AOS
AOS Thermal Compounds is a manufacturer of dependable thermal management solutions including thermal paste heat sink compounds silicone grease and non-silicone grease.
商品列表
AOD4130
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: TO-252 N-Channel 20V 60V 30A 52W 24mΩ@10V
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 技术路线: MOSFET (Metal Oxide) 功率耗散: 2.5W,52W 阈值电压: 2.8V 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 30A 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 存储温度: -55℃~+175℃ 封装/外壳: TO-252(DPAK) 工作温度: -55℃~+175℃(TJ) FET功能: - Vgs(Max): ±20V 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 34nC 高度: 2.29mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: TO-252 N-Channel 20V 60V 30A 52W 24mΩ@10V
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 技术路线: MOSFET (Metal Oxide) 功率耗散: 2.5W,52W 阈值电压: 2.8V 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 30A 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 存储温度: -55℃~+175℃ 封装/外壳: TO-252(DPAK) 工作温度: -55℃~+175℃(TJ) FET功能: - Vgs(Max): ±20V 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 34nC 高度: 2.29mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
AO4449
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型 P 通道 30 V 7A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 功率耗散: 3.1W 阈值电压: 2.4V 极性: P-沟道 连续漏极电流: 7A 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOIC-8 栅极源极击穿电压: ±20V 输入电容(Ci): 910pF 工作温度: -55℃~+150℃ 系列: - FET功能: - Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 34mΩ@7A,10V 栅极电荷(Qg): 16nC@10V 高度: 1.50mm 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道 引脚数: 8Pin 类型: 1个P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型 P 通道 30 V 7A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 功率耗散: 3.1W 阈值电压: 2.4V 极性: P-沟道 连续漏极电流: 7A 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOIC-8 栅极源极击穿电压: ±20V 输入电容(Ci): 910pF 工作温度: -55℃~+150℃ 系列: - FET功能: - Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 34mΩ@7A,10V 栅极电荷(Qg): 16nC@10V 高度: 1.50mm 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道 引脚数: 8Pin 类型: 1个P沟道
AOD468
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: VDS=300V,ID=11.5A N-Channel MOSFET DPAK
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 功率耗散: 150W 阈值电压: 4.5V 极性: N-沟道 连续漏极电流: 11.5A 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: TO-252(DPAK) 栅极源极击穿电压: ±30V 输入电容(Ci): 790pF@25V 工作温度: -55℃~+150℃ 系列: - FET功能: - Vgs(Max): ±30V 漏源电压(Vdss): 300V 导通电阻(RDS(on): 420mΩ@10V 栅极电荷(Qg): 16nC@10V 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: VDS=300V,ID=11.5A N-Channel MOSFET DPAK
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 功率耗散: 150W 阈值电压: 4.5V 极性: N-沟道 连续漏极电流: 11.5A 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: TO-252(DPAK) 栅极源极击穿电压: ±30V 输入电容(Ci): 790pF@25V 工作温度: -55℃~+150℃ 系列: - FET功能: - Vgs(Max): ±30V 漏源电压(Vdss): 300V 导通电阻(RDS(on): 420mΩ@10V 栅极电荷(Qg): 16nC@10V 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
AO3422
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: MOSFETs N-Channel VDS=55V ID=2.1A P=1.25W SOT23
湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 漏源电流(Idss): 2.1A 击穿电压: 55V 阈值电压: 2V 极性: N-沟道 连续漏极电流: 2.1A 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.60mm 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±12V 输入电容(Ci): 300pF@25V 工作温度: -55℃~+150℃ Vgs(Max): ±12V 栅极电荷(Qg): 3.3nC 高度: 1.05mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin 安装类型: SMT 功率耗散: 1.25W 反向传输电容Crss: 12.6pF 系列: - FET功能: - 漏源电压(Vdss): 55V 导通电阻(RDS(on): 160mΩ@4.5V 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: MOSFETs N-Channel VDS=55V ID=2.1A P=1.25W SOT23
湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 漏源电流(Idss): 2.1A 击穿电压: 55V 阈值电压: 2V 极性: N-沟道 连续漏极电流: 2.1A 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.60mm 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±12V 输入电容(Ci): 300pF@25V 工作温度: -55℃~+150℃ Vgs(Max): ±12V 栅极电荷(Qg): 3.3nC 高度: 1.05mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin 安装类型: SMT 功率耗散: 1.25W 反向传输电容Crss: 12.6pF 系列: - FET功能: - 漏源电压(Vdss): 55V 导通电阻(RDS(on): 160mΩ@4.5V 类型: 1个N沟道
AO4453
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型 P 通道 12 V 9A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOIC
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 是否无铅: No 品牌: AOS 阈值电压: 900mV 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 9A 封装/外壳: SOIC-8 输入电容(Ci): 1.37nF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 系列: - FET功能: - 漏源电压(Vdss): 12V 导通电阻(RDS(on): 19mΩ@9A,4.5V 栅极电荷(Qg): 18nC 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型 P 通道 12 V 9A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOIC
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 是否无铅: No 品牌: AOS 阈值电压: 900mV 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 9A 封装/外壳: SOIC-8 输入电容(Ci): 1.37nF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 系列: - FET功能: - 漏源电压(Vdss): 12V 导通电阻(RDS(on): 19mΩ@9A,4.5V 栅极电荷(Qg): 18nC 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道 引脚数: 8Pin
AO4459
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: MOSFETs P-channel VDS=30V ID=6.5A SOIC8_150MIL
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 击穿电压: 30V 功率耗散: 3.1W 阈值电压: 2.5V 极性: P-沟道 连续漏极电流: 6.5A 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOIC-8 反向传输电容Crss: 65pF 栅极源极击穿电压: ±20V 输入电容(Ci): 830pF 工作温度: -55℃~+150℃ 系列: - FET功能: - 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 46mΩ@10V 栅极电荷(Qg): 16nC@10V 高度: 1.65mm 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道 引脚数: 8Pin 类型: 1个P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: MOSFETs P-channel VDS=30V ID=6.5A SOIC8_150MIL
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 击穿电压: 30V 功率耗散: 3.1W 阈值电压: 2.5V 极性: P-沟道 连续漏极电流: 6.5A 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOIC-8 反向传输电容Crss: 65pF 栅极源极击穿电压: ±20V 输入电容(Ci): 830pF 工作温度: -55℃~+150℃ 系列: - FET功能: - 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 46mΩ@10V 栅极电荷(Qg): 16nC@10V 高度: 1.65mm 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道 引脚数: 8Pin 类型: 1个P沟道
AOD5B65M1
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT
描述: 650V，5A阿尔法IGBT带软快速恢复反并联二极管 DPAK
正向电流: 10A 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: AOS 关断损耗: 0.07mJ 包装: Tape/reel 脉冲电流-集电极(Icm): 15A 集射极击穿电压Vceo: 650V 原产地: America 集射极饱和电压(VCE(sat)): 650V 封装/外壳: TO-252(DPAK) 元件生命周期: Active 输入电容(Ci): 348pF 工作温度: -55℃~+150℃ 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）: 1.98V@15V，5A 开关能量: 80µJ（开），70µJ（关） 最小包装: 2500pcs 栅极电荷(Qg): 14nC 晶体管类型: - 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT
描述: 650V，5A阿尔法IGBT带软快速恢复反并联二极管 DPAK
正向电流: 10A 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: AOS 关断损耗: 0.07mJ 包装: Tape/reel 脉冲电流-集电极(Icm): 15A 集射极击穿电压Vceo: 650V 原产地: America 集射极饱和电压(VCE(sat)): 650V 封装/外壳: TO-252(DPAK) 元件生命周期: Active 输入电容(Ci): 348pF 工作温度: -55℃~+150℃ 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）: 1.98V@15V，5A 开关能量: 80µJ（开），70µJ（关） 最小包装: 2500pcs 栅极电荷(Qg): 14nC 晶体管类型: - 引脚数: 3Pin
AOZ1036PI
供应商: Anychip Mall
分类: DC-DC电源芯片
描述: 功能类型：降压型 输出类型：可调 输入电压：4.5V~18V 输出电压：800mV~18V 输出电流(最大值)：5A
安装类型: SMT 输出配置: Positive 拓扑结构: 降压 原始制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 工作电压: 4.5V~18V 输入电压: 4.5V~18V 输入电压（最小值）: 4.5V 长x宽/尺寸: 4.96 x 3.90mm 输出类型: 可调 封装/外壳: SO8_150MIL_EP 同步整流: 是 功能: Buck 原产国家: America 输出电流: 5A 开关频率: 500KHz 输出电压: 800mV 内置开关管: 内置 输出通道数: 1 输入电压（最大值）: 18V 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: DC-DC电源芯片
描述: 功能类型：降压型 输出类型：可调 输入电压：4.5V~18V 输出电压：800mV~18V 输出电流(最大值)：5A
安装类型: SMT 输出配置: Positive 拓扑结构: 降压 原始制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 工作电压: 4.5V~18V 输入电压: 4.5V~18V 输入电压（最小值）: 4.5V 长x宽/尺寸: 4.96 x 3.90mm 输出类型: 可调 封装/外壳: SO8_150MIL_EP 同步整流: 是 功能: Buck 原产国家: America 输出电流: 5A 开关频率: 500KHz 输出电压: 800mV 内置开关管: 内置 输出通道数: 1 输入电压（最大值）: 18V 引脚数: 8Pin
AON7544
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道AlphaMOS VDS=30V VGS=±20V ID=30A DFN3X3_EP
安装类型: SMT 击穿电压: 30V 功率耗散: 23W 阈值电压: 2.2V 极性: N-沟道 连续漏极电流: 30A 长x宽/尺寸: 3.00 x 3.00mm 封装/外壳: DFN-8-EP(3x3) 反向传输电容Crss: 62pF 栅极源极击穿电压: ±20V 输入电容(Ci): 951pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 5mΩ@10V 栅极电荷(Qg): 22.5nC 高度: 0.80mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道AlphaMOS VDS=30V VGS=±20V ID=30A DFN3X3_EP
安装类型: SMT 击穿电压: 30V 功率耗散: 23W 阈值电压: 2.2V 极性: N-沟道 连续漏极电流: 30A 长x宽/尺寸: 3.00 x 3.00mm 封装/外壳: DFN-8-EP(3x3) 反向传输电容Crss: 62pF 栅极源极击穿电压: ±20V 输入电容(Ci): 951pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 5mΩ@10V 栅极电荷(Qg): 22.5nC 高度: 0.80mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin 类型: 1个N沟道
AOD2610E
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型 N 通道 60V 46A 59.5W TO-252（DPAK）
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 漏源电流(Idss): 46A 击穿电压: 60V 功率耗散: 59.5W 阈值电压: 2.4V 极性: N沟道 连续漏极电流: 46A 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: TO-252 反向传输电容Crss: 28pF 栅极源极击穿电压: ±20V 输入电容(Ci): 1.1nF 工作温度: -55℃~+150℃ 系列: - Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 60V 导通电阻(RDS(on): 9.5mΩ@10V,20A 栅极电荷(Qg): 25nC@10V 高度: 2.29mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型 N 通道 60V 46A 59.5W TO-252（DPAK）
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 漏源电流(Idss): 46A 击穿电压: 60V 功率耗散: 59.5W 阈值电压: 2.4V 极性: N沟道 连续漏极电流: 46A 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: TO-252 反向传输电容Crss: 28pF 栅极源极击穿电压: ±20V 输入电容(Ci): 1.1nF 工作温度: -55℃~+150℃ 系列: - Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 60V 导通电阻(RDS(on): 9.5mΩ@10V,20A 栅极电荷(Qg): 25nC@10V 高度: 2.29mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin 类型: 1个N沟道