AOS
AOS Thermal Compounds is a manufacturer of dependable thermal management solutions including thermal paste heat sink compounds silicone grease and non-silicone grease.
商品列表
AO3407A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: MOSFETs P-沟道 30V 4.3A SOT-23
湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 漏源电流(Idss): 4.3A 击穿电压: 30V 阈值电压: 3V 极性: P-沟道 连续漏极电流: 4.3A 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.60mm 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±20V 输入电容(Ci): 830pF 工作温度: -55℃~+150℃ Vgs(Max): ±20V 栅极电荷(Qg): 16nC@10V 高度: 1.05mm 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin 安装类型: SMT 功率耗散: 1.4W 反向传输电容Crss: 65pF 系列: - FET功能: - 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 48mΩ@10V,4.3A 类型: 1个P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: MOSFETs P-沟道 30V 4.3A SOT-23
湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 漏源电流(Idss): 4.3A 击穿电压: 30V 阈值电压: 3V 极性: P-沟道 连续漏极电流: 4.3A 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.60mm 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±20V 输入电容(Ci): 830pF 工作温度: -55℃~+150℃ Vgs(Max): ±20V 栅极电荷(Qg): 16nC@10V 高度: 1.05mm 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin 安装类型: SMT 功率耗散: 1.4W 反向传输电容Crss: 65pF 系列: - FET功能: - 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 48mΩ@10V,4.3A 类型: 1个P沟道
AOSS21319C
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型 P 通道 30 V 2.8A（Ta） 1.3W（Ta） SOT-23-3
安装类型: SMT 击穿电压: 30V 阈值电压: 1.7V 包装: Tape/reel 原产地: America 连续漏极电流: 2.8A 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.60mm 封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 35pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 漏源电压(Vdss): 30V 认证信息: RoHS,HF(halogen free) 导通电阻(RDS(on): 70mΩ@10V,2.8A 栅极电荷(Qg): 12nC@10V 高度: 1.05mm 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin 应用: Industrial 类型: 1个P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型 P 通道 30 V 2.8A（Ta） 1.3W（Ta） SOT-23-3
安装类型: SMT 击穿电压: 30V 阈值电压: 1.7V 包装: Tape/reel 原产地: America 连续漏极电流: 2.8A 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.60mm 封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 35pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 漏源电压(Vdss): 30V 认证信息: RoHS,HF(halogen free) 导通电阻(RDS(on): 70mΩ@10V,2.8A 栅极电荷(Qg): 12nC@10V 高度: 1.05mm 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin 应用: Industrial 类型: 1个P沟道
AOD413A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型 P 通道 40 V 12A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） TO-252（DPAK）
湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 漏源电流(Idss): 12A 击穿电压: 40V 阈值电压: 3V 极性: P沟道 连续漏极电流: 12A 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: TO-252(DPAK) 栅极源极击穿电压: ±20V 输入电容(Ci): 1.125nF@20V 工作温度: -55℃~+150℃ Vgs(Max): ±20V 栅极电荷(Qg): 21nC@10V 高度: 2.29mm 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin 安装类型: SMT 功率耗散: 50W 反向传输电容Crss: 68pF 系列: - FET功能: - 漏源电压(Vdss): 40V 导通电阻(RDS(on): 44mΩ@10V,12A 类型: 1个P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型 P 通道 40 V 12A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） TO-252（DPAK）
湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 漏源电流(Idss): 12A 击穿电压: 40V 阈值电压: 3V 极性: P沟道 连续漏极电流: 12A 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: TO-252(DPAK) 栅极源极击穿电压: ±20V 输入电容(Ci): 1.125nF@20V 工作温度: -55℃~+150℃ Vgs(Max): ±20V 栅极电荷(Qg): 21nC@10V 高度: 2.29mm 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin 安装类型: SMT 功率耗散: 50W 反向传输电容Crss: 68pF 系列: - FET功能: - 漏源电压(Vdss): 40V 导通电阻(RDS(on): 44mΩ@10V,12A 类型: 1个P沟道
AO8808A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: MOSFETs Dual P-Channel VDS=20V ID=7.9A TSSOP8_3X4.4MM
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 功率耗散: 1.4W 阈值电压: 1V 极性: P-沟道 连续漏极电流: 7.9A 长x宽/尺寸: 4.40 x 3.00mm 封装/外壳: TSSOP-8 反向传输电容Crss: 200pF@100V 输入电容(Ci): 1.81nF@10V 工作温度: -55℃~+150℃ 系列: - FET功能: 逻辑电平门 漏源电压(Vdss): 20V 导通电阻(RDS(on): 10.6mΩ@10V,8A 栅极电荷(Qg): 17.9nC 零件状态: Active 晶体管类型: - 类型: 2个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: MOSFETs Dual P-Channel VDS=20V ID=7.9A TSSOP8_3X4.4MM
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 功率耗散: 1.4W 阈值电压: 1V 极性: P-沟道 连续漏极电流: 7.9A 长x宽/尺寸: 4.40 x 3.00mm 封装/外壳: TSSOP-8 反向传输电容Crss: 200pF@100V 输入电容(Ci): 1.81nF@10V 工作温度: -55℃~+150℃ 系列: - FET功能: 逻辑电平门 漏源电压(Vdss): 20V 导通电阻(RDS(on): 10.6mΩ@10V,8A 栅极电荷(Qg): 17.9nC 零件状态: Active 晶体管类型: - 类型: 2个N沟道
AO4407A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: MOSFETs P-沟道 30V 12A SOIC-8
湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 漏源电流(Idss): 12A 击穿电压: 30V 阈值电压: 3V 极性: P-沟道 连续漏极电流: 12A 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOIC-8 栅极源极击穿电压: ±25V 输入电容(Ci): 2.6nF@15V 工作温度: -55℃~+150℃ Vgs(Max): ±25V 栅极电荷(Qg): 39nC@10V 高度: 1.65mm 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道 引脚数: 8Pin 安装类型: SMT 功率耗散: 3.1W 反向传输电容Crss: 295pF 系列: - FET功能: - 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 11mΩ@20V,12A 类型: 1个P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: MOSFETs P-沟道 30V 12A SOIC-8
湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 漏源电流(Idss): 12A 击穿电压: 30V 阈值电压: 3V 极性: P-沟道 连续漏极电流: 12A 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOIC-8 栅极源极击穿电压: ±25V 输入电容(Ci): 2.6nF@15V 工作温度: -55℃~+150℃ Vgs(Max): ±25V 栅极电荷(Qg): 39nC@10V 高度: 1.65mm 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道 引脚数: 8Pin 安装类型: SMT 功率耗散: 3.1W 反向传输电容Crss: 295pF 系列: - FET功能: - 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 11mΩ@20V,12A 类型: 1个P沟道
AON7534
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型 N 通道 30 V 20A（Ta），30A（Tc） 3W（Ta），23W（Tc） 8-DFN-EP（3x3）
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 击穿电压: 30V 功率耗散: 23W 阈值电压: 2.2V 极性: N沟道 连续漏极电流: 30A 长x宽/尺寸: 3.00 x 3.00mm 封装/外壳: DFN-8(3x3) 反向传输电容Crss: 61pF 栅极源极击穿电压: ±20V 输入电容(Ci): 1.037nF 工作温度: -55℃~+150℃ 系列: - FET功能: - Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 5mΩ@10V 栅极电荷(Qg): 22nC@10V 高度: 0.80mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 5Pin 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型 N 通道 30 V 20A（Ta），30A（Tc） 3W（Ta），23W（Tc） 8-DFN-EP（3x3）
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 击穿电压: 30V 功率耗散: 23W 阈值电压: 2.2V 极性: N沟道 连续漏极电流: 30A 长x宽/尺寸: 3.00 x 3.00mm 封装/外壳: DFN-8(3x3) 反向传输电容Crss: 61pF 栅极源极击穿电压: ±20V 输入电容(Ci): 1.037nF 工作温度: -55℃~+150℃ 系列: - FET功能: - Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 5mΩ@10V 栅极电荷(Qg): 22nC@10V 高度: 0.80mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 5Pin 类型: 1个N沟道
AON3414
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型 N 通道 30 V 10.5A（Ta） 3.1W（Ta） 8-DFN（3x3）
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 功率耗散: 3.1W 阈值电压: 2.4V 极性: N-沟道 连续漏极电流: 10.5A 长x宽/尺寸: 2.90 x 2.80mm 封装/外壳: DFN-8(3x3) 栅极源极击穿电压: ±20V 输入电容(Ci): 690pF@15V 工作温度: -55℃~+150℃ 系列: - FET功能: - Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 17mΩ@10V 栅极电荷(Qg): 25nC@10V 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型 N 通道 30 V 10.5A（Ta） 3.1W（Ta） 8-DFN（3x3）
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 功率耗散: 3.1W 阈值电压: 2.4V 极性: N-沟道 连续漏极电流: 10.5A 长x宽/尺寸: 2.90 x 2.80mm 封装/外壳: DFN-8(3x3) 栅极源极击穿电压: ±20V 输入电容(Ci): 690pF@15V 工作温度: -55℃~+150℃ 系列: - FET功能: - Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 17mΩ@10V 栅极电荷(Qg): 25nC@10V 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin 类型: 1个N沟道
AO4421
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型 P通道 60V 6.2A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
安装类型: SMT 品牌: AOS 漏源电流(Idss): 6.2A 技术路线: MOSFET (Metal Oxide) 阈值电压: 3V 包装: Tape/reel 极性: P沟道 原产地: America 连续漏极电流: 6.2A 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 4.5V，10V 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOIC-8 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 FET功能: - Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 55nC@10V 高度: 1.65mm 晶体管类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型 P通道 60V 6.2A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
安装类型: SMT 品牌: AOS 漏源电流(Idss): 6.2A 技术路线: MOSFET (Metal Oxide) 阈值电压: 3V 包装: Tape/reel 极性: P沟道 原产地: America 连续漏极电流: 6.2A 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 4.5V，10V 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOIC-8 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 FET功能: - Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 55nC@10V 高度: 1.65mm 晶体管类型: P沟道
AO4406A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型 N 通道 30 V 13A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 击穿电压: 30V 功率耗散: 3.1W 阈值电压: 2.5V 极性: N沟道 连续漏极电流: 13A 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOIC-8 反向传输电容Crss: 70pF 栅极源极击穿电压: ±20V 输入电容(Ci): 910pF@15V 工作温度: -55℃~+150℃ 系列: - FET功能: - Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 11.5mΩ@10V 栅极电荷(Qg): 17nC@10V 高度: 1.65mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin 类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型 N 通道 30 V 13A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 击穿电压: 30V 功率耗散: 3.1W 阈值电压: 2.5V 极性: N沟道 连续漏极电流: 13A 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOIC-8 反向传输电容Crss: 70pF 栅极源极击穿电压: ±20V 输入电容(Ci): 910pF@15V 工作温度: -55℃~+150℃ 系列: - FET功能: - Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 11.5mΩ@10V 栅极电荷(Qg): 17nC@10V 高度: 1.65mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin 类型: N沟道
AOTF10N60
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 通孔 N 通道 600 V 10A（Tc） 50W（Tc） TO-220F
安装类型: 插件 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 功率耗散: 50W 阈值电压: 4.5V 极性: N-沟道 连续漏极电流: 10A 长x宽/尺寸: 10.16 x 4.70mm 封装/外壳: TO-220F 反向传输电容Crss: 9.3pF@25V 输入电容(Ci): 1.6nF@25V 工作温度: -55℃~+150℃ 系列: - FET功能: - 漏源电压(Vdss): 600V 导通电阻(RDS(on): 600mΩ@10V,5A 栅极电荷(Qg): 40nC@10V 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 通孔 N 通道 600 V 10A（Tc） 50W（Tc） TO-220F
安装类型: 插件 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 功率耗散: 50W 阈值电压: 4.5V 极性: N-沟道 连续漏极电流: 10A 长x宽/尺寸: 10.16 x 4.70mm 封装/外壳: TO-220F 反向传输电容Crss: 9.3pF@25V 输入电容(Ci): 1.6nF@25V 工作温度: -55℃~+150℃ 系列: - FET功能: - 漏源电压(Vdss): 600V 导通电阻(RDS(on): 600mΩ@10V,5A 栅极电荷(Qg): 40nC@10V 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道