SPTECH
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MJE15030
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: SPTECH硅NPN功率晶体管150V 8A TO220C
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 50W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 包装: Tube packing 极性: NPN 集射极击穿电压Vceo: 150V 集射极饱和电压(VCE(sat)): 150V 存储温度: -65℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 10.20 x 4.50mm 封装/外壳: TO-220C 工作温度: -65℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 8A 配置: 单路 发射极基极导通电压VBE(on): 1V 特征频率(fT): 20MHz 最小包装: 50pcs 高度: 18.80mm DC电流增益(hFE): 40 晶体管类型: NPN
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: SPTECH硅NPN功率晶体管150V 8A TO220C
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 50W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 包装: Tube packing 极性: NPN 集射极击穿电压Vceo: 150V 集射极饱和电压(VCE(sat)): 150V 存储温度: -65℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 10.20 x 4.50mm 封装/外壳: TO-220C 工作温度: -65℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 8A 配置: 单路 发射极基极导通电压VBE(on): 1V 特征频率(fT): 20MHz 最小包装: 50pcs 高度: 18.80mm DC电流增益(hFE): 40 晶体管类型: NPN
SPT25N120T1
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT
描述: 1200V/25A沟槽场阻IGBT
安装类型: 插件 正向电流: 50A 品牌: SPTECH 功率耗散: 250W 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vceo: 1.2KV 集射极饱和电压(VCE(sat)): 2.05V@25A,15V 长x宽/尺寸: 16.13 x 5.21mm 封装/外壳: TO-247 工作温度: -40℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 25A 配置: 单路 反向恢复时间(trr): 180ns 栅极电荷(Qg): 135nC@15V 高度: 25.57mm 晶体管类型: FS(场截止) DC电流增益(hFE): - 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT
描述: 1200V/25A沟槽场阻IGBT
安装类型: 插件 正向电流: 50A 品牌: SPTECH 功率耗散: 250W 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vceo: 1.2KV 集射极饱和电压(VCE(sat)): 2.05V@25A,15V 长x宽/尺寸: 16.13 x 5.21mm 封装/外壳: TO-247 工作温度: -40℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 25A 配置: 单路 反向恢复时间(trr): 180ns 栅极电荷(Qg): 135nC@15V 高度: 25.57mm 晶体管类型: FS(场截止) DC电流增益(hFE): - 引脚数: 3Pin
TIP150
供应商: Anychip Mall
分类: 达林顿三极管
描述: 硅NPN达林顿功率晶体管
安装类型: 插件 特性: 带预偏置电阻及保护二极管 集电极-基极电压（VCBO）: 300V 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vceo: 300V 集射极饱和电压(VCE(sat)): 300V 长x宽/尺寸: 10.20 x 4.50mm 封装/外壳: TO-220C 工作温度: -65℃~+150℃ 配置: 单路 特征频率(fT): - 发射极与基极之间电压 VEBO: 8V 高度: 18.80mm DC电流增益(hFE): 50 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin 类型: NPN
供应商: Anychip Mall
分类: 达林顿三极管
描述: 硅NPN达林顿功率晶体管
安装类型: 插件 特性: 带预偏置电阻及保护二极管 集电极-基极电压（VCBO）: 300V 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vceo: 300V 集射极饱和电压(VCE(sat)): 300V 长x宽/尺寸: 10.20 x 4.50mm 封装/外壳: TO-220C 工作温度: -65℃~+150℃ 配置: 单路 特征频率(fT): - 发射极与基极之间电压 VEBO: 8V 高度: 18.80mm DC电流增益(hFE): 50 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin 类型: NPN
SPT10N120T1
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT
描述: 1200V/10A沟槽场阻IGBT
安装类型: 插件 正向电流: 20A 品牌: SPTECH 关断损耗: 0.17mJ 功率耗散: 260W 关断延迟时间: 70ns 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vceo: 1.2KV 原产地: China 集射极饱和电压(VCE(sat)): 1.95V@10A,15V 导通损耗: 1.2mJ 封装/外壳: TO-247 工作温度: -40℃~+150℃ 配置: 单路 开通延迟时间: 22ns 反向恢复时间(trr): 270ns 栅极电荷(Qg): 84nC@15V DC电流增益(hFE): - 晶体管类型: FS(场截止)
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT
描述: 1200V/10A沟槽场阻IGBT
安装类型: 插件 正向电流: 20A 品牌: SPTECH 关断损耗: 0.17mJ 功率耗散: 260W 关断延迟时间: 70ns 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vceo: 1.2KV 原产地: China 集射极饱和电压(VCE(sat)): 1.95V@10A,15V 导通损耗: 1.2mJ 封装/外壳: TO-247 工作温度: -40℃~+150℃ 配置: 单路 开通延迟时间: 22ns 反向恢复时间(trr): 270ns 栅极电荷(Qg): 84nC@15V DC电流增益(hFE): - 晶体管类型: FS(场截止)
2SC3835
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 功率耗散: 70W 集电极-基极电压（VCBO）: 200V 包装: Tube packing 极性: NPN 集射极击穿电压Vceo: 120V 集射极饱和电压(VCE(sat)): 120V 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 15.60 x 4.80mm 封装/外壳: TO-3PN 工作温度: +150℃(TJ) 集电极电流 Ic: 7A 配置: 单路 特征频率(fT): 20MHz 发射极基极导通电压VBE(on): 1.2V 最小包装: 30pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: 8V 高度: 20.10mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 220
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 功率耗散: 70W 集电极-基极电压（VCBO）: 200V 包装: Tube packing 极性: NPN 集射极击穿电压Vceo: 120V 集射极饱和电压(VCE(sat)): 120V 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 15.60 x 4.80mm 封装/外壳: TO-3PN 工作温度: +150℃(TJ) 集电极电流 Ic: 7A 配置: 单路 特征频率(fT): 20MHz 发射极基极导通电压VBE(on): 1.2V 最小包装: 30pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: 8V 高度: 20.10mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 220
2SC6104
供应商: Anychip Mall
分类: 数字晶体管
描述: NPN Ic=15A Vceo=50V hfe=60~360 P=60W 预偏置
安装类型: 插件 是否无铅: Yes 品牌: SPTECH 功率耗散: 60W 基极电阻（R1）: - 包装: Tube packing 基射极电阻（R2）: - 集射极击穿电压Vceo: 50V 长x宽/尺寸: 16.10 x 5.70mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO-3PML 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃(TJ) 集电极截止电流 (Icbo): 10μA 集电极电流 Ic: 15A 最小包装: 30pcs 特征频率(fT): 18MHz 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 60~360 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 数字晶体管
描述: NPN Ic=15A Vceo=50V hfe=60~360 P=60W 预偏置
安装类型: 插件 是否无铅: Yes 品牌: SPTECH 功率耗散: 60W 基极电阻（R1）: - 包装: Tube packing 基射极电阻（R2）: - 集射极击穿电压Vceo: 50V 长x宽/尺寸: 16.10 x 5.70mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO-3PML 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃(TJ) 集电极截止电流 (Icbo): 10μA 集电极电流 Ic: 15A 最小包装: 30pcs 特征频率(fT): 18MHz 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 60~360 引脚数: 3Pin
2SC5198
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 包装: Tube packing 极性: NPN 集射极击穿电压Vceo: 140V 原产地: Chnia 集射极饱和电压(VCE(sat)): 140V 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO-3PN 工作温度: +150℃(TJ) 集电极电流 Ic: 10A 配置: 单路 特征频率(fT): 30MHz 最小包装: 30pcs 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 高度: 20.30mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 160 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 包装: Tube packing 极性: NPN 集射极击穿电压Vceo: 140V 原产地: Chnia 集射极饱和电压(VCE(sat)): 140V 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO-3PN 工作温度: +150℃(TJ) 集电极电流 Ic: 10A 配置: 单路 特征频率(fT): 30MHz 最小包装: 30pcs 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 高度: 20.30mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 160 引脚数: 3Pin
BU208
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 55W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 包装: Box packing 极性: NPN 集射极击穿电压Vceo: 700V 原产地: Chnia 集射极饱和电压(VCE(sat)): 700V 长x宽/尺寸: 39.00 x 26.00mm 封装/外壳: TO-3 工作温度: +115℃(TJ) 集电极电流 Ic: 5A 配置: 单路 最小包装: 25pcs 特征频率(fT): 4MHz 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V DC电流增益(hFE): 2.25 晶体管类型: NPN
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 55W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 包装: Box packing 极性: NPN 集射极击穿电压Vceo: 700V 原产地: Chnia 集射极饱和电压(VCE(sat)): 700V 长x宽/尺寸: 39.00 x 26.00mm 封装/外壳: TO-3 工作温度: +115℃(TJ) 集电极电流 Ic: 5A 配置: 单路 最小包装: 25pcs 特征频率(fT): 4MHz 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V DC电流增益(hFE): 2.25 晶体管类型: NPN
2SB863
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅PNP功率晶体管
安装类型: 插件 功率耗散: 100W 集电极-基极电压（VCBO）: 140V 包装: Tube packing 极性: PNP 集射极击穿电压Vceo: 140V 原产地: Chnia 集射极饱和电压(VCE(sat)): 140V 长x宽/尺寸: 15.50 x 4.30mm 封装/外壳: TO-3PI 工作温度: +150℃(TJ) 集电极电流 Ic: 10A 配置: 单路 特征频率(fT): 15MHz 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 20.10mm DC电流增益(hFE): 160 晶体管类型: PNP 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅PNP功率晶体管
安装类型: 插件 功率耗散: 100W 集电极-基极电压（VCBO）: 140V 包装: Tube packing 极性: PNP 集射极击穿电压Vceo: 140V 原产地: Chnia 集射极饱和电压(VCE(sat)): 140V 长x宽/尺寸: 15.50 x 4.30mm 封装/外壳: TO-3PI 工作温度: +150℃(TJ) 集电极电流 Ic: 10A 配置: 单路 特征频率(fT): 15MHz 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 20.10mm DC电流增益(hFE): 160 晶体管类型: PNP 引脚数: 3Pin
SPT40N120T1B
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT
描述: 1200V/40A沟槽场阻IGBT
安装类型: 插件 正向电流: 80A 品牌: SPTECH 关断损耗: 0.6mJ 功率耗散: 260W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vceo: 1.2KV 导通损耗: 2.2mJ 存储温度: -40℃~+150℃ 封装/外壳: TO-247 元件生命周期: Active 输入电容(Ci): 4.4nF@25V 工作温度: -40℃~+150℃ 配置: 单路 最小包装: 30pcs 开通延迟时间: 55ns 栅极电荷(Qg): 270nC@40A,15V 晶体管类型: FS(场截止) DC电流增益(hFE): -
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT
描述: 1200V/40A沟槽场阻IGBT
安装类型: 插件 正向电流: 80A 品牌: SPTECH 关断损耗: 0.6mJ 功率耗散: 260W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vceo: 1.2KV 导通损耗: 2.2mJ 存储温度: -40℃~+150℃ 封装/外壳: TO-247 元件生命周期: Active 输入电容(Ci): 4.4nF@25V 工作温度: -40℃~+150℃ 配置: 单路 最小包装: 30pcs 开通延迟时间: 55ns 栅极电荷(Qg): 270nC@40A,15V 晶体管类型: FS(场截止) DC电流增益(hFE): -