active 高度: 1.03mm
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: Load/ power switching Small portable electronics
安装类型: SMT 连续漏极电流Id@25℃: 7A 包装: Tape/reel 漏源导通电阻 RDS(on): 45 mΩ 漏源击穿电压BVDSS: 20V FET类型: N沟道 长x宽/尺寸: 2.90x1.30mm 存储温度: -55~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±12V 配置: Single 栅极电荷(Qg)(Max): 15nC 最小包装: 3000pcs 功率(Max): 1.2W 漏源电压(Vdss): 20V 导通电阻Rds On(Max): 26mΩ 认证信息: RoHS 工作温度(Tj): +150℃ 零件状态: Active 高度: 1.03mm
PJ73AL50SC
供应商: Anychip Mall
分类: 线性稳压器/LDO
描述: 输出类型：固定 输出极性：正 输出通道数：1 最大输入电压：20V 输出电压：5V
安装类型: SMT 输出配置: Positive 品牌: PJ 原始制造商: Dongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd. 输出电压（最大值）: - 输入电压: 20V 静态电流（最大值）: 3µA 长x宽/尺寸: 2.92 x 1.60mm 输出类型: Fixed 封装/外壳: SOT23-3 元件生命周期: Active 输出电流（Max）: 300mA 工作温度: -40~+85℃ 原产国家: China 输出电流: 300mA 输出电压（最小值/固定）: 5V 输出电压: 5V 输入电压（最大值）: 22V 板上高度: 1.10mm 引脚数: 3Pins
供应商: Anychip Mall
分类: 线性稳压器/LDO
描述: 输出类型：固定 输出极性：正 输出通道数：1 最大输入电压：20V 输出电压：5V
安装类型: SMT 输出配置: Positive 品牌: PJ 原始制造商: Dongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd. 输出电压（最大值）: - 输入电压: 20V 静态电流（最大值）: 3µA 长x宽/尺寸: 2.92 x 1.60mm 输出类型: Fixed 封装/外壳: SOT23-3 元件生命周期: Active 输出电流（Max）: 300mA 工作温度: -40~+85℃ 原产国家: China 输出电流: 300mA 输出电压（最小值/固定）: 5V 输出电压: 5V 输入电压（最大值）: 22V 板上高度: 1.10mm 引脚数: 3Pins