LRC LESHAN RADIO CO LTD

Founded in 1970, Leshan Radio Co., Ltd. (abbreviated as LRC) is located in the historic and culture city--Leshan, the center of West China Development. It is a comprehensive electronic enterprise majored in manufacturing of discrete semiconductor devices. After decades of arduous efforts and hard work in China’s reform and opening up, LRC now has grown rapidly into an enterprise group with several wholly-owned subsidiaries and also joint-ventures.

商品列表
LBC856BWT1G
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: PNP VCEO:65V IC:100mA
安装类型: SMT 功率耗散: 150mW 集电极-基极电压(VCBO): 80V 集射极击穿电压Vceo: 65V 集射极饱和电压(VCE(sat)): 65V 长x宽/尺寸: 2.00 x 1.25mm 封装/外壳: SOT-323 工作温度: -55℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 100mA 特征频率(fT): 100MHz 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 0.90mm 零件状态: Active 晶体管类型: PNP DC电流增益(hFE): 220~475 引脚数: 3Pin
LUR1100
供应商: Anychip Mall
分类: 整流二极管
描述: 整流二极管 1KV 1A DO-41
安装类型: 插件 二极管配置: 1个独立式 正向压降VF: 1.75V 长x宽/尺寸: Φ2.70 x 5.20mm 反向漏电流IR: 5μA 封装/外壳: DO-41 工作温度: -65℃~+150℃ 反向耐压VR: 1kV 平均整流电流: 1A 反向恢复时间(trr): 75ns 正向压降VF Max: 1.85V 高度: 2.70mm 引脚数: 2Pin
LP4101LT1G
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 低功耗MOSFET
安装类型: SMT 功率耗散: 900mW 阈值电压: 950mV 原始制造商: Leshan Radio Co., Ltd. 包装: Tape/reel 原产地: China 连续漏极电流: 2.3A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 输入电容(Ci): 388pF 反向传输电容Crss: 97.26pF@6V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 漏源电压(Vdss): 20V 导通电阻(RDS(on): 69mΩ@4.5V 栅极电荷(Qg): 15.23nC@4.5V 零件状态: Active 类型: 1个P沟道
LBC846BWT1G
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: NPN VCEO:65V IC:100mA
安装类型: SMT 功率耗散: 150mW 集射极击穿电压Vceo: 65V 集射极饱和电压(VCE(sat)): 65V 长x宽/尺寸: 2.00 x 1.25mm 封装/外壳: SOT-323 工作温度: -55℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 100mA 特征频率(fT): 100MHz 高度: 0.90mm 零件状态: Active 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 200~450 引脚数: 3Pin
LESD8D8.0T5G
供应商: Anychip Mall
分类: 静电放电(ESD)保护器件
描述: VRWM:8V IR:2μA VBR:8.5V 400W
产品分类: ESD抑制器/TVS二极管过压过流保护器件
D25SB100
供应商: Anychip Mall
分类: 桥式整流器/整流桥
描述: 桥式整流器/整流桥 1KV 3.5A SIP-4
安装类型: 插件 正向电流: 12.5A 品牌: LRC 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm): 350A 包装: Box packing 正向压降VF: 1.1V 长x宽/尺寸: 30.00 x 4.60mm 封装/外壳: SIP-4 反向漏电流IR: 5μA 工作温度: -55℃~+150℃ 反向峰值电压(最大值): 1KV 反向耐压VR: 1kV 平均整流电流: 3.5A 最小包装: 250pcs 正向压降VF Max: 1.05V 高度: 24.00mm 引脚数: 4Pin
LMBZ5230BLT1G
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: 齐纳电压调节器 Vz=4.7V 4.46V~4.94V Izt=20mA P=225mW SOT23
安装类型: SMT 二极管配置: 独立式 是否无铅: Yes 热阻: 417℃/W 品牌: LRC 稳压值(范围): 4.46V~4.94V 功率耗散: 225mW Izt-测试电流: 20mA 原始制造商: Leshan Radio Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 封装/外壳: SOT-23 反向漏电流IR: 5μA 元件生命周期: Active 工作温度: -65℃~+150℃(TJ) 原产国家: China 应用等级: AEC-Q101 反向耐压VR: 2V 稳态电流: 20mA 正向压降VF Max: 900mV 引脚数: 3Pin
LBSS260DW1T1G
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: Small Signal MOSFETs
安装类型: SMT 功率耗散: 380mW 阈值电压: 1V 极性: N-沟道 连续漏极电流: 200mA 长x宽/尺寸: 2.00 x 1.25mm 封装/外壳: SOT-363 栅极源极击穿电压: ±20V 输入电容(Ci): 22.8pF@25V 工作温度: -55℃~+150℃ Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 60V 导通电阻(RDS(on): 1.44Ω@10V,500mA 高度: 1.10mm 零件状态: Active 引脚数: 6Pin 类型: 1个N沟道
SM360A
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 肖特基二极管
安装类型: SMT 二极管配置: 1个独立式 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm): 100A 正向压降VF: 700mV 长x宽/尺寸: 5.30 x 2.80mm 反向漏电流IR: 500μA 封装/外壳: SMA(DO-214AC) 反向峰值电压(最大值): 60V 反向耐压VR: 60V 平均整流电流: 3A 高度: 2.55mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
LBZT52C3V3T1G
供应商: Anychip Mall
分类: 稳压二极管
描述: VZ:3.3V IZT:5mA PD:500mW
安装类型: SMT 正向电流: 10mA 二极管配置: 独立式 稳压值(范围): 3.1V~3.5V Izt-测试电流: 5mA 功率耗散: 500mW 最大稳压值: 3.5V Zzt阻抗: 95Ω 长x宽/尺寸: 2.69 x 1.60mm 反向漏电流IR: 5μA 封装/外壳: SOD-123 工作温度: -55℃~+150℃ 标准稳压值: 3.3V 最小稳压值: 3.1V 反向耐压VR: 1V 高度: 1.35mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin