SPTECH
商品列表
2SA2198
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: SPTECH硅PNP功率晶体管50V 12A TO3PML
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 60W Vce饱和压降: 500mV 包装: Tube packing 极性: PNP 跃迁频率: 25MHz 集射极击穿电压Vceo: 50V 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 20.00 x 5.60mm 封装/外壳: TO3PML 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 12A 配置: 单路 原产国家: China 发射极基极导通电压VBE(on): 1.2V 特征频率(fT): 25MHz 高度: 26.00mm 晶体管类型: PNP DC电流增益(hFE): 50
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: SPTECH硅PNP功率晶体管50V 12A TO3PML
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 60W Vce饱和压降: 500mV 包装: Tube packing 极性: PNP 跃迁频率: 25MHz 集射极击穿电压Vceo: 50V 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 20.00 x 5.60mm 封装/外壳: TO3PML 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 12A 配置: 单路 原产国家: China 发射极基极导通电压VBE(on): 1.2V 特征频率(fT): 25MHz 高度: 26.00mm 晶体管类型: PNP DC电流增益(hFE): 50
TIP151
供应商: Anychip Mall
分类: 达林顿三极管
描述: 硅NPN达林顿功率晶体管
特性: 带预偏置电阻及保护二极管 安装类型: 插件 功率耗散: 80W 集电极-基极电压（VCBO）: 350V 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vceo: 350V 跃迁频率: - 集射极饱和电压(VCE(sat)): 350V 长x宽/尺寸: 10.20 x 4.50mm 封装/外壳: TO-220C 工作温度: -65℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 7A 配置: 单路 高度: 18.80mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 50@5A，5V
供应商: Anychip Mall
分类: 达林顿三极管
描述: 硅NPN达林顿功率晶体管
特性: 带预偏置电阻及保护二极管 安装类型: 插件 功率耗散: 80W 集电极-基极电压（VCBO）: 350V 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vceo: 350V 跃迁频率: - 集射极饱和电压(VCE(sat)): 350V 长x宽/尺寸: 10.20 x 4.50mm 封装/外壳: TO-220C 工作温度: -65℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 7A 配置: 单路 高度: 18.80mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 50@5A，5V
2SA1940
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅PNP功率晶体管
安装类型: 插件 功率耗散: 80W Vce饱和压降: 2V 包装: Tube packing 极性: PNP 集射极击穿电压Vceo: 120V 跃迁频率: 30MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 15.50 x 4.30mm 封装/外壳: TO3PI 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 8A 配置: 单路 特征频率(fT): 30MHz 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 20.10mm DC电流增益(hFE): 160 晶体管类型: PNP 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅PNP功率晶体管
安装类型: 插件 功率耗散: 80W Vce饱和压降: 2V 包装: Tube packing 极性: PNP 集射极击穿电压Vceo: 120V 跃迁频率: 30MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 15.50 x 4.30mm 封装/外壳: TO3PI 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 8A 配置: 单路 特征频率(fT): 30MHz 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 20.10mm DC电流增益(hFE): 160 晶体管类型: PNP 引脚数: 3Pin
2SD884
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 40W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 集电极-基极电压（VCBO）: 330V Vce饱和压降: 1V 包装: Tube packing 极性: NPN 集射极击穿电压Vceo: 200V 跃迁频率: 50MHz 集射极饱和电压(VCE(sat)): 200V 长x宽/尺寸: 10.20 x 4.50mm 封装/外壳: TO-220C 工作温度: +150℃ 配置: 单路 原产国家: Chnia 发射极基极导通电压VBE(on): 1.2V 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V DC电流增益(hFE): 45 晶体管类型: NPN
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 40W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 集电极-基极电压（VCBO）: 330V Vce饱和压降: 1V 包装: Tube packing 极性: NPN 集射极击穿电压Vceo: 200V 跃迁频率: 50MHz 集射极饱和电压(VCE(sat)): 200V 长x宽/尺寸: 10.20 x 4.50mm 封装/外壳: TO-220C 工作温度: +150℃ 配置: 单路 原产国家: Chnia 发射极基极导通电压VBE(on): 1.2V 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V DC电流增益(hFE): 45 晶体管类型: NPN
2SC5570
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 集电极-基极电压（VCBO）: 1700V 包装: Tube packing Vce饱和压降: 5V 极性: NPN 跃迁频率: 25MHz 集射极击穿电压Vceo: 800V 集射极饱和电压(VCE(sat)): 800V 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO-3PL 工作温度: +150℃ 配置: 单路 原产国家: Chnia 最小包装: 25pcs 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 30
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 集电极-基极电压（VCBO）: 1700V 包装: Tube packing Vce饱和压降: 5V 极性: NPN 跃迁频率: 25MHz 集射极击穿电压Vceo: 800V 集射极饱和电压(VCE(sat)): 800V 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO-3PL 工作温度: +150℃ 配置: 单路 原产国家: Chnia 最小包装: 25pcs 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 30
TIP147T
供应商: Anychip Mall
分类: 达林顿三极管
描述: 硅PNP达林顿功率晶体管
特性: 带预偏置电阻及保护二极管 安装类型: 插件 功率耗散: 60W 集电极-基极电压（VCBO）: 100V 包装: Tube packing Vce饱和压降: 2V 集射极击穿电压Vceo: 100V 跃迁频率: - 集射极饱和电压(VCE(sat)): 100V 存储温度: -65℃~+150℃ 封装/外壳: TO-220C 元件生命周期: Active 工作温度: -65℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 8A 配置: 单路 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 零件状态: Active DC电流增益(hFE): 750 晶体管类型: PNP 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 达林顿三极管
描述: 硅PNP达林顿功率晶体管
特性: 带预偏置电阻及保护二极管 安装类型: 插件 功率耗散: 60W 集电极-基极电压（VCBO）: 100V 包装: Tube packing Vce饱和压降: 2V 集射极击穿电压Vceo: 100V 跃迁频率: - 集射极饱和电压(VCE(sat)): 100V 存储温度: -65℃~+150℃ 封装/外壳: TO-220C 元件生命周期: Active 工作温度: -65℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 8A 配置: 单路 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 零件状态: Active DC电流增益(hFE): 750 晶体管类型: PNP 引脚数: 3Pin
SPT15N120F1
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT
描述: 1200V/15A沟槽场阻IGBT
正向电流: 30A 安装类型: 插件 品牌: SPTECH 关断损耗: 0.31mJ 功率耗散: 208W 关断延迟时间: 330ns 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd Vce饱和压降: 1.7V 包装: Tube packing 跃迁频率: - 集射极击穿电压Vceo: 1.2KV 导通损耗: 1.9mJ 封装/外壳: TO-247-3 工作温度: -40℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China 最小包装: 30pcs 开通延迟时间: 55ns DC电流增益(hFE): - 晶体管类型: FS(场截止)
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT
描述: 1200V/15A沟槽场阻IGBT
正向电流: 30A 安装类型: 插件 品牌: SPTECH 关断损耗: 0.31mJ 功率耗散: 208W 关断延迟时间: 330ns 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd Vce饱和压降: 1.7V 包装: Tube packing 跃迁频率: - 集射极击穿电压Vceo: 1.2KV 导通损耗: 1.9mJ 封装/外壳: TO-247-3 工作温度: -40℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China 最小包装: 30pcs 开通延迟时间: 55ns DC电流增益(hFE): - 晶体管类型: FS(场截止)
MJW0281A
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 功率耗散: 150W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd Vce饱和压降: 2V 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vceo: 250V 跃迁频率: - 存储温度: -65℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 15.60 x 4.80mm 封装/外壳: TO3PN 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 15A 配置: 单路 最小包装: 30pcs 发射极基极导通电压VBE(on): 2V 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 20.00mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 150 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 功率耗散: 150W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd Vce饱和压降: 2V 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vceo: 250V 跃迁频率: - 存储温度: -65℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 15.60 x 4.80mm 封装/外壳: TO3PN 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 15A 配置: 单路 最小包装: 30pcs 发射极基极导通电压VBE(on): 2V 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 20.00mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 150 引脚数: 3Pin
BU931T
供应商: Anychip Mall
分类: 达林顿三极管
描述: NPN功率晶体管 TO220C
安装类型: 插件 特性: 带预偏置电阻及保护二极管 品牌: SPTECH 功率耗散: 125W 包装: Tube packing 极性: NPN 跃迁频率: - 集射极击穿电压Vceo: 400V 存储温度: -65℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 10.20 x 4.50mm 封装/外壳: TO220C-3 工作温度: -65℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 10A 配置: 单路 最小包装: 50pcs 零件状态: Active 高度: 18.80mm DC电流增益(hFE): 300 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 达林顿三极管
描述: NPN功率晶体管 TO220C
安装类型: 插件 特性: 带预偏置电阻及保护二极管 品牌: SPTECH 功率耗散: 125W 包装: Tube packing 极性: NPN 跃迁频率: - 集射极击穿电压Vceo: 400V 存储温度: -65℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 10.20 x 4.50mm 封装/外壳: TO220C-3 工作温度: -65℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 10A 配置: 单路 最小包装: 50pcs 零件状态: Active 高度: 18.80mm DC电流增益(hFE): 300 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
2SC2073
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 包装: Tube packing Vce饱和压降: 1.5V 跃迁频率: 4MHz 集射极击穿电压Vceo: 150V 集射极饱和电压(VCE(sat)): 150V 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO-220C 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 1.5A 配置: 单路 原产国家: Chnia 发射极基极导通电压VBE(on): 850mV 最小包装: 50pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 140 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 包装: Tube packing Vce饱和压降: 1.5V 跃迁频率: 4MHz 集射极击穿电压Vceo: 150V 集射极饱和电压(VCE(sat)): 150V 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO-220C 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 1.5A 配置: 单路 原产国家: Chnia 发射极基极导通电压VBE(on): 850mV 最小包装: 50pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 140 引脚数: 3Pin