AOS
AOS Thermal Compounds is a manufacturer of dependable thermal management solutions including thermal paste heat sink compounds silicone grease and non-silicone grease.
商品列表
AOZ1284PI
供应商: Anychip Mall
分类: DC-DC电源芯片
描述: DC-DC电源芯片 SOIC8_150MIL_EP 3~36V 4A
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 输出配置: Positive 品牌: AOS 拓扑结构: 降压 原始制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 工作电压: 3V~36V 输入电压: 3V~36V 封装/外壳: SOIC8_150MIL_EP 输出类型: 可调 同步整流: 否 系列: EZBuck™ 功能: 降压 原产国家: America 输出电流: 4A 开关频率: 1MHz 输出电压: 0.8V~30V 内置开关管: 内置 认证信息: RoHS 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: DC-DC电源芯片
描述: DC-DC电源芯片 SOIC8_150MIL_EP 3~36V 4A
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 输出配置: Positive 品牌: AOS 拓扑结构: 降压 原始制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 工作电压: 3V~36V 输入电压: 3V~36V 封装/外壳: SOIC8_150MIL_EP 输出类型: 可调 同步整流: 否 系列: EZBuck™ 功能: 降压 原产国家: America 输出电流: 4A 开关频率: 1MHz 输出电压: 0.8V~30V 内置开关管: 内置 认证信息: RoHS 引脚数: 8Pin
AO3406
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 30V N沟道MOSFET SOT23 ID=3.6A PD=1.4W
安装类型: SMT 功率耗散: 1.4W 阈值电压: 2.5V@250µA 额定功率: 1.4W 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 3.6A 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 4.5V，10V 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 系列: - 输入电容: 210pF@15V FET功能: - Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 5nC@10V 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 30V N沟道MOSFET SOT23 ID=3.6A PD=1.4W
安装类型: SMT 功率耗散: 1.4W 阈值电压: 2.5V@250µA 额定功率: 1.4W 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 3.6A 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 4.5V，10V 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 系列: - 输入电容: 210pF@15V FET功能: - Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 5nC@10V 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
AO3416
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs N-沟道 20V 6.5A SOT-23
安装类型: SMT 漏源电流(Idss): 6.5A 阈值电压: 1V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 6.5A 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 87pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 10nC 配置: 单路 系列: - FET功能: - Vgs(Max): ±8V 漏源电压(Vdss): 20V 认证信息: RoHS 栅极电荷(Qg): 16nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs N-沟道 20V 6.5A SOT-23
安装类型: SMT 漏源电流(Idss): 6.5A 阈值电压: 1V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 6.5A 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 87pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 10nC 配置: 单路 系列: - FET功能: - Vgs(Max): ±8V 漏源电压(Vdss): 20V 认证信息: RoHS 栅极电荷(Qg): 16nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
AOD442
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 60V N-Channel MOSFET VDS=60V ID=37A TO252
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: AOS 击穿电压: 60V 阈值电压: 2.7V@250µA 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 37A 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 4.5V，10V 封装/外壳: TO-252(DPAK) 工作温度: -55℃~+175℃ 配置: 单路 输入电容: 2.3nF@30V FET功能: - Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 68nC@10V 零件状态: Active 高度: 2.29mm 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 60V N-Channel MOSFET VDS=60V ID=37A TO252
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: AOS 击穿电压: 60V 阈值电压: 2.7V@250µA 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 37A 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 4.5V，10V 封装/外壳: TO-252(DPAK) 工作温度: -55℃~+175℃ 配置: 单路 输入电容: 2.3nF@30V FET功能: - Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 68nC@10V 零件状态: Active 高度: 2.29mm 晶体管类型: N沟道
AOZ1360AIL
供应商: Anychip Mall
分类: 电源开关/负载开关
描述: SOIC8_150MIL 5.5~28V 1 On/Off
安装类型: SMT 输出配置: High Side 品牌: AOS 工作电压: 5.5V~28V 比率（输入：输出）: 1:1 输入电压: 5.5V~28V 输出类型: P通道 封装/外壳: SOICN-8_4.9X3.9MM 元件生命周期: Active 接口: On/Off 工作温度: -40℃~+85℃ 开关类型: 通用 原产国家: America 输出电流: - 故障保护: 限流(可调),超温,UVLO 通道数: 1 输出通道数: 1 负载电压: 5.5~28V 类型: 高侧开关 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 电源开关/负载开关
描述: SOIC8_150MIL 5.5~28V 1 On/Off
安装类型: SMT 输出配置: High Side 品牌: AOS 工作电压: 5.5V~28V 比率（输入：输出）: 1:1 输入电压: 5.5V~28V 输出类型: P通道 封装/外壳: SOICN-8_4.9X3.9MM 元件生命周期: Active 接口: On/Off 工作温度: -40℃~+85℃ 开关类型: 通用 原产国家: America 输出电流: - 故障保护: 限流(可调),超温,UVLO 通道数: 1 输出通道数: 1 负载电压: 5.5~28V 类型: 高侧开关 引脚数: 8Pin
AON6298
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 100V N-Channel MOSFET VDS=100V ID=46A DFN8_5.55X5.2MM_EP
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 阈值电压: 3.4V 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 13.7mΩ@10V,20A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 46A 长x宽/尺寸: 5.55 x 5.20mm 封装/外壳: DFN8_5.55X5.2MM_EP 反向传输电容Crss: 8pF@50V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 23nC 配置: 单路 FET功能: - 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 100V 栅极电荷(Qg): 23nC@10V 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道 引脚数: 5Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 100V N-Channel MOSFET VDS=100V ID=46A DFN8_5.55X5.2MM_EP
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 阈值电压: 3.4V 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 13.7mΩ@10V,20A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 46A 长x宽/尺寸: 5.55 x 5.20mm 封装/外壳: DFN8_5.55X5.2MM_EP 反向传输电容Crss: 8pF@50V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 23nC 配置: 单路 FET功能: - 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 100V 栅极电荷(Qg): 23nC@10V 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道 引脚数: 5Pin
AOD482
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs 100V 6.60 x 6.10mm SMT TO252 32A
安装类型: SMT 击穿电压: 100V 技术路线: MOSFET (Metal Oxide) 阈值电压: 2.7V@250µA 原始制造商: Alpha and Omega Semiconductor 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 37mΩ@10V,10A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 32A 封装/外壳: TO-252(DPAK) 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+175℃ 配置: 单路 原产国家: America FET功能: - Vgs(Max): ±20V 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 100V 栅极电荷(Qg): 44nC@10V 高度: 2.29mm 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs 100V 6.60 x 6.10mm SMT TO252 32A
安装类型: SMT 击穿电压: 100V 技术路线: MOSFET (Metal Oxide) 阈值电压: 2.7V@250µA 原始制造商: Alpha and Omega Semiconductor 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 37mΩ@10V,10A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 32A 封装/外壳: TO-252(DPAK) 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+175℃ 配置: 单路 原产国家: America FET功能: - Vgs(Max): ±20V 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 100V 栅极电荷(Qg): 44nC@10V 高度: 2.29mm 晶体管类型: N沟道
AO3418
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs 30V 2.90 x 1.60mm SMT SOT23 3.1A N-Channel
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 漏源电流(Idss): 3.8A 阈值电压: 1.8V@250µA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 60mΩ@10V,3.8A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 3.1A 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 25pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 10nC 配置: 单路 FET功能: - Vgs(Max): ±12V 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 3.2nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs 30V 2.90 x 1.60mm SMT SOT23 3.1A N-Channel
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 漏源电流(Idss): 3.8A 阈值电压: 1.8V@250µA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 60mΩ@10V,3.8A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 3.1A 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 25pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 10nC 配置: 单路 FET功能: - Vgs(Max): ±12V 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 3.2nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
AO4292E
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=8A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SO8
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 漏源电流(Idss): 5μA 击穿电压: ±20V 阈值电压: 2.7V@250µA 原始制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 8A 封装/外壳: SOIC8N_150MIL 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 系列: - 原产国家: America Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 100V 栅极电荷(Qg): 25nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=8A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SO8
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 漏源电流(Idss): 5μA 击穿电压: ±20V 阈值电压: 2.7V@250µA 原始制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 8A 封装/外壳: SOIC8N_150MIL 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 系列: - 原产国家: America Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 100V 栅极电荷(Qg): 25nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin
AO3409
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 表面贴装型 P 通道 30 V 2.6A（Ta） 1.4W（Ta） SOT-23-3
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 技术路线: MOSFET (Metal Oxide) 击穿电压: ±20V 阈值电压: 3V@250µA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 130mΩ@10V,2.6A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 2.6A 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: 180mΩ 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 FET功能: - Vgs(Max): ±20V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 9nC@10V 晶体管类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 表面贴装型 P 通道 30 V 2.6A（Ta） 1.4W（Ta） SOT-23-3
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 技术路线: MOSFET (Metal Oxide) 击穿电压: ±20V 阈值电压: 3V@250µA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 130mΩ@10V,2.6A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 2.6A 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: 180mΩ 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 FET功能: - Vgs(Max): ±20V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 9nC@10V 晶体管类型: P沟道