APEC
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AP9565BGH
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：17A 功率(Pd)：25W
安装类型: SMT 原始制造商: Advanced Power Electronics Corp. 无卤: Yes 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 17A 极性: P-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 40V 封装/外壳: TO252 元件生命周期: Active 输入电容Ciss: 850pF 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 75pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 52mΩ 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 40V 高度: 2.30mm 零件状态: Active
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：17A 功率(Pd)：25W
安装类型: SMT 原始制造商: Advanced Power Electronics Corp. 无卤: Yes 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 17A 极性: P-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 40V 封装/外壳: TO252 元件生命周期: Active 输入电容Ciss: 850pF 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 75pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 52mΩ 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 40V 高度: 2.30mm 零件状态: Active
AP3P3R0MT
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：5W
安装类型: SMT 击穿电压: 30V 功率耗散: 69.4W 阈值电压: 3V 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 3mΩ@10V,20A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 60A 封装/外壳: PMPAK5X6 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 Vgs(Max): ±20V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 认证信息: RoHS,HF(halogen free) 栅极电荷(Qg): 76nC 高度: 1.30mm 晶体管类型: P沟道 引脚数: 8Pin 类型: 1个P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：5W
安装类型: SMT 击穿电压: 30V 功率耗散: 69.4W 阈值电压: 3V 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 3mΩ@10V,20A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 60A 封装/外壳: PMPAK5X6 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 Vgs(Max): ±20V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 认证信息: RoHS,HF(halogen free) 栅极电荷(Qg): 76nC 高度: 1.30mm 晶体管类型: P沟道 引脚数: 8Pin 类型: 1个P沟道
AP3N1R8MT
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：40.6A 功率(Pd)：5W PMPAK5X6
安装类型: SMT 品牌: APEC 功率耗散: 83.3W 阈值电压: 3V@250μA 无卤: Yes 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 1.89mΩ@10V,20A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 40.6A 长x宽/尺寸: 4.90 x 5.75mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: PMPAK5X6 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 420pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 输入电容: 4.85nF Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 1.10mm 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：40.6A 功率(Pd)：5W PMPAK5X6
安装类型: SMT 品牌: APEC 功率耗散: 83.3W 阈值电压: 3V@250μA 无卤: Yes 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 1.89mΩ@10V,20A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 40.6A 长x宽/尺寸: 4.90 x 5.75mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: PMPAK5X6 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 420pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 输入电容: 4.85nF Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 1.10mm 类型: 1个N沟道
AP2306GN-HF
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：5.3A 功率(Pd)：1.38W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：30mΩ@10V,5.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.25V@250μA N沟 20V 5.3A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：5.3A 功率(Pd)：1.38W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：30mΩ@10V,5.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.25V@250μA N沟 20V 5.3A
AP10P500N
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：1.2A 功率(Pd)：1.38W
安装类型: SMT 品牌: APEC 阈值电压: 3V@250μA 额定功率: 1.38W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 500mΩ@10V,1A 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 1.2A 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.60mm 封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 25pF@50V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 输入电容: 420pF@50V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 100V 栅极电荷(Qg): 10.5nC@10V 类型: 1个P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：1.2A 功率(Pd)：1.38W
安装类型: SMT 品牌: APEC 阈值电压: 3V@250μA 额定功率: 1.38W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 500mΩ@10V,1A 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 1.2A 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.60mm 封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 25pF@50V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 输入电容: 420pF@50V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 100V 栅极电荷(Qg): 10.5nC@10V 类型: 1个P沟道
AP9579GM
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：7.3A 功率(Pd)：2.5W
安装类型: SMT 品牌: APEC 功率耗散: 2.5W 原始制造商: Advanced Power Electronics Corp. 连续漏极电流Id@25℃: 7.3A 包装: Tape/reel 漏源击穿电压BVDSS: 60V 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 5.05 x 3.90mm 封装/外壳: SOIC8_150MIL 元件生命周期: Active 输入电容Ciss: 5.92nF 反向传输电容Crss: 300pF 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 25mΩ 漏源电压(Vdss): 60V 零件状态: Active
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：7.3A 功率(Pd)：2.5W
安装类型: SMT 品牌: APEC 功率耗散: 2.5W 原始制造商: Advanced Power Electronics Corp. 连续漏极电流Id@25℃: 7.3A 包装: Tape/reel 漏源击穿电压BVDSS: 60V 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 5.05 x 3.90mm 封装/外壳: SOIC8_150MIL 元件生命周期: Active 输入电容Ciss: 5.92nF 反向传输电容Crss: 300pF 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 25mΩ 漏源电压(Vdss): 60V 零件状态: Active