REASUNOS
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商品列表
RS30N100D
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=100A TO252-3
安装类型: SMT 品牌: REASUNOS 阈值电压: 1.5V@250μA 额定功率: 88W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 3.1mΩ@10V,20A 极性: N-沟道 连续漏极电流: 100A 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: TO-252(DPAK) 反向传输电容Crss: 300pF@15V 工作温度: -55℃~+175℃(TJ) 输入电容: 2.6nF@15V 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 58nC@10V 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=100A TO252-3
安装类型: SMT 品牌: REASUNOS 阈值电压: 1.5V@250μA 额定功率: 88W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 3.1mΩ@10V,20A 极性: N-沟道 连续漏极电流: 100A 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: TO-252(DPAK) 反向传输电容Crss: 300pF@15V 工作温度: -55℃~+175℃(TJ) 输入电容: 2.6nF@15V 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 58nC@10V 类型: 1个N沟道
RS12N60F
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=600V VGS=±30V ID=12A RDS(ON)=0.5Ω TO220F-3
安装类型: 插件 品牌: REASUNOS 阈值电压: 4V@250μA 额定功率: 65W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 500mΩ@10V,6A 极性: N-沟道 连续漏极电流: 12A 长x宽/尺寸: 10.16 x 4.70mm 封装/外壳: TO-220F-3 反向传输电容Crss: 19pF@25V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 输入电容: 1.073nF@25V 漏源电压(Vdss): 600V 栅极电荷(Qg): 49nC@10V 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=600V VGS=±30V ID=12A RDS(ON)=0.5Ω TO220F-3
安装类型: 插件 品牌: REASUNOS 阈值电压: 4V@250μA 额定功率: 65W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 500mΩ@10V,6A 极性: N-沟道 连续漏极电流: 12A 长x宽/尺寸: 10.16 x 4.70mm 封装/外壳: TO-220F-3 反向传输电容Crss: 19pF@25V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 输入电容: 1.073nF@25V 漏源电压(Vdss): 600V 栅极电荷(Qg): 49nC@10V 类型: 1个N沟道
RS20N65F
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=650V VGS=±30V ID=20A RDS(ON)=0.35Ω TO220F-3
安装类型: 插件 品牌: REASUNOS 阈值电压: 4V@250μA 额定功率: 62W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 350mΩ@10V,10A 极性: N-沟道 连续漏极电流: 20A 长x宽/尺寸: 10.16 x 4.70mm 封装/外壳: TO-220F-3 反向传输电容Crss: 24.8pF@25V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 输入电容: 2.071nF@25V 漏源电压(Vdss): 650V 栅极电荷(Qg): 80nC@10V 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=650V VGS=±30V ID=20A RDS(ON)=0.35Ω TO220F-3
安装类型: 插件 品牌: REASUNOS 阈值电压: 4V@250μA 额定功率: 62W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 350mΩ@10V,10A 极性: N-沟道 连续漏极电流: 20A 长x宽/尺寸: 10.16 x 4.70mm 封装/外壳: TO-220F-3 反向传输电容Crss: 24.8pF@25V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 输入电容: 2.071nF@25V 漏源电压(Vdss): 650V 栅极电荷(Qg): 80nC@10V 类型: 1个N沟道
RS4N65F
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=650V VGS=±30V ID=4A RDS(ON)=2Ω TO220F-3
封装/外壳: TO220F-3 安装类型: DIP 品牌: REASUNOS 漏源电压(Vdss): 650V 连续漏极电流Id@25℃: 4A 极性: N-沟道 长x宽/尺寸: 10.16 x 4.70mm
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=650V VGS=±30V ID=4A RDS(ON)=2Ω TO220F-3
封装/外壳: TO220F-3 安装类型: DIP 品牌: REASUNOS 漏源电压(Vdss): 650V 连续漏极电流Id@25℃: 4A 极性: N-沟道 长x宽/尺寸: 10.16 x 4.70mm