SPTECH
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SPT15N65T1
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT
描述: 650V/15A沟槽场阻IGBT
安装类型: 插件 正向电流: 30A 关断延迟时间: 60ns 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd Vce饱和压降: 1.65V 包装: Tube packing 极性: NPN 集射极击穿电压Vceo: 650V 跃迁频率: - 封装/外壳: TO220MF 元件生命周期: Active 上升/下降沿时间: 25ns 工作温度: -40℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China DC电流增益(hFE): - 晶体管类型: FS(场截止)
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT
描述: 650V/15A沟槽场阻IGBT
安装类型: 插件 正向电流: 30A 关断延迟时间: 60ns 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd Vce饱和压降: 1.65V 包装: Tube packing 极性: NPN 集射极击穿电压Vceo: 650V 跃迁频率: - 封装/外壳: TO220MF 元件生命周期: Active 上升/下降沿时间: 25ns 工作温度: -40℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China DC电流增益(hFE): - 晶体管类型: FS(场截止)
BU406D
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: SPTECH硅NPN功率晶体管200V 7A TO252
安装类型: 插件 是否无铅: Yes 功率耗散: 65W 额定功率: 65W 集电极-基极电压（VCBO）: 400V 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 包装: Tube packing Vce饱和压降: 1V 跃迁频率: 10MHz 集射极击穿电压Vceo: 200V 集射极饱和电压(VCE(sat)): 200V 封装/外壳: TO-252(DPAK) 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 7A 配置: 单路 最小包装: 50pcs 特征频率(fT): 30MHz 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V DC电流增益(hFE): 70@2A，5V 晶体管类型: NPN
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: SPTECH硅NPN功率晶体管200V 7A TO252
安装类型: 插件 是否无铅: Yes 功率耗散: 65W 额定功率: 65W 集电极-基极电压（VCBO）: 400V 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 包装: Tube packing Vce饱和压降: 1V 跃迁频率: 10MHz 集射极击穿电压Vceo: 200V 集射极饱和电压(VCE(sat)): 200V 封装/外壳: TO-252(DPAK) 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 7A 配置: 单路 最小包装: 50pcs 特征频率(fT): 30MHz 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V DC电流增益(hFE): 70@2A，5V 晶体管类型: NPN
2SC4131
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 60W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 集电极-基极电压（VCBO）: 100V Vce饱和压降: 500mV 包装: Tube packing 极性: NPN 跃迁频率: 18MHz 集射极击穿电压Vceo: 50V 集射极饱和电压(VCE(sat)): 100V 长x宽/尺寸: 16.10 x 5.70mm 封装/外壳: TO3PML 工作温度: +150℃ 配置: 单路 原产国家: Chnia 发射极基极导通电压VBE(on): 1.2V 发射极与基极之间电压 VEBO: 15V DC电流增益(hFE): 360 晶体管类型: NPN
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 60W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 集电极-基极电压（VCBO）: 100V Vce饱和压降: 500mV 包装: Tube packing 极性: NPN 跃迁频率: 18MHz 集射极击穿电压Vceo: 50V 集射极饱和电压(VCE(sat)): 100V 长x宽/尺寸: 16.10 x 5.70mm 封装/外壳: TO3PML 工作温度: +150℃ 配置: 单路 原产国家: Chnia 发射极基极导通电压VBE(on): 1.2V 发射极与基极之间电压 VEBO: 15V DC电流增益(hFE): 360 晶体管类型: NPN
SPT25N120U1
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT
描述: 1200V/25A沟槽场阻IGBT
安装类型: 插件 正向电流: 50A 品牌: SPTECH 关断延迟时间: 297ns 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd Vce饱和压降: 2.05V 包装: Tube packing 极性: NPN 集射极击穿电压Vceo: 1.2KV 跃迁频率: - 封装/外壳: TO-247-3 元件生命周期: Active 上升/下降沿时间: 22ns 工作温度: -40℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China DC电流增益(hFE): -
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT
描述: 1200V/25A沟槽场阻IGBT
安装类型: 插件 正向电流: 50A 品牌: SPTECH 关断延迟时间: 297ns 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd Vce饱和压降: 2.05V 包装: Tube packing 极性: NPN 集射极击穿电压Vceo: 1.2KV 跃迁频率: - 封装/外壳: TO-247-3 元件生命周期: Active 上升/下降沿时间: 22ns 工作温度: -40℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China DC电流增益(hFE): -
2SC3834
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 50W 额定功率: 50W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 包装: Tube packing Vce饱和压降: 500mV 极性: NPN 集射极击穿电压Vceo: 120V 跃迁频率: 20MHz 集射极饱和电压(VCE(sat)): 120V 长x宽/尺寸: 15.60 x 4.80mm 封装/外壳: TO-220C 工作温度: +150℃ 配置: 单路 原产国家: Chnia 最小包装: 50pcs 高度: 19.90mm DC电流增益(hFE): 220 晶体管类型: NPN
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 50W 额定功率: 50W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 包装: Tube packing Vce饱和压降: 500mV 极性: NPN 集射极击穿电压Vceo: 120V 跃迁频率: 20MHz 集射极饱和电压(VCE(sat)): 120V 长x宽/尺寸: 15.60 x 4.80mm 封装/外壳: TO-220C 工作温度: +150℃ 配置: 单路 原产国家: Chnia 最小包装: 50pcs 高度: 19.90mm DC电流增益(hFE): 220 晶体管类型: NPN
TIP36C
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅PNP功率晶体管
安装类型: 插件 功率耗散: 125W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 包装: Tube packing Vce饱和压降: 4V 跃迁频率: 30MHz 集射极击穿电压Vceo: 100V 存储温度: -65℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 15.60 x 4.80mm 封装/外壳: TO3PN 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 25A 配置: 单路 原产国家: Chnia 最小包装: 30pcs 发射极基极导通电压VBE(on): 4V 高度: 20.30mm DC电流增益(hFE): 75 晶体管类型: PNP 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅PNP功率晶体管
安装类型: 插件 功率耗散: 125W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 包装: Tube packing Vce饱和压降: 4V 跃迁频率: 30MHz 集射极击穿电压Vceo: 100V 存储温度: -65℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 15.60 x 4.80mm 封装/外壳: TO3PN 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 25A 配置: 单路 原产国家: Chnia 最小包装: 30pcs 发射极基极导通电压VBE(on): 4V 高度: 20.30mm DC电流增益(hFE): 75 晶体管类型: PNP 引脚数: 3Pin
2SC3320
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 额定功率: 80W 集电极-基极电压（VCBO）: 500V 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd Vce饱和压降: 1V 包装: Tube packing 跃迁频率: 30MHz 集射极击穿电压Vceo: 400V 集射极饱和电压(VCE(sat)): 400V 存储温度: -65℃~+150℃ 封装/外壳: TO3PN 配置: 单路 原产国家: Chnia 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 最小包装: 30pcs 零件状态: Active 高度: 20.30mm DC电流增益(hFE): 10 晶体管类型: NPN
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 额定功率: 80W 集电极-基极电压（VCBO）: 500V 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd Vce饱和压降: 1V 包装: Tube packing 跃迁频率: 30MHz 集射极击穿电压Vceo: 400V 集射极饱和电压(VCE(sat)): 400V 存储温度: -65℃~+150℃ 封装/外壳: TO3PN 配置: 单路 原产国家: Chnia 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 最小包装: 30pcs 零件状态: Active 高度: 20.30mm DC电流增益(hFE): 10 晶体管类型: NPN
BUX48A
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: SPTECH硅NPN功率晶体管450V 15A TO3
安装类型: 插件 功率耗散: 175W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd Vce饱和压降: 5V 包装: Bag Packing 集射极击穿电压Vceo: 450V 跃迁频率: - 集射极饱和电压(VCE(sat)): 450V 存储温度: -65℃~+200℃ 长x宽/尺寸: 39.00 x 26.00mm 封装/外壳: TO-204-2(TO-3) 工作温度: -65℃~+200℃ 集电极电流 Ic: 15A 配置: 单路 原产国家: Chnia 最小包装: 100pcs 发射极基极导通电压VBE(on): 5V 发射极与基极之间电压 VEBO: 7V DC电流增益(hFE): 8 晶体管类型: NPN
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: SPTECH硅NPN功率晶体管450V 15A TO3
安装类型: 插件 功率耗散: 175W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd Vce饱和压降: 5V 包装: Bag Packing 集射极击穿电压Vceo: 450V 跃迁频率: - 集射极饱和电压(VCE(sat)): 450V 存储温度: -65℃~+200℃ 长x宽/尺寸: 39.00 x 26.00mm 封装/外壳: TO-204-2(TO-3) 工作温度: -65℃~+200℃ 集电极电流 Ic: 15A 配置: 单路 原产国家: Chnia 最小包装: 100pcs 发射极基极导通电压VBE(on): 5V 发射极与基极之间电压 VEBO: 7V DC电流增益(hFE): 8 晶体管类型: NPN
2SC4552
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 集电极-基极电压（VCBO）: 100V 额定功率: 30W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd Vce饱和压降: 300mV 包装: Tube packing 极性: NPN 跃迁频率: 120MHz 集射极击穿电压Vceo: 60V 集射极饱和电压(VCE(sat)): 60V 封装/外壳: TO-220F 工作温度: +150℃ 配置: 单路 原产国家: Chnia 特征频率(fT): 120MHz 最小包装: 50pcs 高度: 15.05mm DC电流增益(hFE): 400 晶体管类型: NPN
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 集电极-基极电压（VCBO）: 100V 额定功率: 30W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd Vce饱和压降: 300mV 包装: Tube packing 极性: NPN 跃迁频率: 120MHz 集射极击穿电压Vceo: 60V 集射极饱和电压(VCE(sat)): 60V 封装/外壳: TO-220F 工作温度: +150℃ 配置: 单路 原产国家: Chnia 特征频率(fT): 120MHz 最小包装: 50pcs 高度: 15.05mm DC电流增益(hFE): 400 晶体管类型: NPN
2SA1186
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅PNP功率晶体管
安装类型: 插件 功率耗散: 100W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 额定功率: 100W 包装: Tube packing Vce饱和压降: 2V 集射极击穿电压Vceo: 150V 跃迁频率: 60MHz 集射极饱和电压(VCE(sat)): 150V 长x宽/尺寸: 15.60 x 4.80mm 封装/外壳: TO3PN 工作温度: +150℃ 配置: 单路 原产国家: Chnia 特征频率(fT): 60MHz 最小包装: 30pcs 高度: 20.30mm DC电流增益(hFE): 180 晶体管类型: PNP 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅PNP功率晶体管
安装类型: 插件 功率耗散: 100W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 额定功率: 100W 包装: Tube packing Vce饱和压降: 2V 集射极击穿电压Vceo: 150V 跃迁频率: 60MHz 集射极饱和电压(VCE(sat)): 150V 长x宽/尺寸: 15.60 x 4.80mm 封装/外壳: TO3PN 工作温度: +150℃ 配置: 单路 原产国家: Chnia 特征频率(fT): 60MHz 最小包装: 30pcs 高度: 20.30mm DC电流增益(hFE): 180 晶体管类型: PNP 引脚数: 3Pin