SPTECH
商品列表
2SA2198
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: SPTECH硅PNP功率晶体管50V 12A TO3PML
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 60W 包装: Tube packing 极性: PNP 集射极击穿电压Vceo: 50V 原产地: China 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 20.00 x 5.60mm 封装/外壳: TO-3PML 工作温度: +150℃(TJ) 集电极电流 Ic: 12A 配置: 单路 封装技术: DIP 发射极基极导通电压VBE(on): 1.2V 特征频率(fT): 25MHz 高度: 26.00mm 晶体管类型: PNP DC电流增益(hFE): 50 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: SPTECH硅PNP功率晶体管50V 12A TO3PML
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 60W 包装: Tube packing 极性: PNP 集射极击穿电压Vceo: 50V 原产地: China 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 20.00 x 5.60mm 封装/外壳: TO-3PML 工作温度: +150℃(TJ) 集电极电流 Ic: 12A 配置: 单路 封装技术: DIP 发射极基极导通电压VBE(on): 1.2V 特征频率(fT): 25MHz 高度: 26.00mm 晶体管类型: PNP DC电流增益(hFE): 50 引脚数: 3Pin
TIP151
供应商: Anychip Mall
分类: 达林顿三极管
描述: 硅NPN达林顿功率晶体管
特性: 带预偏置电阻及保护二极管 安装类型: 插件 集电极-基极电压（VCBO）: 350V 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vceo: 350V 集射极饱和电压(VCE(sat)): 350V 长x宽/尺寸: 10.20 x 4.50mm 封装/外壳: TO-220C 工作温度: -65℃~+150℃ 配置: 单路 特征频率(fT): - 发射极与基极之间电压 VEBO: 8V 高度: 18.80mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 50 引脚数: 3Pin 类型: NPN
供应商: Anychip Mall
分类: 达林顿三极管
描述: 硅NPN达林顿功率晶体管
特性: 带预偏置电阻及保护二极管 安装类型: 插件 集电极-基极电压（VCBO）: 350V 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vceo: 350V 集射极饱和电压(VCE(sat)): 350V 长x宽/尺寸: 10.20 x 4.50mm 封装/外壳: TO-220C 工作温度: -65℃~+150℃ 配置: 单路 特征频率(fT): - 发射极与基极之间电压 VEBO: 8V 高度: 18.80mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 50 引脚数: 3Pin 类型: NPN
2SA1940
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅PNP功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 80W 集电极-基极电压（VCBO）: 120V 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 包装: Tube packing 极性: PNP 集射极击穿电压Vceo: 120V 原产地: Chnia 集射极饱和电压(VCE(sat)): 120V 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 15.50 x 4.30mm 封装/外壳: TO-3PI 工作温度: +150℃(TJ) 集电极电流 Ic: 8A 配置: 单路 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V DC电流增益(hFE): 160 晶体管类型: PNP
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅PNP功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 80W 集电极-基极电压（VCBO）: 120V 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 包装: Tube packing 极性: PNP 集射极击穿电压Vceo: 120V 原产地: Chnia 集射极饱和电压(VCE(sat)): 120V 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 15.50 x 4.30mm 封装/外壳: TO-3PI 工作温度: +150℃(TJ) 集电极电流 Ic: 8A 配置: 单路 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V DC电流增益(hFE): 160 晶体管类型: PNP
2SD884
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 40W 集电极-基极电压（VCBO）: 330V 包装: Tube packing 极性: NPN 集射极击穿电压Vceo: 200V 原产地: Chnia 集射极饱和电压(VCE(sat)): 200V 长x宽/尺寸: 10.20 x 4.50mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO-220C 工作温度: +150℃(TJ) 配置: 单路 特征频率(fT): 50MHz 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V 高度: 15.90mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 45 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 40W 集电极-基极电压（VCBO）: 330V 包装: Tube packing 极性: NPN 集射极击穿电压Vceo: 200V 原产地: Chnia 集射极饱和电压(VCE(sat)): 200V 长x宽/尺寸: 10.20 x 4.50mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO-220C 工作温度: +150℃(TJ) 配置: 单路 特征频率(fT): 50MHz 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V 高度: 15.90mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 45 引脚数: 3Pin
2SC5570
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 220W 集电极-基极电压（VCBO）: 1700V 包装: Tube packing 极性: NPN 集射极击穿电压Vceo: 800V 集射极饱和电压(VCE(sat)): 800V 长x宽/尺寸: 20.00 x 5.00mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO-3PL 工作温度: +150℃(TJ) 集电极电流 Ic: 28A 配置: 单路 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V 高度: 26.00mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 30 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 220W 集电极-基极电压（VCBO）: 1700V 包装: Tube packing 极性: NPN 集射极击穿电压Vceo: 800V 集射极饱和电压(VCE(sat)): 800V 长x宽/尺寸: 20.00 x 5.00mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO-3PL 工作温度: +150℃(TJ) 集电极电流 Ic: 28A 配置: 单路 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V 高度: 26.00mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 30 引脚数: 3Pin
TIP147T
供应商: Anychip Mall
分类: 达林顿三极管
描述: 硅PNP达林顿功率晶体管
特性: 带预偏置电阻及保护二极管 安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 60W 集电极-基极电压（VCBO）: 100V 包装: Tube packing 极性: PNP 集射极击穿电压Vceo: 100V 集射极饱和电压(VCE(sat)): 100V 长x宽/尺寸: 10.20 x 4.50mm 存储温度: -65℃~+150℃ 封装/外壳: TO-220C 工作温度: -65℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 8A 配置: 单路 特征频率(fT): - 高度: 18.80mm 晶体管类型: PNP DC电流增益(hFE): 750 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 达林顿三极管
描述: 硅PNP达林顿功率晶体管
特性: 带预偏置电阻及保护二极管 安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 60W 集电极-基极电压（VCBO）: 100V 包装: Tube packing 极性: PNP 集射极击穿电压Vceo: 100V 集射极饱和电压(VCE(sat)): 100V 长x宽/尺寸: 10.20 x 4.50mm 存储温度: -65℃~+150℃ 封装/外壳: TO-220C 工作温度: -65℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 8A 配置: 单路 特征频率(fT): - 高度: 18.80mm 晶体管类型: PNP DC电流增益(hFE): 750 引脚数: 3Pin
SPT15N120F1
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT
描述: 1200V/15A沟槽场阻IGBT
正向电流: 30A 安装类型: 插件 功率耗散: 208W 包装: Tube packing 极性: NPN 集射极击穿电压Vceo: 1.2KV 长x宽/尺寸: 16.13 x 5.21mm 封装/外壳: TO-247 元件生命周期: Active 工作温度: -40℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 15A 配置: 单路 特征频率(fT): - 最小包装: 30pcs 栅极电荷(Qg): 101nC@15V 高度: 25.57mm 零件状态: Active DC电流增益(hFE): - 晶体管类型: FS(场截止) 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT
描述: 1200V/15A沟槽场阻IGBT
正向电流: 30A 安装类型: 插件 功率耗散: 208W 包装: Tube packing 极性: NPN 集射极击穿电压Vceo: 1.2KV 长x宽/尺寸: 16.13 x 5.21mm 封装/外壳: TO-247 元件生命周期: Active 工作温度: -40℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 15A 配置: 单路 特征频率(fT): - 最小包装: 30pcs 栅极电荷(Qg): 101nC@15V 高度: 25.57mm 零件状态: Active DC电流增益(hFE): - 晶体管类型: FS(场截止) 引脚数: 3Pin
MJW0281A
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 150W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vceo: 250V 原产地: Chnia 存储温度: -65℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 15.60 x 4.80mm 封装/外壳: TO-3PN 工作温度: +150℃(TJ) 集电极电流 Ic: 15A 配置: 单路 特征频率(fT): - 最小包装: 30pcs 发射极基极导通电压VBE(on): 2V 高度: 20.00mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 150 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 150W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vceo: 250V 原产地: Chnia 存储温度: -65℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 15.60 x 4.80mm 封装/外壳: TO-3PN 工作温度: +150℃(TJ) 集电极电流 Ic: 15A 配置: 单路 特征频率(fT): - 最小包装: 30pcs 发射极基极导通电压VBE(on): 2V 高度: 20.00mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 150 引脚数: 3Pin
BU931T
供应商: Anychip Mall
分类: 达林顿三极管
描述: NPN功率晶体管 TO220C
特性: 带预偏置电阻及保护二极管 安装类型: 插件 品牌: SPTECH 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 集电极-基极电压（VCBO）: 500V 包装: Tube packing 极性: NPN 集射极击穿电压Vceo: 400V 原产地: China 集射极饱和电压(VCE(sat)): 400V 封装/外壳: TO-220C 工作温度: -65℃~+150℃ 配置: 单路 最小包装: 50pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 18.80mm DC电流增益(hFE): 300 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin 类型: NPN
供应商: Anychip Mall
分类: 达林顿三极管
描述: NPN功率晶体管 TO220C
特性: 带预偏置电阻及保护二极管 安装类型: 插件 品牌: SPTECH 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 集电极-基极电压（VCBO）: 500V 包装: Tube packing 极性: NPN 集射极击穿电压Vceo: 400V 原产地: China 集射极饱和电压(VCE(sat)): 400V 封装/外壳: TO-220C 工作温度: -65℃~+150℃ 配置: 单路 最小包装: 50pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 18.80mm DC电流增益(hFE): 300 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin 类型: NPN
2SC2073
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 25W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 包装: Tube packing 极性: NPN 集射极击穿电压Vceo: 150V 原产地: Chnia 集射极饱和电压(VCE(sat)): 150V 长x宽/尺寸: 10.20 x 4.50mm 封装/外壳: TO-220C 工作温度: +150℃(TJ) 集电极电流 Ic: 1.5A 配置: 单路 发射极基极导通电压VBE(on): 850mV 最小包装: 50pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V DC电流增益(hFE): 140 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 25W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 包装: Tube packing 极性: NPN 集射极击穿电压Vceo: 150V 原产地: Chnia 集射极饱和电压(VCE(sat)): 150V 长x宽/尺寸: 10.20 x 4.50mm 封装/外壳: TO-220C 工作温度: +150℃(TJ) 集电极电流 Ic: 1.5A 配置: 单路 发射极基极导通电压VBE(on): 850mV 最小包装: 50pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V DC电流增益(hFE): 140 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin