REASUNOS
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商品列表
RSC6105S
供应商: CHIPMALL.COM LIMITED
供应商: CHIPMALL.COM LIMITED
RSC6120S
供应商: CHIPMALL.COM LIMITED
供应商: CHIPMALL.COM LIMITED
RSM1701K0W
供应商: CHIPMALL.COM LIMITED
供应商: CHIPMALL.COM LIMITED
RSS30065W
供应商: CHIPMALL.COM LIMITED
供应商: CHIPMALL.COM LIMITED
RS30N60D
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=60A RDS(ON)=7.5mΩ TO252-3
安装类型: SMT 品牌: REASUNOS 阈值电压: 1.6V@250μA 额定功率: 60W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 6.2mΩ@10V,25A 极性: N-沟道 连续漏极电流: 60A 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: TO-252(DPAK) 反向传输电容Crss: 160pF@15V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 输入电容: 2nF@15V 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 23nC@10V 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=60A RDS(ON)=7.5mΩ TO252-3
安装类型: SMT 品牌: REASUNOS 阈值电压: 1.6V@250μA 额定功率: 60W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 6.2mΩ@10V,25A 极性: N-沟道 连续漏极电流: 60A 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: TO-252(DPAK) 反向传输电容Crss: 160pF@15V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 输入电容: 2nF@15V 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 23nC@10V 类型: 1个N沟道
RS30N50W
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=500V VGS=±30V ID=30A RDS(ON)=85mΩ TO247-3
安装类型: 插件 品牌: REASUNOS 阈值电压: 4V@250μA 额定功率: 320W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 85mΩ@10V,15A 极性: N-沟道 连续漏极电流: 30A 长x宽/尺寸: 16.25 x 5.30mm 封装/外壳: TO-247-3 反向传输电容Crss: 30pF@25V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 输入电容: 7.85nF@25V 漏源电压(Vdss): 500V 栅极电荷(Qg): 150nC@10V 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=500V VGS=±30V ID=30A RDS(ON)=85mΩ TO247-3
安装类型: 插件 品牌: REASUNOS 阈值电压: 4V@250μA 额定功率: 320W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 85mΩ@10V,15A 极性: N-沟道 连续漏极电流: 30A 长x宽/尺寸: 16.25 x 5.30mm 封装/外壳: TO-247-3 反向传输电容Crss: 30pF@25V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 输入电容: 7.85nF@25V 漏源电压(Vdss): 500V 栅极电荷(Qg): 150nC@10V 类型: 1个N沟道
RS30P65D
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=65A TO252-3
安装类型: SMT 品牌: REASUNOS 阈值电压: 1.8V@250μA 额定功率: 83W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 7.1mΩ@10V,20A 极性: P-沟道 连续漏极电流: 65A 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: TO-252(DPAK) 反向传输电容Crss: 175pF@15V 工作温度: -55℃~+175℃(TJ) 输入电容: 3.57nF@15V 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 58nC@10V 类型: 1个P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=65A TO252-3
安装类型: SMT 品牌: REASUNOS 阈值电压: 1.8V@250μA 额定功率: 83W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 7.1mΩ@10V,20A 极性: P-沟道 连续漏极电流: 65A 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: TO-252(DPAK) 反向传输电容Crss: 175pF@15V 工作温度: -55℃~+175℃(TJ) 输入电容: 3.57nF@15V 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 58nC@10V 类型: 1个P沟道