AOS
AOS Thermal Compounds is a manufacturer of dependable thermal management solutions including thermal paste heat sink compounds silicone grease and non-silicone grease.
商品列表
AOZ1284PI
供应商: Anychip Mall
分类: DC-DC电源芯片
描述: DC-DC电源芯片 SOIC8_150MIL_EP 3~36V 4A
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 输出配置: Positive 拓扑结构: 降压 工作电压: 3V~36V 输入电压: 3V~36V 输入电压（最小值）: 3V 输出类型: Adjustable 封装/外壳: SOIC8_150MIL_EP 同步整流: 否 系列: EZBuck™ 功能: 降压 原产国家: America 输出电流: 4A 开关频率: 1MHz 内置开关管: 内置 输出电压: 0.8V~30V 认证信息: RoHS 输入电压（最大值）: 36V 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: DC-DC电源芯片
描述: DC-DC电源芯片 SOIC8_150MIL_EP 3~36V 4A
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 输出配置: Positive 拓扑结构: 降压 工作电压: 3V~36V 输入电压: 3V~36V 输入电压（最小值）: 3V 输出类型: Adjustable 封装/外壳: SOIC8_150MIL_EP 同步整流: 否 系列: EZBuck™ 功能: 降压 原产国家: America 输出电流: 4A 开关频率: 1MHz 内置开关管: 内置 输出电压: 0.8V~30V 认证信息: RoHS 输入电压（最大值）: 36V 引脚数: 8Pin
AO3406
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 30V N沟道MOSFET SOT23 ID=3.6A PD=1.4W
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 品牌: AOS 技术路线: MOSFET (Metal Oxide) 阈值电压: 2.5V@250µA 额定功率: 1.4W 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 3.6A 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.60mm 封装/外壳: SOT-23 制造商标准提前期: 16 周 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 FET功能: - 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 5nC@10V 高度: 1.05mm 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 30V N沟道MOSFET SOT23 ID=3.6A PD=1.4W
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 品牌: AOS 技术路线: MOSFET (Metal Oxide) 阈值电压: 2.5V@250µA 额定功率: 1.4W 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 3.6A 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.60mm 封装/外壳: SOT-23 制造商标准提前期: 16 周 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 FET功能: - 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 5nC@10V 高度: 1.05mm 晶体管类型: N沟道
AO3416
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs N-Channel VDS=20V ID=6.5A SOT23
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: AOS 阈值电压: 1V@250µA 原始制造商: Alpha and Omega Semiconductor 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 6.5A 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 1.8V，4.5V 封装/外壳: SOT-23 漏极电流: 6.5A 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: America FET功能: - 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 16nC 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs N-Channel VDS=20V ID=6.5A SOT23
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: AOS 阈值电压: 1V@250µA 原始制造商: Alpha and Omega Semiconductor 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 6.5A 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 1.8V，4.5V 封装/外壳: SOT-23 漏极电流: 6.5A 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: America FET功能: - 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 16nC 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
AOD442
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 60V N-Channel MOSFET VDS=60V ID=37A TO252
安装类型: SMT 品牌: AOS 击穿电压: 60V 阈值电压: 2.7V@250µA 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 37A 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 4.5V，10V 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: TO-252(DPAK) 工作温度: -55℃~+175℃ 配置: 单路 系列: - 输入电容: 2.3nF@30V FET功能: - 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 68nC@10V 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 60V N-Channel MOSFET VDS=60V ID=37A TO252
安装类型: SMT 品牌: AOS 击穿电压: 60V 阈值电压: 2.7V@250µA 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 37A 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 4.5V，10V 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: TO-252(DPAK) 工作温度: -55℃~+175℃ 配置: 单路 系列: - 输入电容: 2.3nF@30V FET功能: - 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 68nC@10V 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
AOZ1360AIL
供应商: Anychip Mall
分类: 电源开关/负载开关
描述: SOIC8_150MIL 5.5~28V 1 On/Off
安装类型: SMT 特性: 压摆率受控型 输出配置: High Side 工作电压: 5.5V~28V 比率（输入：输出）: 1:1 输出类型: P通道 封装/外壳: SOICN-8_4.9X3.9MM 元件生命周期: Active 接口: On/Off 工作温度: -40℃~+85℃ 开关类型: 通用 系列: - 输出电流: - 故障保护: 限流(可调),超温,UVLO 最小包装: 3000pcs 通道数: 1 输出通道数: 1 高度: 1.65mm 引脚数: 8Pin 类型: 高侧开关
供应商: Anychip Mall
分类: 电源开关/负载开关
描述: SOIC8_150MIL 5.5~28V 1 On/Off
安装类型: SMT 特性: 压摆率受控型 输出配置: High Side 工作电压: 5.5V~28V 比率（输入：输出）: 1:1 输出类型: P通道 封装/外壳: SOICN-8_4.9X3.9MM 元件生命周期: Active 接口: On/Off 工作温度: -40℃~+85℃ 开关类型: 通用 系列: - 输出电流: - 故障保护: 限流(可调),超温,UVLO 最小包装: 3000pcs 通道数: 1 输出通道数: 1 高度: 1.65mm 引脚数: 8Pin 类型: 高侧开关
AON6298
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 100V N-Channel MOSFET VDS=100V ID=46A DFN8_5.55X5.2MM_EP
安装类型: SMT 阈值电压: 3.4V 额定功率: 78W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 13.7mΩ@10V,20A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 46A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 5.55 x 5.20mm 封装/外壳: DFN8_5.55X5.2MM_EP 制造商标准提前期: 16 周 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 系列: - 输入电容: 1.307nF FET功能: - 漏源电压(Vdss): 100V 栅极电荷(Qg): 23nC@10V 高度: 0.95mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 100V N-Channel MOSFET VDS=100V ID=46A DFN8_5.55X5.2MM_EP
安装类型: SMT 阈值电压: 3.4V 额定功率: 78W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 13.7mΩ@10V,20A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 46A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 5.55 x 5.20mm 封装/外壳: DFN8_5.55X5.2MM_EP 制造商标准提前期: 16 周 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 系列: - 输入电容: 1.307nF FET功能: - 漏源电压(Vdss): 100V 栅极电荷(Qg): 23nC@10V 高度: 0.95mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
AOD482
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs 100V 6.60 x 6.10mm SMT TO252 32A
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 技术路线: MOSFET (Metal Oxide) 阈值电压: 2.7V@250µA 额定功率: 2.5W,100W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 37mΩ@10V,10A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 32A 存储温度: -55℃~+175℃ 封装/外壳: TO-252(DPAK) 工作温度: -55℃~+175℃ 配置: 单路 原产国家: America FET功能: - 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 100V 栅极电荷(Qg): 44nC@10V 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs 100V 6.60 x 6.10mm SMT TO252 32A
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 技术路线: MOSFET (Metal Oxide) 阈值电压: 2.7V@250µA 额定功率: 2.5W,100W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 37mΩ@10V,10A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 32A 存储温度: -55℃~+175℃ 封装/外壳: TO-252(DPAK) 工作温度: -55℃~+175℃ 配置: 单路 原产国家: America FET功能: - 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 100V 栅极电荷(Qg): 44nC@10V 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道 引脚数: 3Pin
AO3418
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs 30V 2.90 x 1.60mm SMT SOT23 3.1A N-Channel
安装类型: SMT 功率耗散: 1.4W 阈值电压: 1.8V@250µA 额定功率: 1.4W 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 3.1A 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 2.5V，10V 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 漏极电流: 3.8A 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 10nC 配置: 单路 系列: - FET功能: - 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 3.2nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs 30V 2.90 x 1.60mm SMT SOT23 3.1A N-Channel
安装类型: SMT 功率耗散: 1.4W 阈值电压: 1.8V@250µA 额定功率: 1.4W 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 3.1A 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 2.5V，10V 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 漏极电流: 3.8A 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 10nC 配置: 单路 系列: - FET功能: - 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 3.2nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
AO4292E
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=8A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SO8
安装类型: SMT 击穿电压: ±20V 阈值电压: 2.7V@250µA 额定功率: 3.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 23mΩ@10V,8A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 8A 封装/外壳: SOIC8N_150MIL 漏极电流: 5μA 栅极源极击穿电压: 33mΩ 反向传输电容Crss: 6.3pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 系列: - 原产国家: America 漏源电压(Vdss): 100V 栅极电荷(Qg): 25nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=8A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SO8
安装类型: SMT 击穿电压: ±20V 阈值电压: 2.7V@250µA 额定功率: 3.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 23mΩ@10V,8A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 8A 封装/外壳: SOIC8N_150MIL 漏极电流: 5μA 栅极源极击穿电压: 33mΩ 反向传输电容Crss: 6.3pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 系列: - 原产国家: America 漏源电压(Vdss): 100V 栅极电荷(Qg): 25nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin
AO3409
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 表面贴装型 P 通道 30 V 2.6A（Ta） 1.4W（Ta） SOT-23-3
安装类型: SMT 品牌: AOS 阈值电压: 3V@250µA 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 2.6A 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 4.5V，10V 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.60mm 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: America 输入电容: 370pF@15V FET功能: - 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 9nC@10V 高度: 1.05mm 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 表面贴装型 P 通道 30 V 2.6A（Ta） 1.4W（Ta） SOT-23-3
安装类型: SMT 品牌: AOS 阈值电压: 3V@250µA 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 2.6A 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 4.5V，10V 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.60mm 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: America 输入电容: 370pF@15V FET功能: - 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 9nC@10V 高度: 1.05mm 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin