LRC LESHAN RADIO CO LTD
Founded in 1970, Leshan Radio Co., Ltd. (abbreviated as LRC) is located in the historic and culture city--Leshan, the center of West China Development. It is a comprehensive electronic enterprise majored in manufacturing of discrete semiconductor devices. After decades of arduous efforts and hard work in China’s reform and opening up, LRC now has grown rapidly into an enterprise group with several wholly-owned subsidiaries and also joint-ventures.
商品列表
MMBT3904LT1G
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: NPN Ic=200mA Vceo=40V hfe=100~300 P=300mW
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 功率耗散: 300mW 集射极击穿电压Vceo: 40V 集射极饱和电压(VCE(sat)): 40V 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 封装/外壳: SOT-23 工作温度: -55℃~+150℃ 集电极截止电流 (Icbo): - 集电极电流 Ic: 200mA 配置: 单路 特征频率(fT): 300MHz 高度: 1.11mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 100 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: NPN Ic=200mA Vceo=40V hfe=100~300 P=300mW
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 功率耗散: 300mW 集射极击穿电压Vceo: 40V 集射极饱和电压(VCE(sat)): 40V 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 封装/外壳: SOT-23 工作温度: -55℃~+150℃ 集电极截止电流 (Icbo): - 集电极电流 Ic: 200mA 配置: 单路 特征频率(fT): 300MHz 高度: 1.11mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 100 引脚数: 3Pin
D35SB100
供应商: Anychip Mall
分类: 桥式整流器/整流桥
描述: 桥式整流器/整流桥 1KV 10A SIP-4
安装类型: 插件 正向电流: 17.5A 品牌: LRC 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm): 400A 包装: Box packing 正向压降VF: 1.1V 长x宽/尺寸: 30.00 x 4.60mm 反向漏电流IR: 5μA 封装/外壳: SIP-4 工作温度: -55℃~+150℃ 反向峰值电压（最大值）: 1KV 反向耐压VR: 1kV 平均整流电流: 10A 最小包装: 250pcs 正向压降VF Max: 1.05V 高度: 24.00mm 引脚数: 4Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 桥式整流器/整流桥
描述: 桥式整流器/整流桥 1KV 10A SIP-4
安装类型: 插件 正向电流: 17.5A 品牌: LRC 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm): 400A 包装: Box packing 正向压降VF: 1.1V 长x宽/尺寸: 30.00 x 4.60mm 反向漏电流IR: 5μA 封装/外壳: SIP-4 工作温度: -55℃~+150℃ 反向峰值电压（最大值）: 1KV 反向耐压VR: 1kV 平均整流电流: 10A 最小包装: 250pcs 正向压降VF Max: 1.05V 高度: 24.00mm 引脚数: 4Pin
SZAF10A
供应商: Anychip Mall
分类: 稳压二极管
描述: VZ:10V IZT:0.25mA PD:1W
安装类型: SMT 二极管配置: 独立式 正向电流: 200mA 品牌: LRC 稳压值(范围): 9.5V~10.5V 功率耗散: 1W 精度: ±5% 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 3.70 x 2.70mm 存储温度: -50~+150℃ 反向漏电流IR: 2μA 封装/外壳: SMA-FL 工作温度: -50℃~+150℃ 原产国家: China 反向耐压VR: 7.6V 最小包装: 3000pcs 认证信息: RoHS 高度: 1.20mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 稳压二极管
描述: VZ:10V IZT:0.25mA PD:1W
安装类型: SMT 二极管配置: 独立式 正向电流: 200mA 品牌: LRC 稳压值(范围): 9.5V~10.5V 功率耗散: 1W 精度: ±5% 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 3.70 x 2.70mm 存储温度: -50~+150℃ 反向漏电流IR: 2μA 封装/外壳: SMA-FL 工作温度: -50℃~+150℃ 原产国家: China 反向耐压VR: 7.6V 最小包装: 3000pcs 认证信息: RoHS 高度: 1.20mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
LMBT5551DW1T1G
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: VCEO:140V IC:600mA
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: LRC 功率耗散: 225mW 原始制造商: Leshan Radio Co., Ltd. 包装: Tape/reel 集射极击穿电压Vceo: 140V 原产地: China 集射极饱和电压(VCE(sat)): 200mV 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.20 x 1.35mm 封装/外壳: SOT-363 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 600mA 高度: 0.90mm 零件状态: Active 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 80 引脚数: 6Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: VCEO:140V IC:600mA
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: LRC 功率耗散: 225mW 原始制造商: Leshan Radio Co., Ltd. 包装: Tape/reel 集射极击穿电压Vceo: 140V 原产地: China 集射极饱和电压(VCE(sat)): 200mV 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.20 x 1.35mm 封装/外壳: SOT-363 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 600mA 高度: 0.90mm 零件状态: Active 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 80 引脚数: 6Pin
SZAF30A
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: Vz=30V Izt=8.5mA 稳压二极管1瓦稳态
安装类型: SMT 正向电流: 200mA 二极管配置: 独立式 稳压值(范围): 28.5V~31.5V Izt-测试电流: 8.5mA 功率耗散: 1W Zzt阻抗: 40Ω 长x宽/尺寸: 3.70 x 2.70mm 反向漏电流IR: 500nA 封装/外壳: SMA-FL 工作温度: -50℃~+150℃ 标准稳压值: 30V 反向耐压VR: 22.8V 高度: 1.20mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: Vz=30V Izt=8.5mA 稳压二极管1瓦稳态
安装类型: SMT 正向电流: 200mA 二极管配置: 独立式 稳压值(范围): 28.5V~31.5V Izt-测试电流: 8.5mA 功率耗散: 1W Zzt阻抗: 40Ω 长x宽/尺寸: 3.70 x 2.70mm 反向漏电流IR: 500nA 封装/外壳: SMA-FL 工作温度: -50℃~+150℃ 标准稳压值: 30V 反向耐压VR: 22.8V 高度: 1.20mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
LMBZ5240BLT1G
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: 齐纳电压调节器 Vz=10V 9.5V~10.5V Izt=20mA P=225mW SOT23
安装类型: SMT 正向电流: 10mA 二极管配置: 独立式 稳压值(范围): 9.5V~10.5V Izt-测试电流: 20mA 功率耗散: 225mW 最大稳压值: 10.5V Zzt阻抗: 17Ω 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 反向漏电流IR: 3μA 封装/外壳: SOT-23 工作温度: -65℃~+150℃(TJ) 标准稳压值: 10V 最小稳压值: 9.5V 反向耐压VR: 8V 高度: 1.11mm 零件状态: Active 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: 齐纳电压调节器 Vz=10V 9.5V~10.5V Izt=20mA P=225mW SOT23
安装类型: SMT 正向电流: 10mA 二极管配置: 独立式 稳压值(范围): 9.5V~10.5V Izt-测试电流: 20mA 功率耗散: 225mW 最大稳压值: 10.5V Zzt阻抗: 17Ω 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 反向漏电流IR: 3μA 封装/外壳: SOT-23 工作温度: -65℃~+150℃(TJ) 标准稳压值: 10V 最小稳压值: 9.5V 反向耐压VR: 8V 高度: 1.11mm 零件状态: Active 引脚数: 3Pin
LM3Z3V3T1G
供应商: Anychip Mall
分类: 稳压二极管
描述: VZ:3.3V IZT:5mA PD:200mW
二极管配置: 独立式 湿气敏感性等级 (MSL): - 安装类型: SMT 稳压值(范围): 3.1V~3.5V 功率耗散: 200mW 精度: ±6.06% 包装: Tape/Reel 反向电流Izt: 5mA 最大稳压值: 3.5V 正向压降VF: 900mV 封装/外壳: SOD-323 反向漏电流IR: 5μA 工作温度: -65℃~+150℃(TJ) 动态电阻（最大值）: 95 Ohms 阻抗Typ: 95Ω 最小包装: 3000pcs 高度: 0.90mm 容差: - 引脚数: 2Pin 应用: 通用
供应商: Anychip Mall
分类: 稳压二极管
描述: VZ:3.3V IZT:5mA PD:200mW
二极管配置: 独立式 湿气敏感性等级 (MSL): - 安装类型: SMT 稳压值(范围): 3.1V~3.5V 功率耗散: 200mW 精度: ±6.06% 包装: Tape/Reel 反向电流Izt: 5mA 最大稳压值: 3.5V 正向压降VF: 900mV 封装/外壳: SOD-323 反向漏电流IR: 5μA 工作温度: -65℃~+150℃(TJ) 动态电阻（最大值）: 95 Ohms 阻抗Typ: 95Ω 最小包装: 3000pcs 高度: 0.90mm 容差: - 引脚数: 2Pin 应用: 通用
MMBD7000LT1G
供应商: Anychip Mall
分类: 开关二极管（小信号）
描述: VR=100V IF=200mA Trr=4ns P=225mW
产品分类: 开关二极管（小信号）二极管 组态: - 反向耐压VR(max): 100V 正向压降VF: 0.7V 平均整流电流IF: 0.2A 反向漏电流IR: 1uA 反向恢复时间(trr): 4ns 总电容C: 1.5pF 应用: 通用 工作温度: -55℃~150℃ 封装/外壳: SOT-23-3(SC-59,TO-236-3)
供应商: Anychip Mall
分类: 开关二极管（小信号）
描述: VR=100V IF=200mA Trr=4ns P=225mW
产品分类: 开关二极管（小信号）二极管 组态: - 反向耐压VR(max): 100V 正向压降VF: 0.7V 平均整流电流IF: 0.2A 反向漏电流IR: 1uA 反向恢复时间(trr): 4ns 总电容C: 1.5pF 应用: 通用 工作温度: -55℃~150℃ 封装/外壳: SOT-23-3(SC-59,TO-236-3)
LBC847BTT1G
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 通用晶体管NPN硅 15nA 45V 200mW 290@2mA,5V 100mA 100MHz 600mV@100mA,5mA NPN -55℃~+150℃@(Tj) SC-89
安装类型: SMT 功率耗散: 200mW 集电极-基极电压（VCBO）: 50V 集射极击穿电压Vceo: 45V 集射极饱和电压(VCE(sat)): 45V 长x宽/尺寸: 1.60 x 0.85mm 封装/外壳: SC-89 工作温度: -55℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 100mA 特征频率(fT): 100MHz 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V 高度: 0.70mm 零件状态: Active 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 200~450 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 通用晶体管NPN硅 15nA 45V 200mW 290@2mA,5V 100mA 100MHz 600mV@100mA,5mA NPN -55℃~+150℃@(Tj) SC-89
安装类型: SMT 功率耗散: 200mW 集电极-基极电压（VCBO）: 50V 集射极击穿电压Vceo: 45V 集射极饱和电压(VCE(sat)): 45V 长x宽/尺寸: 1.60 x 0.85mm 封装/外壳: SC-89 工作温度: -55℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 100mA 特征频率(fT): 100MHz 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V 高度: 0.70mm 零件状态: Active 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 200~450 引脚数: 3Pin
LN2670TZHG
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：4.6A 功率(Pd)：1.5W
安装类型: SMT 功率耗散: 1.5W 阈值电压: 3.2V@250μA 极性: N-沟道 连续漏极电流: 4.6A 长x宽/尺寸: 4.50 x 2.50mm 封装/外壳: SOT-89 反向传输电容Crss: 34pF@30V 栅极源极击穿电压: ±20V 输入电容(Ci): 612pF 工作温度: -55℃~+150℃ 漏源电压(Vdss): 60V 导通电阻(RDS(on): 70mΩ@10V,3A 栅极电荷(Qg): 14.6nC@10V 高度: 1.60mm 零件状态: Active 引脚数: 3Pin 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：4.6A 功率(Pd)：1.5W
安装类型: SMT 功率耗散: 1.5W 阈值电压: 3.2V@250μA 极性: N-沟道 连续漏极电流: 4.6A 长x宽/尺寸: 4.50 x 2.50mm 封装/外壳: SOT-89 反向传输电容Crss: 34pF@30V 栅极源极击穿电压: ±20V 输入电容(Ci): 612pF 工作温度: -55℃~+150℃ 漏源电压(Vdss): 60V 导通电阻(RDS(on): 70mΩ@10V,3A 栅极电荷(Qg): 14.6nC@10V 高度: 1.60mm 零件状态: Active 引脚数: 3Pin 类型: 1个N沟道