SPTECH
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2SC2334
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 包装: Tube packing Vce饱和压降: 600mV 极性: NPN 跃迁频率: 50MHz 集射极击穿电压Vceo: 100V 集射极饱和电压(VCE(sat)): 100V 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 10.20 x 4.50mm 封装/外壳: TO-220C 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 7A 配置: 单路 最小包装: 50pcs 高度: 15.90mm DC电流增益(hFE): 200 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 包装: Tube packing Vce饱和压降: 600mV 极性: NPN 跃迁频率: 50MHz 集射极击穿电压Vceo: 100V 集射极饱和电压(VCE(sat)): 100V 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 10.20 x 4.50mm 封装/外壳: TO-220C 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 7A 配置: 单路 最小包装: 50pcs 高度: 15.90mm DC电流增益(hFE): 200 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
2N3055
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：60V 集电极电流(Ic)：15A 功率(Pd)：115W
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 115W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 集电极-基极电压（VCBO）: 100V Vce饱和压降: 3V 包装: Box packing 极性: NPN 跃迁频率: 2.5MHz 集射极击穿电压Vceo: 60V 集射极饱和电压(VCE(sat)): 60V 长x宽/尺寸: 39.00 x 26.00mm 封装/外壳: TO-204-2(TO-3) 工作温度: -65℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: Chnia 最小包装: 100pcs DC电流增益(hFE): 70 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：60V 集电极电流(Ic)：15A 功率(Pd)：115W
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 115W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 集电极-基极电压（VCBO）: 100V Vce饱和压降: 3V 包装: Box packing 极性: NPN 跃迁频率: 2.5MHz 集射极击穿电压Vceo: 60V 集射极饱和电压(VCE(sat)): 60V 长x宽/尺寸: 39.00 x 26.00mm 封装/外壳: TO-204-2(TO-3) 工作温度: -65℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: Chnia 最小包装: 100pcs DC电流增益(hFE): 70 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
2SC3866
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 40W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 集电极-基极电压（VCBO）: 900V Vce饱和压降: 800mV 包装: Tube packing 极性: NPN 集射极击穿电压Vceo: 800V 跃迁频率: 50MHz 集射极饱和电压(VCE(sat)): 800V 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO-220FA 工作温度: +150℃ 配置: 单路 原产国家: Chnia 最小包装: 50pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: 10V 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 10
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 40W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 集电极-基极电压（VCBO）: 900V Vce饱和压降: 800mV 包装: Tube packing 极性: NPN 集射极击穿电压Vceo: 800V 跃迁频率: 50MHz 集射极饱和电压(VCE(sat)): 800V 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO-220FA 工作温度: +150℃ 配置: 单路 原产国家: Chnia 最小包装: 50pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: 10V 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 10
TIP35C
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 集电极-基极电压（VCBO）: 100V 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd Vce饱和压降: 4V 包装: Tube packing 极性: NPN 跃迁频率: 3MHz 集射极击穿电压Vceo: 100V 集射极饱和电压(VCE(sat)): 100V 存储温度: -65℃~+150℃ 封装/外壳: TO3PN 工作温度: +150℃ 配置: 单路 原产国家: Chnia 特征频率(fT): 3MHz 最小包装: 30pcs DC电流增益(hFE): 75 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 集电极-基极电压（VCBO）: 100V 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd Vce饱和压降: 4V 包装: Tube packing 极性: NPN 跃迁频率: 3MHz 集射极击穿电压Vceo: 100V 集射极饱和电压(VCE(sat)): 100V 存储温度: -65℃~+150℃ 封装/外壳: TO3PN 工作温度: +150℃ 配置: 单路 原产国家: Chnia 特征频率(fT): 3MHz 最小包装: 30pcs DC电流增益(hFE): 75 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
MJE15032
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 集电极-基极电压（VCBO）: 250V 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 包装: Tube packing Vce饱和压降: 500mV 集射极击穿电压Vceo: 250V 跃迁频率: 50MHz 集射极饱和电压(VCE(sat)): 250V 存储温度: -65℃~+150℃ 封装/外壳: TO-220C 工作温度: +150℃ 配置: 单路 原产国家: Chnia 发射极基极导通电压VBE(on): 1V 最小包装: 50pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 15.90mm DC电流增益(hFE): 50 晶体管类型: NPN
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 集电极-基极电压（VCBO）: 250V 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 包装: Tube packing Vce饱和压降: 500mV 集射极击穿电压Vceo: 250V 跃迁频率: 50MHz 集射极饱和电压(VCE(sat)): 250V 存储温度: -65℃~+150℃ 封装/外壳: TO-220C 工作温度: +150℃ 配置: 单路 原产国家: Chnia 发射极基极导通电压VBE(on): 1V 最小包装: 50pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 15.90mm DC电流增益(hFE): 50 晶体管类型: NPN
D44H8
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 50W 集电极-基极电压（VCBO）: 60V 包装: Tube packing Vce饱和压降: 1V 极性: NPN 集射极击穿电压Vceo: 60V 跃迁频率: 50MHz 集射极饱和电压(VCE(sat)): 60V 长x宽/尺寸: 10.00 x 4.30mm 封装/外壳: TO-220C 工作温度: +150℃ 配置: 单路 原产国家: Chnia 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 特征频率(fT): 50MHz 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 60
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 50W 集电极-基极电压（VCBO）: 60V 包装: Tube packing Vce饱和压降: 1V 极性: NPN 集射极击穿电压Vceo: 60V 跃迁频率: 50MHz 集射极饱和电压(VCE(sat)): 60V 长x宽/尺寸: 10.00 x 4.30mm 封装/外壳: TO-220C 工作温度: +150℃ 配置: 单路 原产国家: Chnia 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 特征频率(fT): 50MHz 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 60
NJW1302G
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅PNP功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 200W 集电极-基极电压（VCBO）: 250V 包装: Tube packing Vce饱和压降: 600mV 极性: PNP 跃迁频率: - 集射极击穿电压Vceo: 250V 集射极饱和电压(VCE(sat)): 250V 存储温度: -65℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 15.60 x 4.80mm 封装/外壳: TO3PN 工作温度: +150℃ 配置: 单路 原产国家: Chnia 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 20.30mm DC电流增益(hFE): 150 晶体管类型: PNP
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅PNP功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 200W 集电极-基极电压（VCBO）: 250V 包装: Tube packing Vce饱和压降: 600mV 极性: PNP 跃迁频率: - 集射极击穿电压Vceo: 250V 集射极饱和电压(VCE(sat)): 250V 存储温度: -65℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 15.60 x 4.80mm 封装/外壳: TO3PN 工作温度: +150℃ 配置: 单路 原产国家: Chnia 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 20.30mm DC电流增益(hFE): 150 晶体管类型: PNP
2SC4237
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: SPTECH硅NPN功率晶体管800V 12A 150W
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 150W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 包装: Tube packing Vce饱和压降: 1V 集射极击穿电压Vceo: 800V 跃迁频率: 8MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 16.00 x 5.00mm 封装/外壳: TO-247-3 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: Chnia 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 特征频率(fT): 8MHz 高度: 25.00mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 18 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: SPTECH硅NPN功率晶体管800V 12A 150W
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 150W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 包装: Tube packing Vce饱和压降: 1V 集射极击穿电压Vceo: 800V 跃迁频率: 8MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 16.00 x 5.00mm 封装/外壳: TO-247-3 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: Chnia 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 特征频率(fT): 8MHz 高度: 25.00mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 18 引脚数: 3Pin
2SA1106
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅PNP功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 集电极-基极电压（VCBO）: 140V 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd Vce饱和压降: 2V 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vceo: 140V 跃迁频率: 20MHz 集射极饱和电压(VCE(sat)): 140V 长x宽/尺寸: 15.60 x 4.80mm 封装/外壳: TO3PN 工作温度: +150℃ 配置: 单路 原产国家: Chnia 特征频率(fT): 20MHz 最小包装: 30pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V 高度: 20.30mm 晶体管类型: PNP DC电流增益(hFE): 30
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅PNP功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 集电极-基极电压（VCBO）: 140V 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd Vce饱和压降: 2V 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vceo: 140V 跃迁频率: 20MHz 集射极饱和电压(VCE(sat)): 140V 长x宽/尺寸: 15.60 x 4.80mm 封装/外壳: TO3PN 工作温度: +150℃ 配置: 单路 原产国家: Chnia 特征频率(fT): 20MHz 最小包装: 30pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V 高度: 20.30mm 晶体管类型: PNP DC电流增益(hFE): 30
2SA1943
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: SPTECH硅PNP功率晶体管230V 12A TO3PL
安装类型: 插件 功率耗散: 150W 集电极-基极电压（VCBO）: 230V 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd Vce饱和压降: 3V 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vceo: 230V 跃迁频率: 30MHz 集射极饱和电压(VCE(sat)): 230V 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO-3PL 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 15A 配置: 单路 原产国家: Chnia 最小包装: 50pcs 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 晶体管类型: PNP DC电流增益(hFE): 55
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: SPTECH硅PNP功率晶体管230V 12A TO3PL
安装类型: 插件 功率耗散: 150W 集电极-基极电压（VCBO）: 230V 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd Vce饱和压降: 3V 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vceo: 230V 跃迁频率: 30MHz 集射极饱和电压(VCE(sat)): 230V 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO-3PL 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 15A 配置: 单路 原产国家: Chnia 最小包装: 50pcs 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 晶体管类型: PNP DC电流增益(hFE): 55