AOS
AOS Thermal Compounds is a manufacturer of dependable thermal management solutions including thermal paste heat sink compounds silicone grease and non-silicone grease.
商品列表
AOZ1284PI
供应商: Anychip Mall
分类: DC-DC电源芯片
描述: DC-DC电源芯片 SOIC8_150MIL_EP 3~36V 4A
安装类型: SMT 输出配置: Positive 拓扑结构: 降压 输入电压: 3V~36V 长x宽/尺寸: 4.96 x 3.90mm 输出类型: 可调 封装/外壳: SOIC-8-EP 同步整流: 否 占空比: 87% 工作温度: -40℃~+85℃ 系列: EZBuck™ 功能: 降压 输出电流: 4A 静态电流: 1mA 开关频率: 1MHz 输出通道数: 1 输出电压: 800mV~30V 高度: 1.55mm 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: DC-DC电源芯片
描述: DC-DC电源芯片 SOIC8_150MIL_EP 3~36V 4A
安装类型: SMT 输出配置: Positive 拓扑结构: 降压 输入电压: 3V~36V 长x宽/尺寸: 4.96 x 3.90mm 输出类型: 可调 封装/外壳: SOIC-8-EP 同步整流: 否 占空比: 87% 工作温度: -40℃~+85℃ 系列: EZBuck™ 功能: 降压 输出电流: 4A 静态电流: 1mA 开关频率: 1MHz 输出通道数: 1 输出电压: 800mV~30V 高度: 1.55mm 引脚数: 8Pin
AO3406
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 30V N沟道MOSFET SOT23 ID=3.6A PD=1.4W
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 击穿电压: 30V 功率耗散: 1.4W 阈值电压: 2.5V 极性: N-沟道 连续漏极电流: 3.6A 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.60mm 封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 23pF 栅极源极击穿电压: ±20V 输入电容(Ci): 210pF 工作温度: -55℃~+150℃ 系列: - FET功能: - Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 50mΩ@10V 栅极电荷(Qg): 5nC@10V 高度: 1.05mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 30V N沟道MOSFET SOT23 ID=3.6A PD=1.4W
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 击穿电压: 30V 功率耗散: 1.4W 阈值电压: 2.5V 极性: N-沟道 连续漏极电流: 3.6A 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.60mm 封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 23pF 栅极源极击穿电压: ±20V 输入电容(Ci): 210pF 工作温度: -55℃~+150℃ 系列: - FET功能: - Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 50mΩ@10V 栅极电荷(Qg): 5nC@10V 高度: 1.05mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin 类型: 1个N沟道
AO3416
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: MOSFETs N-沟道 20V 6.5A SOT-23
安装类型: SMT 漏源电流(Idss): 6.5A 技术路线: - 击穿电压: 20V 阈值电压: 1V 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 原产地: America 连续漏极电流: 6.5A 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.60mm 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±8V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 FET功能: - Vgs(Max): ±8V 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 16nC 高度: 1.05mm 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: MOSFETs N-沟道 20V 6.5A SOT-23
安装类型: SMT 漏源电流(Idss): 6.5A 技术路线: - 击穿电压: 20V 阈值电压: 1V 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 原产地: America 连续漏极电流: 6.5A 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.60mm 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±8V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 FET功能: - Vgs(Max): ±8V 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 16nC 高度: 1.05mm 晶体管类型: N沟道
AOD442
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: MOSFET N-CH 60V 38A TO-252
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: AOS 击穿电压: 60V 阈值电压: 2.7V@250µA 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 37A 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 4.5V，10V 封装/外壳: TO-252(DPAK) 工作温度: -55℃~+175℃ 配置: 单路 输入电容: 2.3nF@30V FET功能: - Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 68nC@10V 零件状态: Active 高度: 2.29mm 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: MOSFET N-CH 60V 38A TO-252
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: AOS 击穿电压: 60V 阈值电压: 2.7V@250µA 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 37A 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 4.5V，10V 封装/外壳: TO-252(DPAK) 工作温度: -55℃~+175℃ 配置: 单路 输入电容: 2.3nF@30V FET功能: - Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 68nC@10V 零件状态: Active 高度: 2.29mm 晶体管类型: N沟道
AOZ1360AIL
供应商: Anychip Mall
分类: 电源开关/负载开关
描述: SOIC8_150MIL 5.5~28V 1 On/Off
特性: 压摆率受控型 是否无铅: Yes 输出配置: 高压侧 比率（输入：输出）: 1:1 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 元件生命周期: Active 封装/外壳: SOIC-8 接口: 开/关 工作温度: -40℃~+125℃ 开关类型: 通用 故障保护: 限流(可调),超温,UVLO 高度: 1.65mm 引脚数: 8Pin 安装类型: SMT 输入类型: Non-Inverting 原始制造商: Alpha and Omega Semiconductor 工作电压: 5.5V~28V 输出类型: P通道 系列: - 原产国家: America 输出电流: - 导通电阻: 22mΩ 通道数: 1 负载电压: 5.5~28V 类型: 高侧开关
供应商: Anychip Mall
分类: 电源开关/负载开关
描述: SOIC8_150MIL 5.5~28V 1 On/Off
特性: 压摆率受控型 是否无铅: Yes 输出配置: 高压侧 比率（输入：输出）: 1:1 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 元件生命周期: Active 封装/外壳: SOIC-8 接口: 开/关 工作温度: -40℃~+125℃ 开关类型: 通用 故障保护: 限流(可调),超温,UVLO 高度: 1.65mm 引脚数: 8Pin 安装类型: SMT 输入类型: Non-Inverting 原始制造商: Alpha and Omega Semiconductor 工作电压: 5.5V~28V 输出类型: P通道 系列: - 原产国家: America 输出电流: - 导通电阻: 22mΩ 通道数: 1 负载电压: 5.5~28V 类型: 高侧开关
AON6298
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 100V N-Channel MOSFET VDS=100V ID=46A DFN8_5.55X5.2MM_EP
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 击穿电压: 100V 功率耗散: 78W 阈值电压: 3.4V 极性: N-沟道 连续漏极电流: 46A 长x宽/尺寸: 5.55 x 5.20mm 封装/外壳: DFN-8-EP(5.2x5.6) 反向传输电容Crss: 8pF@50V 栅极源极击穿电压: ±20V 输入电容(Ci): 1.307nF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 系列: - FET功能: - 漏源电压(Vdss): 100V 导通电阻(RDS(on): 13.7mΩ@10V,20A 栅极电荷(Qg): 23nC@10V 高度: 0.95mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 5Pin 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 100V N-Channel MOSFET VDS=100V ID=46A DFN8_5.55X5.2MM_EP
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 击穿电压: 100V 功率耗散: 78W 阈值电压: 3.4V 极性: N-沟道 连续漏极电流: 46A 长x宽/尺寸: 5.55 x 5.20mm 封装/外壳: DFN-8-EP(5.2x5.6) 反向传输电容Crss: 8pF@50V 栅极源极击穿电压: ±20V 输入电容(Ci): 1.307nF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 系列: - FET功能: - 漏源电压(Vdss): 100V 导通电阻(RDS(on): 13.7mΩ@10V,20A 栅极电荷(Qg): 23nC@10V 高度: 0.95mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 5Pin 类型: 1个N沟道
AOD482
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: MOSFETs 100V 6.60 x 6.10mm SMT TO252 32A
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 击穿电压: 100V 功率耗散: 100W 阈值电压: 2.7V 极性: N-沟道 连续漏极电流: 32A 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: TO-252(DPAK) 栅极源极击穿电压: ±20V 输入电容(Ci): 2nF 工作温度: -55℃~+175℃ 系列: - FET功能: - Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 100V 导通电阻(RDS(on): 37mΩ@10V,10A 栅极电荷(Qg): 44nC@10V 高度: 2.29mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: MOSFETs 100V 6.60 x 6.10mm SMT TO252 32A
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 击穿电压: 100V 功率耗散: 100W 阈值电压: 2.7V 极性: N-沟道 连续漏极电流: 32A 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: TO-252(DPAK) 栅极源极击穿电压: ±20V 输入电容(Ci): 2nF 工作温度: -55℃~+175℃ 系列: - FET功能: - Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 100V 导通电阻(RDS(on): 37mΩ@10V,10A 栅极电荷(Qg): 44nC@10V 高度: 2.29mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin 类型: 1个N沟道
AO3418
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: MOSFETs 30V 2.90 x 1.60mm SMT SOT23 3.1A N-Channel
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 是否无铅: Yes 漏源电流(Idss): 3.8A 击穿电压: 30V 技术路线: MOSFET (Metal Oxide) 阈值电压: 1.8V 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 3.1A 封装/外壳: SOT-23 输入电容(Ci): 270pF@15V 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 FET功能: - Vgs(Max): ±12V 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 3.2nC 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: MOSFETs 30V 2.90 x 1.60mm SMT SOT23 3.1A N-Channel
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 是否无铅: Yes 漏源电流(Idss): 3.8A 击穿电压: 30V 技术路线: MOSFET (Metal Oxide) 阈值电压: 1.8V 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 3.1A 封装/外壳: SOT-23 输入电容(Ci): 270pF@15V 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 FET功能: - Vgs(Max): ±12V 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 3.2nC 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
AO4292E
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=8A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SO8
安装类型: SMT 漏源电流(Idss): 5μA 击穿电压: ±20V 阈值电压: 2.7V 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 8A 封装/外壳: SOIC-8 制造商标准提前期: 16 周 栅极源极击穿电压: 33mΩ 输入电容(Ci): 1.2nF 反向传输电容Crss: 6.3pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 100V 导通电阻(RDS(on): 23mΩ@10V 栅极电荷(Qg): 25nC 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=8A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SO8
安装类型: SMT 漏源电流(Idss): 5μA 击穿电压: ±20V 阈值电压: 2.7V 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 8A 封装/外壳: SOIC-8 制造商标准提前期: 16 周 栅极源极击穿电压: 33mΩ 输入电容(Ci): 1.2nF 反向传输电容Crss: 6.3pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 100V 导通电阻(RDS(on): 23mΩ@10V 栅极电荷(Qg): 25nC 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin 类型: 1个N沟道
AO3409
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型 P 通道 30 V 2.6A（Ta） 1.4W（Ta） SOT-23-3
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 技术路线: MOSFET (Metal Oxide) 击穿电压: ±20V 阈值电压: 3V 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 2.6A 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: 180mΩ 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 FET功能: - Vgs(Max): ±20V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 130mΩ@10V 栅极电荷(Qg): 9nC@10V 晶体管类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型 P 通道 30 V 2.6A（Ta） 1.4W（Ta） SOT-23-3
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 技术路线: MOSFET (Metal Oxide) 击穿电压: ±20V 阈值电压: 3V 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 2.6A 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: 180mΩ 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 FET功能: - Vgs(Max): ±20V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 130mΩ@10V 栅极电荷(Qg): 9nC@10V 晶体管类型: P沟道