AOS
AOS Thermal Compounds is a manufacturer of dependable thermal management solutions including thermal paste heat sink compounds silicone grease and non-silicone grease.
商品列表
AO3407A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: MOSFETs P-沟道 30V 4.3A SOT-23
安装类型: SMT 漏源电流(Idss): 4.3A 击穿电压: 30V 阈值电压: 3V 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 4.3A 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.60mm 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 系列: - FET功能: - Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 16nC@10V 零件状态: Active 高度: 1.05mm 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: MOSFETs P-沟道 30V 4.3A SOT-23
安装类型: SMT 漏源电流(Idss): 4.3A 击穿电压: 30V 阈值电压: 3V 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 4.3A 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.60mm 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 系列: - FET功能: - Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 16nC@10V 零件状态: Active 高度: 1.05mm 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin
AOSS21319C
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型 P 通道 30 V 2.8A（Ta） 1.3W（Ta） SOT-23-3
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: AOS 功率耗散: 1.3W 阈值电压: 1.7V 无卤: Yes 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 2.8A 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 35pF 输入电容(Ci): 320pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 6nC 配置: 单路 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 12nC@10V 晶体管类型: P沟道 类型: 1个P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型 P 通道 30 V 2.8A（Ta） 1.3W（Ta） SOT-23-3
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: AOS 功率耗散: 1.3W 阈值电压: 1.7V 无卤: Yes 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 2.8A 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 35pF 输入电容(Ci): 320pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 6nC 配置: 单路 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 12nC@10V 晶体管类型: P沟道 类型: 1个P沟道
AOD413A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型 P 通道 40 V 12A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） TO-252（DPAK）
安装类型: SMT 漏源电流(Idss): 12A 击穿电压: 40V 阈值电压: 3V 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 12A 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 制造商标准提前期: 16 周 输入电容(Ci): 1.125nF@20V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 系列: - FET功能: - Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 40V 栅极电荷(Qg): 21nC@10V 高度: 2.29mm 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型 P 通道 40 V 12A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） TO-252（DPAK）
安装类型: SMT 漏源电流(Idss): 12A 击穿电压: 40V 阈值电压: 3V 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 12A 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 制造商标准提前期: 16 周 输入电容(Ci): 1.125nF@20V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 系列: - FET功能: - Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 40V 栅极电荷(Qg): 21nC@10V 高度: 2.29mm 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin
AO8808A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: MOSFETs Dual P-Channel VDS=20V ID=7.9A TSSOP8_3X4.4MM
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: AOS 阈值电压: 1V 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 7.9A 封装/外壳: TSSOP-8 反向传输电容Crss: 200pF@100V 输入电容(Ci): 1.81nF@10V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 系列: - FET功能: 逻辑电平门 漏源电压(Vdss): 20V 导通电阻(RDS(on): 10.6mΩ@10V,8A 栅极电荷(Qg): 17.9nC 零件状态: Active 晶体管类型: - 类型: 2个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: MOSFETs Dual P-Channel VDS=20V ID=7.9A TSSOP8_3X4.4MM
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: AOS 阈值电压: 1V 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 7.9A 封装/外壳: TSSOP-8 反向传输电容Crss: 200pF@100V 输入电容(Ci): 1.81nF@10V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 系列: - FET功能: 逻辑电平门 漏源电压(Vdss): 20V 导通电阻(RDS(on): 10.6mΩ@10V,8A 栅极电荷(Qg): 17.9nC 零件状态: Active 晶体管类型: - 类型: 2个N沟道
AO4407A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: MOSFETs P-沟道 30V 12A SOIC-8
安装类型: SMT 品牌: AOS 漏源电流(Idss): 12A 技术路线: MOSFET (Metal Oxide) 阈值电压: 3V 原始制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 原产地: America 连续漏极电流: 12A 封装/外壳: SOIC-8 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 FET功能: - Vgs(Max): ±25V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 39nC@10V 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: MOSFETs P-沟道 30V 12A SOIC-8
安装类型: SMT 品牌: AOS 漏源电流(Idss): 12A 技术路线: MOSFET (Metal Oxide) 阈值电压: 3V 原始制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 原产地: America 连续漏极电流: 12A 封装/外壳: SOIC-8 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 FET功能: - Vgs(Max): ±25V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 39nC@10V 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道
AON7534
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型 N 通道 30 V 20A（Ta），30A（Tc） 3W（Ta），23W（Tc） 8-DFN-EP（3x3）
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: AOS 阈值电压: 2.2V 原始制造商: Alpha & Omega Semiconductor, Ltd 包装: Tape/reel 极性: N沟道 原产地: America 连续漏极电流: 30A 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 4.5V，10V 长x宽/尺寸: 3.00 x 3.00mm 封装/外壳: DFN8_3X3MM 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 FET功能: - Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 22nC@10V 高度: 0.80mm 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型 N 通道 30 V 20A（Ta），30A（Tc） 3W（Ta），23W（Tc） 8-DFN-EP（3x3）
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: AOS 阈值电压: 2.2V 原始制造商: Alpha & Omega Semiconductor, Ltd 包装: Tape/reel 极性: N沟道 原产地: America 连续漏极电流: 30A 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 4.5V，10V 长x宽/尺寸: 3.00 x 3.00mm 封装/外壳: DFN8_3X3MM 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 FET功能: - Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 22nC@10V 高度: 0.80mm 晶体管类型: N沟道
AON3414
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型 N 通道 30 V 10.5A（Ta） 3.1W（Ta） 8-DFN（3x3）
安装类型: SMT 功率耗散: 3.1W 阈值电压: 2.4V 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 10.5A 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 4.5V，10V 封装/外壳: DFN8_3X3MM 制造商标准提前期: 16 周 栅极源极击穿电压: ±20V 输入电容(Ci): 690pF@15V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 系列: - FET功能: - Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 25nC@10V 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型 N 通道 30 V 10.5A（Ta） 3.1W（Ta） 8-DFN（3x3）
安装类型: SMT 功率耗散: 3.1W 阈值电压: 2.4V 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 10.5A 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 4.5V，10V 封装/外壳: DFN8_3X3MM 制造商标准提前期: 16 周 栅极源极击穿电压: ±20V 输入电容(Ci): 690pF@15V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 系列: - FET功能: - Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 25nC@10V 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin
AO4421
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型 P通道 60V 6.2A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
安装类型: SMT 漏源电流(Idss): 6.2A 功率耗散: 3.1W 阈值电压: 3V 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 6.2A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOIC-8 制造商标准提前期: 16 周 输入电容(Ci): 2.9nF@30V 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 55nC 配置: 单路 FET功能: - Vgs(Max): ±20V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 55nC@10V 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型 P通道 60V 6.2A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
安装类型: SMT 漏源电流(Idss): 6.2A 功率耗散: 3.1W 阈值电压: 3V 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 6.2A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOIC-8 制造商标准提前期: 16 周 输入电容(Ci): 2.9nF@30V 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 55nC 配置: 单路 FET功能: - Vgs(Max): ±20V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 55nC@10V 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道
AO4406A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型 N 通道 30 V 13A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 技术路线: MOSFET (Metal Oxide) 击穿电压: 30V 阈值电压: 2.5V@250μA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 13A 封装/外壳: SOIC-8 制造商标准提前期: 16 周 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 70pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 14nC 配置: 单路 FET功能: - Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 11.5mΩ@10V 栅极电荷(Qg): 17nC@10V 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型 N 通道 30 V 13A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 技术路线: MOSFET (Metal Oxide) 击穿电压: 30V 阈值电压: 2.5V@250μA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 13A 封装/外壳: SOIC-8 制造商标准提前期: 16 周 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 70pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 14nC 配置: 单路 FET功能: - Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 11.5mΩ@10V 栅极电荷(Qg): 17nC@10V 晶体管类型: N沟道
AOTF10N60
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 通孔 N 通道 600 V 10A（Tc） 50W（Tc） TO-220F
安装类型: 插件 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 是否无铅: Yes 品牌: AOS 功率耗散: 50W 阈值电压: 4.5V 包装: Tube packing 极性: N-沟道 连续漏极电流: 10A 封装/外壳: TO220F-3 制造商标准提前期: 16 周 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 系列: - FET功能: - 漏源电压(Vdss): 600V 导通电阻(RDS(on): 600mΩ@10V,5A 栅极电荷(Qg): 40nC@10V 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 通孔 N 通道 600 V 10A（Tc） 50W（Tc） TO-220F
安装类型: 插件 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 是否无铅: Yes 品牌: AOS 功率耗散: 50W 阈值电压: 4.5V 包装: Tube packing 极性: N-沟道 连续漏极电流: 10A 封装/外壳: TO220F-3 制造商标准提前期: 16 周 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 系列: - FET功能: - 漏源电压(Vdss): 600V 导通电阻(RDS(on): 600mΩ@10V,5A 栅极电荷(Qg): 40nC@10V 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道