REASUNOS

RS100N57T
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

RS12N65F
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：65W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：<SPAN CLASS=LUCENE_HIGHLIGHT_CLASS>680m</SPAN>Ω@10V,6A

RS10N65F
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

RS100N20D
供应商: Anychip Mall
分类: RS100N20D

RS25N50W
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

RS10N60F
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

RS20N90D
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=90A RDS(ON)=3.7mΩ TO252-3
安装类型: SMT 品牌: REASUNOS 阈值电压: 650mV@250μA 额定功率: 80W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 3.7mΩ@4.5V,20A 极性: N-沟道 连续漏极电流: 90A 长x宽/尺寸: 6.80 x 6.30mm 封装/外壳: TO-252(DPAK) 反向传输电容Crss: 350pF@10V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 输入电容: 4.8nF@10V 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 27nC@4.5V 类型: 1个N沟道

RS3400E
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±12V ID=5.8A SOT23-3
安装类型: SMT 品牌: REASUNOS 阈值电压: 1.4V@250μA 额定功率: 350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 27mΩ@10V,5.8A 极性: N-沟道 连续漏极电流: 5.8A 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 77pF@15V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 输入电容: 1.05nF@15V 漏源电压(Vdss): 30V 类型: 1个N沟道

RS100N135T
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=135A RDS(ON)=3.7mΩ TO220-3
封装/外壳: TO220-3 安装类型: DIP 品牌: REASUNOS 连续漏极电流Id@25℃: 135A 漏源电压(Vdss): 100V 极性: N-沟道 长x宽/尺寸: 10.00 x 4.50mm

RS7N65MD
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=650V VGS=±30V ID=7A RDS(ON)=1.1Ω TO251-3
安装类型: DIP 封装/外壳: TO251-3 品牌: REASUNOS 漏源电压(Vdss): 650V 连续漏极电流Id@25℃: 7A 极性: N-Channel 长x宽/尺寸: 6.50 x 2.30mm