REASUNOS
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RS4N65MD
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=650V VGS=±30V ID=4A RDS(ON)=2Ω TO251-3
封装/外壳: TO251-3 安装类型: DIP 品牌: REASUNOS 连续漏极电流Id@25℃: 4A 漏源电压(Vdss): 650V 极性: N-Channel 长x宽/尺寸: 6.50 x 2.30mm
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=650V VGS=±30V ID=4A RDS(ON)=2Ω TO251-3
封装/外壳: TO251-3 安装类型: DIP 品牌: REASUNOS 连续漏极电流Id@25℃: 4A 漏源电压(Vdss): 650V 极性: N-Channel 长x宽/尺寸: 6.50 x 2.30mm
RSS06065A
供应商: Anychip Mall
分类: 碳化硅二极管
描述: 肖特基二极管 VR=650V IF=9A CT=300pF TO220-2
封装/外壳: TO-220-2 安装类型: 插件 二极管配置: 独立式 品牌: REASUNOS 反向耐压VR: 650V 平均整流电流: 19A 反向电流Izt: 1.2μA@650V 正向压降VF: 1.34V@6A 长x宽/尺寸: 10.08 x 4.50mm
供应商: Anychip Mall
分类: 碳化硅二极管
描述: 肖特基二极管 VR=650V IF=9A CT=300pF TO220-2
封装/外壳: TO-220-2 安装类型: 插件 二极管配置: 独立式 品牌: REASUNOS 反向耐压VR: 650V 平均整流电流: 19A 反向电流Izt: 1.2μA@650V 正向压降VF: 1.34V@6A 长x宽/尺寸: 10.08 x 4.50mm
RSS08065A
供应商: Anychip Mall
分类: 碳化硅二极管
描述: 肖特基二极管 VR=650V IF=31A IR=200μA CT=530pF TO220-2
封装/外壳: TO-220-2 二极管配置: 独立式 安装类型: 插件 品牌: REASUNOS 反向耐压VR: 650V 平均整流电流: 31A 反向电流Izt: 6μA@650V 正向压降VF: 1.39V@8A 长x宽/尺寸: 10.08 x 4.50mm
供应商: Anychip Mall
分类: 碳化硅二极管
描述: 肖特基二极管 VR=650V IF=31A IR=200μA CT=530pF TO220-2
封装/外壳: TO-220-2 二极管配置: 独立式 安装类型: 插件 品牌: REASUNOS 反向耐压VR: 650V 平均整流电流: 31A 反向电流Izt: 6μA@650V 正向压降VF: 1.39V@8A 长x宽/尺寸: 10.08 x 4.50mm
RSS10065A
供应商: Anychip Mall
分类: 碳化硅二极管
描述: 肖特基二极管 VR=650V IF=29A IR=100μA CT=440pF TO220-2
二极管配置: 独立式 封装/外壳: TO-220-2 安装类型: 插件 品牌: REASUNOS 反向耐压VR: 650V 平均整流电流: 29A 反向电流Izt: 5μA@650V 正向压降VF: 1.37V@10A 长x宽/尺寸: 10.08 x 4.50mm
供应商: Anychip Mall
分类: 碳化硅二极管
描述: 肖特基二极管 VR=650V IF=29A IR=100μA CT=440pF TO220-2
二极管配置: 独立式 封装/外壳: TO-220-2 安装类型: 插件 品牌: REASUNOS 反向耐压VR: 650V 平均整流电流: 29A 反向电流Izt: 5μA@650V 正向压降VF: 1.37V@10A 长x宽/尺寸: 10.08 x 4.50mm
RS30N86D
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=86A RDS(ON)=5.5mΩ TO252-3
安装类型: SMT 品牌: REASUNOS 阈值电压: 1.5V@250μA 额定功率: 83W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 4.7mΩ@10V,30A 极性: N-沟道 连续漏极电流: 86A 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: TO-252(DPAK) 反向传输电容Crss: 230pF@15V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 输入电容: 2.33nF@15V 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 51nC@10V 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=86A RDS(ON)=5.5mΩ TO252-3
安装类型: SMT 品牌: REASUNOS 阈值电压: 1.5V@250μA 额定功率: 83W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 4.7mΩ@10V,30A 极性: N-沟道 连续漏极电流: 86A 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: TO-252(DPAK) 反向传输电容Crss: 230pF@15V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 输入电容: 2.33nF@15V 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 51nC@10V 类型: 1个N沟道
RSM120080Z
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=1200V VGS=-10~+25V ID=28A RDS(ON)=80mΩ TO247-4
安装类型: 插件 品牌: REASUNOS 功率耗散: 166W 阈值电压: 2.4V 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 80mΩ 沟道类型: 1个N沟道 极性: N-沟道 连续漏极电流: 28A 长x宽/尺寸: 15.90 x 5.00mm 封装/外壳: TO-247-4 漏极电流: 36A 反向传输电容Crss: 11pF 栅极源极击穿电压: 1200V 工作温度: -40℃~+150℃ 输入电容: 1475pF 漏源电压(Vdss): 1.2KV 栅极电荷(Qg): 79nC
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=1200V VGS=-10~+25V ID=28A RDS(ON)=80mΩ TO247-4
安装类型: 插件 品牌: REASUNOS 功率耗散: 166W 阈值电压: 2.4V 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 80mΩ 沟道类型: 1个N沟道 极性: N-沟道 连续漏极电流: 28A 长x宽/尺寸: 15.90 x 5.00mm 封装/外壳: TO-247-4 漏极电流: 36A 反向传输电容Crss: 11pF 栅极源极击穿电压: 1200V 工作温度: -40℃~+150℃ 输入电容: 1475pF 漏源电压(Vdss): 1.2KV 栅极电荷(Qg): 79nC
RSS40120K
供应商: Anychip Mall
分类: SiC肖特基二极管
描述: 应用：车载OBC，PHEV/EV充电桩，电信级电源、服务器电源,大功率工业电源，电机驱动器,UPS电源,太阳能/风能逆变器，家电,医疗，航空航天，远洋设备，电网，机器人，新能源汽车，动车
供应商: Anychip Mall
分类: SiC肖特基二极管
描述: 应用：车载OBC，PHEV/EV充电桩，电信级电源、服务器电源,大功率工业电源，电机驱动器,UPS电源,太阳能/风能逆变器，家电,医疗，航空航天，远洋设备，电网，机器人，新能源汽车，动车