AOS
AOS Thermal Compounds is a manufacturer of dependable thermal management solutions including thermal paste heat sink compounds silicone grease and non-silicone grease.
商品列表
AOD4130
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs 60V 6.60 x 6.10mm SMT TO252 20A
安装类型: SMT 品牌: AOS 阈值电压: 2.8V 额定功率: 2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 24mΩ@10V,20A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 30A 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 4.5V，10V 封装/外壳: TO-252(DPAK) 制造商标准提前期: 16 周 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+175℃(TJ) 系列: - 输入电容: 1.9nF FET功能: - 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 34nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs 60V 6.60 x 6.10mm SMT TO252 20A
安装类型: SMT 品牌: AOS 阈值电压: 2.8V 额定功率: 2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 24mΩ@10V,20A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 30A 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 4.5V，10V 封装/外壳: TO-252(DPAK) 制造商标准提前期: 16 周 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+175℃(TJ) 系列: - 输入电容: 1.9nF FET功能: - 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 34nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
AO4449
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 表面贴装型 P 通道 30 V 7A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
安装类型: SMT 是否无铅: No 品牌: AOS 功率耗散: 3.1W 阈值电压: 2.4V 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 7A 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 4.5V，10V 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SO-8_4.9X3.9MM 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 输入电容: 910pF FET功能: - 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 16nC@10V 晶体管类型: P沟道 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 表面贴装型 P 通道 30 V 7A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
安装类型: SMT 是否无铅: No 品牌: AOS 功率耗散: 3.1W 阈值电压: 2.4V 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 7A 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 4.5V，10V 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SO-8_4.9X3.9MM 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 输入电容: 910pF FET功能: - 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 16nC@10V 晶体管类型: P沟道 引脚数: 8Pin
AOD468
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: VDS=300V,ID=11.5A N-Channel MOSFET DPAK
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 技术路线: MOSFET (Metal Oxide) 阈值电压: 4.5V@250µA 原始制造商: Alpha and Omega Semiconductor 额定功率: 150W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 420mΩ@10V,6A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 11.5A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: D-PAK 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: America FET功能: - 漏源电压(Vdss): 300V 栅极电荷(Qg): 16nC@10V 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: VDS=300V,ID=11.5A N-Channel MOSFET DPAK
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 技术路线: MOSFET (Metal Oxide) 阈值电压: 4.5V@250µA 原始制造商: Alpha and Omega Semiconductor 额定功率: 150W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 420mΩ@10V,6A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 11.5A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: D-PAK 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: America FET功能: - 漏源电压(Vdss): 300V 栅极电荷(Qg): 16nC@10V 晶体管类型: N沟道
AO3422
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 55V,2.1A,N沟道MOSFET
安装类型: SMT 击穿电压: 55V 阈值电压: 2V@250µA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 160mΩ@4.5V,2.1A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 2.1A 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 漏极电流: 2.1A 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 12.6pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 FET功能: - 漏源电压(Vdss): 55V 栅极电荷(Qg): 3.3nC 高度: 1.05mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 55V,2.1A,N沟道MOSFET
安装类型: SMT 击穿电压: 55V 阈值电压: 2V@250µA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 160mΩ@4.5V,2.1A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 2.1A 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 漏极电流: 2.1A 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 12.6pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 FET功能: - 漏源电压(Vdss): 55V 栅极电荷(Qg): 3.3nC 高度: 1.05mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
AO4453
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 表面贴装型 P 通道 12 V 9A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOIC
安装类型: SMT 是否无铅: No 功率耗散: 2.5W 技术路线: MOSFET (Metal Oxide) 阈值电压: 900mV 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 9A 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SO-8_4.9X3.9MM 制造商标准提前期: 16 周 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 18nC 配置: 单路 FET功能: - 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 12V 栅极电荷(Qg): 18nC 高度: 1.50mm 晶体管类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 表面贴装型 P 通道 12 V 9A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOIC
安装类型: SMT 是否无铅: No 功率耗散: 2.5W 技术路线: MOSFET (Metal Oxide) 阈值电压: 900mV 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 9A 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SO-8_4.9X3.9MM 制造商标准提前期: 16 周 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 18nC 配置: 单路 FET功能: - 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 12V 栅极电荷(Qg): 18nC 高度: 1.50mm 晶体管类型: P沟道
AO4459
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs P-channel VDS=30V ID=6.5A SOIC8_150MIL
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: AOS 技术路线: MOSFET (Metal Oxide) 击穿电压: 30V 阈值电压: 2.5V@250µA 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 6.5A 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOIC8_150MIL 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: America FET功能: - 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 16nC@10V 高度: 1.65mm 晶体管类型: P沟道 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs P-channel VDS=30V ID=6.5A SOIC8_150MIL
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: AOS 技术路线: MOSFET (Metal Oxide) 击穿电压: 30V 阈值电压: 2.5V@250µA 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 6.5A 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOIC8_150MIL 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: America FET功能: - 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 16nC@10V 高度: 1.65mm 晶体管类型: P沟道 引脚数: 8Pin
AOD5B65M1
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT
描述: 650V，5A阿尔法IGBT带软快速恢复反并联二极管 DPAK
正向电流: 10A 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 关断损耗: 0.07mJ 输入类型: 标准 额定功率: 69W 原始制造商: Alpha and Omega Semiconductor 包装: Tape/reel 集射极击穿电压Vce(Max): 650V 封装/外壳: D-PAK 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）: 1.98V@15V，5A 开关能量: 80µJ（开），70µJ（关） 最小包装: 2500pcs 栅极电荷(Qg): 14nC 高度: 2.29mm 晶体管类型: - 栅极-射极电压VGE: 1.98V@15V,5A 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT
描述: 650V，5A阿尔法IGBT带软快速恢复反并联二极管 DPAK
正向电流: 10A 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 关断损耗: 0.07mJ 输入类型: 标准 额定功率: 69W 原始制造商: Alpha and Omega Semiconductor 包装: Tape/reel 集射极击穿电压Vce(Max): 650V 封装/外壳: D-PAK 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）: 1.98V@15V，5A 开关能量: 80µJ（开），70µJ（关） 最小包装: 2500pcs 栅极电荷(Qg): 14nC 高度: 2.29mm 晶体管类型: - 栅极-射极电压VGE: 1.98V@15V,5A 引脚数: 3Pin
AOZ1036PI
供应商: Anychip Mall
分类: DC-DC电源芯片
描述: 功能类型：降压型 输出类型：可调 输入电压：4.5V~18V 输出电压：800mV~18V 输出电流(最大值)：5A
安装类型: SMT 输出配置: Positive 拓扑结构: 降压 原始制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 工作电压: 4.5V~18V 输入电压（最小值）: 4.5V 封装/外壳: SO8_150MIL_EP 输出类型: Adjustable 元件生命周期: Active 同步整流: 是 工作温度: -40℃~+85℃ 系列: - 功能: Buck 原产国家: America 输出电流: 5A 开关频率: 500KHz 内置开关管: 内置 输出电压: 800mV 输入电压（最大值）: 18V 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: DC-DC电源芯片
描述: 功能类型：降压型 输出类型：可调 输入电压：4.5V~18V 输出电压：800mV~18V 输出电流(最大值)：5A
安装类型: SMT 输出配置: Positive 拓扑结构: 降压 原始制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 工作电压: 4.5V~18V 输入电压（最小值）: 4.5V 封装/外壳: SO8_150MIL_EP 输出类型: Adjustable 元件生命周期: Active 同步整流: 是 工作温度: -40℃~+85℃ 系列: - 功能: Buck 原产国家: America 输出电流: 5A 开关频率: 500KHz 内置开关管: 内置 输出电压: 800mV 输入电压（最大值）: 18V 引脚数: 8Pin
AON7544
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道AlphaMOS VDS=30V VGS=±20V ID=30A DFN3X3_EP
安装类型: SMT 品牌: AOS 功率耗散: 23W 击穿电压: 30V 阈值电压: 2.2V@250μA 原始制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 30A 封装/外壳: DFN8_3X3MM_EP 反向传输电容Crss: 62pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 15.7nC 配置: 单路 原产国家: America 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 22.5nC 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道AlphaMOS VDS=30V VGS=±20V ID=30A DFN3X3_EP
安装类型: SMT 品牌: AOS 功率耗散: 23W 击穿电压: 30V 阈值电压: 2.2V@250μA 原始制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 30A 封装/外壳: DFN8_3X3MM_EP 反向传输电容Crss: 62pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 15.7nC 配置: 单路 原产国家: America 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 22.5nC 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin
AOD2610E
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 表面贴装型 N 通道 60V 46A 59.5W TO-252（DPAK）
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 是否无铅: 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 击穿电压: 60V 阈值电压: 2.4V@250µA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 9.5mΩ@10V,20A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 46A 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: TO-252(DPAK) 漏极电流: 46A 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 28pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 系列: - 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 25nC@10V 零件状态: 在售 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 表面贴装型 N 通道 60V 46A 59.5W TO-252（DPAK）
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 是否无铅: 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 击穿电压: 60V 阈值电压: 2.4V@250µA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 9.5mΩ@10V,20A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 46A 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: TO-252(DPAK) 漏极电流: 46A 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 28pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 系列: - 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 25nC@10V 零件状态: 在售 晶体管类型: N沟道