SPTECH
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MJE15030
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: SPTECH硅NPN功率晶体管150V 8A TO220C
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 50W 额定功率: 50W 包装: Tube packing Vce饱和压降: 500mV 极性: NPN 集射极击穿电压Vceo: 150V 跃迁频率: 20MHz 存储温度: -65℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 10.20 x 4.50mm 封装/外壳: TO-220C 工作温度: -65℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 8A 配置: 单路 发射极基极导通电压VBE(on): 1V 特征频率(fT): 20MHz 高度: 18.80mm DC电流增益(hFE): 40 晶体管类型: NPN
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: SPTECH硅NPN功率晶体管150V 8A TO220C
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 50W 额定功率: 50W 包装: Tube packing Vce饱和压降: 500mV 极性: NPN 集射极击穿电压Vceo: 150V 跃迁频率: 20MHz 存储温度: -65℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 10.20 x 4.50mm 封装/外壳: TO-220C 工作温度: -65℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 8A 配置: 单路 发射极基极导通电压VBE(on): 1V 特征频率(fT): 20MHz 高度: 18.80mm DC电流增益(hFE): 40 晶体管类型: NPN
SPT25N120T1
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT
描述: 1200V/25A沟槽场阻IGBT
正向电流: 50A 安装类型: 插件 关断损耗: 0.75mJ 功率耗散: 250W 包装: Tube packing Vce饱和压降: 1.65V 集射极击穿电压Vceo: 1.2KV 跃迁频率: - 导通损耗: 2.2mJ 封装/外壳: TO-247-3 工作温度: -40℃~+150℃ 配置: 单路 最小包装: 30pcs 高度: 25.57mm DC电流增益(hFE): - 晶体管类型: FS(场截止) 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT
描述: 1200V/25A沟槽场阻IGBT
正向电流: 50A 安装类型: 插件 关断损耗: 0.75mJ 功率耗散: 250W 包装: Tube packing Vce饱和压降: 1.65V 集射极击穿电压Vceo: 1.2KV 跃迁频率: - 导通损耗: 2.2mJ 封装/外壳: TO-247-3 工作温度: -40℃~+150℃ 配置: 单路 最小包装: 30pcs 高度: 25.57mm DC电流增益(hFE): - 晶体管类型: FS(场截止) 引脚数: 3Pin
TIP150
供应商: Anychip Mall
分类: 达林顿三极管
描述: 硅NPN达林顿功率晶体管
安装类型: 插件 特性: 带预偏置电阻及保护二极管 集电极-基极电压（VCBO）: 300V 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vceo: 300V 跃迁频率: - 集射极饱和电压(VCE(sat)): 300V 存储温度: -65℃~+150℃ 封装/外壳: TO-220C 工作温度: -65℃~+150℃ 配置: 单路 发射极与基极之间电压 VEBO: 8V 高度: 18.80mm DC电流增益(hFE): 50@5A，5V 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 达林顿三极管
描述: 硅NPN达林顿功率晶体管
安装类型: 插件 特性: 带预偏置电阻及保护二极管 集电极-基极电压（VCBO）: 300V 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vceo: 300V 跃迁频率: - 集射极饱和电压(VCE(sat)): 300V 存储温度: -65℃~+150℃ 封装/外壳: TO-220C 工作温度: -65℃~+150℃ 配置: 单路 发射极与基极之间电压 VEBO: 8V 高度: 18.80mm DC电流增益(hFE): 50@5A，5V 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
SPT10N120T1
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT
描述: 1200V/10A沟槽场阻IGBT
正向电流: 20A 安装类型: 插件 品牌: SPTECH 关断损耗: 0.17mJ 功率耗散: 260W 关断延迟时间: 70ns 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd Vce饱和压降: 1.6V 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vceo: 1.2KV 跃迁频率: - 导通损耗: 1.2mJ 存储温度: -40℃~+150℃ 封装/外壳: TO-247-3 工作温度: -40℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China 开通延迟时间: 22ns 晶体管类型: FS(场截止) DC电流增益(hFE): -
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT
描述: 1200V/10A沟槽场阻IGBT
正向电流: 20A 安装类型: 插件 品牌: SPTECH 关断损耗: 0.17mJ 功率耗散: 260W 关断延迟时间: 70ns 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd Vce饱和压降: 1.6V 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vceo: 1.2KV 跃迁频率: - 导通损耗: 1.2mJ 存储温度: -40℃~+150℃ 封装/外壳: TO-247-3 工作温度: -40℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China 开通延迟时间: 22ns 晶体管类型: FS(场截止) DC电流增益(hFE): -
2SC3835
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 包装: Tube packing Vce饱和压降: 500mV 极性: NPN 跃迁频率: 20MHz 集射极击穿电压Vceo: 120V 集射极饱和电压(VCE(sat)): 120V 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 15.60 x 4.80mm 封装/外壳: TO3PN 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 7A 配置: 单路 原产国家: Chnia 最小包装: 30pcs DC电流增益(hFE): 220 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 包装: Tube packing Vce饱和压降: 500mV 极性: NPN 跃迁频率: 20MHz 集射极击穿电压Vceo: 120V 集射极饱和电压(VCE(sat)): 120V 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 15.60 x 4.80mm 封装/外壳: TO3PN 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 7A 配置: 单路 原产国家: Chnia 最小包装: 30pcs DC电流增益(hFE): 220 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
2SC6104
供应商: Anychip Mall
分类: 带预偏置三极管
描述: NPN Ic=15A Vceo=50V hfe=60~360 P=60W 预偏置
安装类型: 插件 是否无铅: Yes 基极电阻（R1）: - 基射极电阻（R2）: - Vce饱和压降: 500mV 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vceo: 50V 跃迁频率: 18MHz 长x宽/尺寸: 16.10 x 5.70mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO3PML 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 15A 最小包装: 30pcs 特征频率(fT): 18MHz 高度: 26.20mm 零件状态: Active 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 60~360 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 带预偏置三极管
描述: NPN Ic=15A Vceo=50V hfe=60~360 P=60W 预偏置
安装类型: 插件 是否无铅: Yes 基极电阻（R1）: - 基射极电阻（R2）: - Vce饱和压降: 500mV 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vceo: 50V 跃迁频率: 18MHz 长x宽/尺寸: 16.10 x 5.70mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO3PML 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 15A 最小包装: 30pcs 特征频率(fT): 18MHz 高度: 26.20mm 零件状态: Active 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 60~360 引脚数: 3Pin
2SC5198
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 额定功率: 100W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 包装: Tube packing Vce饱和压降: 2V 集射极击穿电压Vceo: 140V 跃迁频率: 30MHz 集射极饱和电压(VCE(sat)): 140V 封装/外壳: TO3PN 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 10A 配置: 单路 特征频率(fT): 30MHz 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 最小包装: 30pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 20.30mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 160 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 额定功率: 100W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 包装: Tube packing Vce饱和压降: 2V 集射极击穿电压Vceo: 140V 跃迁频率: 30MHz 集射极饱和电压(VCE(sat)): 140V 封装/外壳: TO3PN 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 10A 配置: 单路 特征频率(fT): 30MHz 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 最小包装: 30pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 20.30mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 160 引脚数: 3Pin
BU208
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 55W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd Vce饱和压降: 5V 包装: Box packing 极性: NPN 集射极击穿电压Vceo: 700V 跃迁频率: 4MHz 集射极饱和电压(VCE(sat)): 700V 封装/外壳: TO-204-2(TO-3) 工作温度: +115℃ 集电极电流 Ic: 5A 配置: 单路 原产国家: Chnia 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 特征频率(fT): 4MHz 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V DC电流增益(hFE): 2.25 晶体管类型: NPN
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 55W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd Vce饱和压降: 5V 包装: Box packing 极性: NPN 集射极击穿电压Vceo: 700V 跃迁频率: 4MHz 集射极饱和电压(VCE(sat)): 700V 封装/外壳: TO-204-2(TO-3) 工作温度: +115℃ 集电极电流 Ic: 5A 配置: 单路 原产国家: Chnia 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 特征频率(fT): 4MHz 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V DC电流增益(hFE): 2.25 晶体管类型: NPN
2SB863
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅PNP功率晶体管
安装类型: 插件 功率耗散: 100W 集电极-基极电压（VCBO）: 140V 包装: Tube packing Vce饱和压降: 2V 跃迁频率: 15MHz 集射极击穿电压Vceo: 140V 集射极饱和电压(VCE(sat)): 140V 长x宽/尺寸: 15.50 x 4.30mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO3PI 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 10A 配置: 单路 原产国家: Chnia 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 20.10mm DC电流增益(hFE): 160 晶体管类型: PNP
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅PNP功率晶体管
安装类型: 插件 功率耗散: 100W 集电极-基极电压（VCBO）: 140V 包装: Tube packing Vce饱和压降: 2V 跃迁频率: 15MHz 集射极击穿电压Vceo: 140V 集射极饱和电压(VCE(sat)): 140V 长x宽/尺寸: 15.50 x 4.30mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO3PI 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 10A 配置: 单路 原产国家: Chnia 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 20.10mm DC电流增益(hFE): 160 晶体管类型: PNP
SPT40N120T1B
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT
描述: 1200V/40A沟槽场阻IGBT
安装类型: 插件 正向电流: 80A 关断损耗: 0.6mJ 关断延迟时间: 230ns 额定功率: 416W Vce饱和压降: 1.7V 包装: Tube packing 跃迁频率: - 集射极击穿电压Vceo: 1.2KV 存储温度: -40℃~+150℃ 封装/外壳: TO-247-3 元件生命周期: Active 工作温度: -40℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China 输入电容: 4.4nF@25V 开通延迟时间: 55ns 栅极电荷(Qg): 270nC@40A,15V 晶体管类型: FS(场截止) DC电流增益(hFE): -
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT
描述: 1200V/40A沟槽场阻IGBT
安装类型: 插件 正向电流: 80A 关断损耗: 0.6mJ 关断延迟时间: 230ns 额定功率: 416W Vce饱和压降: 1.7V 包装: Tube packing 跃迁频率: - 集射极击穿电压Vceo: 1.2KV 存储温度: -40℃~+150℃ 封装/外壳: TO-247-3 元件生命周期: Active 工作温度: -40℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China 输入电容: 4.4nF@25V 开通延迟时间: 55ns 栅极电荷(Qg): 270nC@40A,15V 晶体管类型: FS(场截止) DC电流增益(hFE): -