APEC
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AP9565BGH
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):17A 功率(Pd):25W
安装类型: SMT 品牌: APEC 功率耗散: 25W 阈值电压: 3V@250μA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 17A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 6.50 x 5.70mm 封装/外壳: TO-252(DPAK) 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 75pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 输入电容: 850pF Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 40V 栅极电荷(Qg): 7.8nC@4.5V 高度: 2.30mm 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):17A 功率(Pd):25W
安装类型: SMT 品牌: APEC 功率耗散: 25W 阈值电压: 3V@250μA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 17A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 6.50 x 5.70mm 封装/外壳: TO-252(DPAK) 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 75pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 输入电容: 850pF Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 40V 栅极电荷(Qg): 7.8nC@4.5V 高度: 2.30mm 引脚数: 2Pin
AP3P3R0MT
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):60A 功率(Pd):5W
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: APEC 功率耗散: 69.4W 阈值电压: 3V 额定功率: 5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 3mΩ@10V,20A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 60A 封装/外壳: PMPAK5X6 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 输入电容: 9.4nF Vgs(Max): ±20V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 76nC 晶体管类型: P沟道 类型: 1个P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):60A 功率(Pd):5W
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: APEC 功率耗散: 69.4W 阈值电压: 3V 额定功率: 5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 3mΩ@10V,20A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 60A 封装/外壳: PMPAK5X6 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 输入电容: 9.4nF Vgs(Max): ±20V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 76nC 晶体管类型: P沟道 类型: 1个P沟道
AP3N1R8MT
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):40.6A 功率(Pd):5W PMPAK5X6
安装类型: SMT 击穿电压: 30V 阈值电压: 3V@250μA 额定功率: 5W 原始制造商: Advanced Power Electronics Corp. 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 40.6A 封装/外壳: PMPAK5X6 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China Taiwan Vgs(Max): ±20V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 1.10mm 零件状态: Active 引脚数: 8Pin 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):40.6A 功率(Pd):5W PMPAK5X6
安装类型: SMT 击穿电压: 30V 阈值电压: 3V@250μA 额定功率: 5W 原始制造商: Advanced Power Electronics Corp. 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 40.6A 封装/外壳: PMPAK5X6 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China Taiwan Vgs(Max): ±20V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 1.10mm 零件状态: Active 引脚数: 8Pin 类型: 1个N沟道
AP2306GN-HF
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):5.3A 功率(Pd):1.38W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,5.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.25V@250μA N沟 20V 5.3A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):5.3A 功率(Pd):1.38W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,5.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.25V@250μA N沟 20V 5.3A
AP10P500N
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):1.2A 功率(Pd):1.38W
安装类型: SMT 品牌: APEC 阈值电压: 3V@250μA 额定功率: 1.38W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 500mΩ@10V,1A 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 1.2A 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.60mm 封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 25pF@50V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 输入电容: 420pF@50V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 100V 栅极电荷(Qg): 10.5nC@10V 类型: 1个P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):1.2A 功率(Pd):1.38W
安装类型: SMT 品牌: APEC 阈值电压: 3V@250μA 额定功率: 1.38W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 500mΩ@10V,1A 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 1.2A 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.60mm 封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 25pF@50V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 输入电容: 420pF@50V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 100V 栅极电荷(Qg): 10.5nC@10V 类型: 1个P沟道
AP9579GM
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):7.3A 功率(Pd):2.5W
安装类型: SMT 击穿电压: 60V 阈值电压: 1.5V@250μA 额定功率: 2.5W 原始制造商: Advanced Power Electronics Corp. 无卤: Yes 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 18.2mΩ@10V,7A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 7.3A 封装/外壳: SOIC-8 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 输入电容: 5.92nF Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 40nC@4.5V 零件状态: Active 类型: 1个P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):7.3A 功率(Pd):2.5W
安装类型: SMT 击穿电压: 60V 阈值电压: 1.5V@250μA 额定功率: 2.5W 原始制造商: Advanced Power Electronics Corp. 无卤: Yes 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 18.2mΩ@10V,7A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 7.3A 封装/外壳: SOIC-8 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 输入电容: 5.92nF Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 40nC@4.5V 零件状态: Active 类型: 1个P沟道