AOS
AOS Thermal Compounds is a manufacturer of dependable thermal management solutions including thermal paste heat sink compounds silicone grease and non-silicone grease.
商品列表
AO3407A
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs P-沟道 30V 4.3A SOT-23
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 漏源电流(Idss): 4.3A 击穿电压: 30V 阈值电压: 3V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 4.3A 封装/外壳: SOT-23 制造商标准提前期: 16 周 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 输入电容: 830pF FET功能: - Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 16nC@10V 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs P-沟道 30V 4.3A SOT-23
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 漏源电流(Idss): 4.3A 击穿电压: 30V 阈值电压: 3V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 4.3A 封装/外壳: SOT-23 制造商标准提前期: 16 周 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 输入电容: 830pF FET功能: - Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 16nC@10V 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin
AOSS21319C
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 表面贴装型 P 通道 30 V 2.8A（Ta） 1.3W（Ta） SOT-23-3
安装类型: SMT 击穿电压: 30V 阈值电压: 1.7V 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 70mΩ@10V,2.8A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 2.8A 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.60mm 封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 35pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: America 漏源电压(Vdss): 30V 认证信息: RoHS,HF(halogen free) 栅极电荷(Qg): 12nC@10V 高度: 1.05mm 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin 应用: Industrial 类型: 1个P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 表面贴装型 P 通道 30 V 2.8A（Ta） 1.3W（Ta） SOT-23-3
安装类型: SMT 击穿电压: 30V 阈值电压: 1.7V 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 70mΩ@10V,2.8A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 2.8A 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.60mm 封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 35pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: America 漏源电压(Vdss): 30V 认证信息: RoHS,HF(halogen free) 栅极电荷(Qg): 12nC@10V 高度: 1.05mm 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin 应用: Industrial 类型: 1个P沟道
AOD413A
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 表面贴装型 P 通道 40 V 12A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） TO-252（DPAK）
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 漏源电流(Idss): 12A 功率耗散: 50W 阈值电压: 3V@250µA 额定功率: 2.5W,50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 44mΩ@10V,12A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 12A 封装/外壳: TO-252(DPAK) 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 21nC 配置: 单路 FET功能: - Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 40V 栅极电荷(Qg): 21nC@10V 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道 类型: 1个P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 表面贴装型 P 通道 40 V 12A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） TO-252（DPAK）
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 漏源电流(Idss): 12A 功率耗散: 50W 阈值电压: 3V@250µA 额定功率: 2.5W,50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 44mΩ@10V,12A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 12A 封装/外壳: TO-252(DPAK) 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 21nC 配置: 单路 FET功能: - Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 40V 栅极电荷(Qg): 21nC@10V 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道 类型: 1个P沟道
AO8808A
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs Dual P-Channel VDS=20V ID=7.9A TSSOP8_3X4.4MM
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 功率耗散: 1.4W 阈值电压: 1V@250µA 额定功率: 1.4W 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 7.9A 长x宽/尺寸: 4.40 x 3.00mm 封装/外壳: TSSOP8_3X4.4MM 制造商标准提前期: 16 周 反向传输电容Crss: 200pF@100V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 FET功能: 逻辑电平门 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 17.9nC 晶体管类型: -
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs Dual P-Channel VDS=20V ID=7.9A TSSOP8_3X4.4MM
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 功率耗散: 1.4W 阈值电压: 1V@250µA 额定功率: 1.4W 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 7.9A 长x宽/尺寸: 4.40 x 3.00mm 封装/外壳: TSSOP8_3X4.4MM 制造商标准提前期: 16 周 反向传输电容Crss: 200pF@100V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 FET功能: 逻辑电平门 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 17.9nC 晶体管类型: -
AO4407A
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs P-沟道 30V 12A SOIC-8
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 漏源电流(Idss): 12A 阈值电压: 3V@250µA 额定功率: 3.1W 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 12A 封装/外壳: SOIC-8 制造商标准提前期: 16 周 反向传输电容Crss: 295pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 39nC 配置: 单路 输入电容: 2.6nF@15V FET功能: - Vgs(Max): ±25V 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 39nC@10V 晶体管类型: P沟道 类型: 1个P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs P-沟道 30V 12A SOIC-8
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 漏源电流(Idss): 12A 阈值电压: 3V@250µA 额定功率: 3.1W 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 12A 封装/外壳: SOIC-8 制造商标准提前期: 16 周 反向传输电容Crss: 295pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 39nC 配置: 单路 输入电容: 2.6nF@15V FET功能: - Vgs(Max): ±25V 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 39nC@10V 晶体管类型: P沟道 类型: 1个P沟道
AON7534
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 表面贴装型 N 通道 30 V 20A（Ta），30A（Tc） 3W（Ta），23W（Tc） 8-DFN-EP（3x3）
安装类型: SMT 品牌: AOS 功率耗散: 23W 技术路线: MOSFET (Metal Oxide) 阈值电压: 2.2V@250µA 原始制造商: Alpha & Omega Semiconductor, Ltd 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 20A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: DFN-8(3x3) 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: America FET功能: - Vgs(Max): ±20V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 22nC@10V 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 表面贴装型 N 通道 30 V 20A（Ta），30A（Tc） 3W（Ta），23W（Tc） 8-DFN-EP（3x3）
安装类型: SMT 品牌: AOS 功率耗散: 23W 技术路线: MOSFET (Metal Oxide) 阈值电压: 2.2V@250µA 原始制造商: Alpha & Omega Semiconductor, Ltd 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 20A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: DFN-8(3x3) 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: America FET功能: - Vgs(Max): ±20V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 22nC@10V 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
AON3414
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 表面贴装型 N 通道 30 V 10.5A（Ta） 3.1W（Ta） 8-DFN（3x3）
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 技术路线: MOSFET (Metal Oxide) 阈值电压: 2.4V@250µA 原始制造商: Alpha and Omega Semiconductor 额定功率: 3.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 17mΩ@10V,9A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 10.5A 封装/外壳: DFN-8(3x3) 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: America FET功能: - Vgs(Max): ±20V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 25nC@10V 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 表面贴装型 N 通道 30 V 10.5A（Ta） 3.1W（Ta） 8-DFN（3x3）
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 技术路线: MOSFET (Metal Oxide) 阈值电压: 2.4V@250µA 原始制造商: Alpha and Omega Semiconductor 额定功率: 3.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 17mΩ@10V,9A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 10.5A 封装/外壳: DFN-8(3x3) 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: America FET功能: - Vgs(Max): ±20V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 25nC@10V 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
AO4421
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 表面贴装型 P通道 60V 6.2A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
安装类型: SMT 漏源电流(Idss): 6.2A 功率耗散: 3.1W 阈值电压: 3V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 6.2A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOIC-8 制造商标准提前期: 16 周 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 55nC 配置: 单路 输入电容: 2.9nF@30V FET功能: - Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 55nC@10V 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道 类型: 1个P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 表面贴装型 P通道 60V 6.2A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
安装类型: SMT 漏源电流(Idss): 6.2A 功率耗散: 3.1W 阈值电压: 3V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 6.2A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOIC-8 制造商标准提前期: 16 周 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 55nC 配置: 单路 输入电容: 2.9nF@30V FET功能: - Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 55nC@10V 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道 类型: 1个P沟道
AO4406A
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 表面贴装型 N 通道 30 V 13A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 击穿电压: 30V 阈值电压: 2.5V@250µA 原始制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 11.5mΩ@10V,12A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 13A 封装/外壳: SO-8_4.9X3.9MM 制造商标准提前期: 16 周 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 70pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 14nC 配置: 单路 FET功能: - Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 17nC@10V 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 表面贴装型 N 通道 30 V 13A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 击穿电压: 30V 阈值电压: 2.5V@250µA 原始制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 11.5mΩ@10V,12A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 13A 封装/外壳: SO-8_4.9X3.9MM 制造商标准提前期: 16 周 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 70pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 14nC 配置: 单路 FET功能: - Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 17nC@10V 晶体管类型: N沟道
AOTF10N60
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 通孔 N 通道 600 V 10A（Tc） 50W（Tc） TO-220F
安装类型: 插件 是否无铅: Yes 品牌: AOS 技术路线: MOSFET (Metal Oxide) 阈值电压: 4.5V@250µA 包装: Tube packing 极性: N-沟道 连续漏极电流: 10A 长x宽/尺寸: 10.16 x 4.70mm 封装/外壳: SOT78 反向传输电容Crss: 9.3pF@25V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 输入电容: 1.6nF@25V FET功能: - 最小包装: 1000pcs 漏源电压(Vdss): 600V 栅极电荷(Qg): 40nC@10V 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 通孔 N 通道 600 V 10A（Tc） 50W（Tc） TO-220F
安装类型: 插件 是否无铅: Yes 品牌: AOS 技术路线: MOSFET (Metal Oxide) 阈值电压: 4.5V@250µA 包装: Tube packing 极性: N-沟道 连续漏极电流: 10A 长x宽/尺寸: 10.16 x 4.70mm 封装/外壳: SOT78 反向传输电容Crss: 9.3pF@25V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 输入电容: 1.6nF@25V FET功能: - 最小包装: 1000pcs 漏源电压(Vdss): 600V 栅极电荷(Qg): 40nC@10V 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道