LRC LESHAN RADIO CO LTD
Founded in 1970, Leshan Radio Co., Ltd. (abbreviated as LRC) is located in the historic and culture city--Leshan, the center of West China Development. It is a comprehensive electronic enterprise majored in manufacturing of discrete semiconductor devices. After decades of arduous efforts and hard work in China’s reform and opening up, LRC now has grown rapidly into an enterprise group with several wholly-owned subsidiaries and also joint-ventures.
商品列表
LBC856BWT1G
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: PNP VCEO:65V IC:100mA
安装类型: SMT 品牌: LRC 功率耗散: 150mW 集电极-基极电压（VCBO）: 80V Vce饱和压降: 650mV 包装: Tape/reel 集射极击穿电压Vce(Max): 65V 极性: PNP 跃迁频率: 100MHz 印字代码: 3B 封装/外壳: SOT-323 工作温度: -55℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 100mA 集电极-发射极电压 VCEO: 65V 原产国家: China 最小包装: 3000 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 认证信息: RoHS DC电流增益(hFE): 220~475 晶体管类型: PNP
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: PNP VCEO:65V IC:100mA
安装类型: SMT 品牌: LRC 功率耗散: 150mW 集电极-基极电压（VCBO）: 80V Vce饱和压降: 650mV 包装: Tape/reel 集射极击穿电压Vce(Max): 65V 极性: PNP 跃迁频率: 100MHz 印字代码: 3B 封装/外壳: SOT-323 工作温度: -55℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 100mA 集电极-发射极电压 VCEO: 65V 原产国家: China 最小包装: 3000 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 认证信息: RoHS DC电流增益(hFE): 220~475 晶体管类型: PNP
LUR1100
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 玻璃钝化结超快整流器 反向电压800至1000V正向电流1.0A
安装类型: 插件 是否无铅: Yes 品牌: LRC 原始制造商: Leshan Radio Co., Ltd. 包装: Box packing 正向压降VF: 1.75V 长x宽/尺寸: Φ2.70 x 5.20mm 存储温度: -65~+150℃ 封装/外壳: DO-41(DO-204AL) 反向漏电流IR: 5μA 元件生命周期: Active 工作温度: -65℃~+150℃ 原产国家: China 反向耐压VR: 1KV 平均整流电流: 1A 最小包装: 3000pcs 认证信息: RoHS 反向恢复时间(trr): 75ns 正向压降VF Max: 1.85V 零件状态: Active
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 玻璃钝化结超快整流器 反向电压800至1000V正向电流1.0A
安装类型: 插件 是否无铅: Yes 品牌: LRC 原始制造商: Leshan Radio Co., Ltd. 包装: Box packing 正向压降VF: 1.75V 长x宽/尺寸: Φ2.70 x 5.20mm 存储温度: -65~+150℃ 封装/外壳: DO-41(DO-204AL) 反向漏电流IR: 5μA 元件生命周期: Active 工作温度: -65℃~+150℃ 原产国家: China 反向耐压VR: 1KV 平均整流电流: 1A 最小包装: 3000pcs 认证信息: RoHS 反向恢复时间(trr): 75ns 正向压降VF Max: 1.85V 零件状态: Active
LP4101LT1G
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: 低功耗MOSFET
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 功率耗散: 900mW 阈值电压: 950mV@250μA 额定功率: 900mW 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 2.3A 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±8V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 输入电容: 388pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 15.23nC@4.5V 零件状态: Active 引脚数: 3Pin 类型: 1个P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: 低功耗MOSFET
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 功率耗散: 900mW 阈值电压: 950mV@250μA 额定功率: 900mW 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 2.3A 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±8V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 输入电容: 388pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 15.23nC@4.5V 零件状态: Active 引脚数: 3Pin 类型: 1个P沟道
LBC846BWT1G
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: NPN VCEO:65V IC:100mA
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: LRC 功率耗散: 150mW 原始制造商: Leshan Radio Co., Ltd. 额定功率: 150mW 集射极击穿电压Vce(Max): 65V 包装: Tape/reel Vce饱和压降: 600mV 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)): 65V 长x宽/尺寸: 2.00 x 1.25mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-323 工作温度: -55℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 100mA 原产国家: China 特征频率(fT): 100MHz 高度: 0.90mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 200~450
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: NPN VCEO:65V IC:100mA
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: LRC 功率耗散: 150mW 原始制造商: Leshan Radio Co., Ltd. 额定功率: 150mW 集射极击穿电压Vce(Max): 65V 包装: Tape/reel Vce饱和压降: 600mV 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)): 65V 长x宽/尺寸: 2.00 x 1.25mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-323 工作温度: -55℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 100mA 原产国家: China 特征频率(fT): 100MHz 高度: 0.90mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 200~450
LESD8D8.0T5G
供应商: Anychip Mall
分类: 静电放电（ESD）保护器件
描述: VRWM:8V IR:2μA VBR:8.5V 400W
产品分类: ESD抑制器/TVS二极管过压过流保护器件
供应商: Anychip Mall
分类: 静电放电（ESD）保护器件
描述: VRWM:8V IR:2μA VBR:8.5V 400W
产品分类: ESD抑制器/TVS二极管过压过流保护器件
D25SB100
供应商: Anychip Mall
分类: 桥式整流器/整流桥
描述: 大电流玻璃钝化成型单相桥式整流器 反向电压100至1000V正向电流25 A
安装类型: 插件 是否无铅: Yes 品牌: LRC 原始制造商: Leshan Radio Co., Ltd. 包装: Box packing 正向压降VF: 1.1V 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 30.00 x 4.60mm 反向漏电流IR: 5μA 封装/外壳: DB-4_30X4.6MM_TM 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 反向峰值电压（最大值）: 1KV 反向耐压VR: 1KV 平均整流电流: 3.5A 最小包装: 250pcs 正向压降VF Max: 1.05V 高度: 24.00mm 零件状态: Active
供应商: Anychip Mall
分类: 桥式整流器/整流桥
描述: 大电流玻璃钝化成型单相桥式整流器 反向电压100至1000V正向电流25 A
安装类型: 插件 是否无铅: Yes 品牌: LRC 原始制造商: Leshan Radio Co., Ltd. 包装: Box packing 正向压降VF: 1.1V 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 30.00 x 4.60mm 反向漏电流IR: 5μA 封装/外壳: DB-4_30X4.6MM_TM 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 反向峰值电压（最大值）: 1KV 反向耐压VR: 1KV 平均整流电流: 3.5A 最小包装: 250pcs 正向压降VF Max: 1.05V 高度: 24.00mm 零件状态: Active
LMBZ5230BLT1G
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: 齐纳电压调节器 Vz=4.7V 4.46V~4.94V Izt=20mA P=225mW SOT23
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 稳压值(范围): 4.46V~4.94V 功率: 225mW Izt-测试电流: 20mA 包装: Tape/Reel 最大稳压值: 4.94V 存储温度: -65~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 反向漏电流IR: 5μA 工作温度: -65℃~+150℃(TJ) Izk-稳定电流Min: 0.25mA 最小稳压值: 4.46V 反向耐压VR: 2V 最小包装: 3000pcs 功率耗散（最大值）: 225mW 高度: 1.11mm 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: 齐纳电压调节器 Vz=4.7V 4.46V~4.94V Izt=20mA P=225mW SOT23
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 稳压值(范围): 4.46V~4.94V 功率: 225mW Izt-测试电流: 20mA 包装: Tape/Reel 最大稳压值: 4.94V 存储温度: -65~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 反向漏电流IR: 5μA 工作温度: -65℃~+150℃(TJ) Izk-稳定电流Min: 0.25mA 最小稳压值: 4.46V 反向耐压VR: 2V 最小包装: 3000pcs 功率耗散（最大值）: 225mW 高度: 1.11mm 引脚数: 3Pin
LBSS260DW1T1G
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: Small Signal MOSFETs
安装类型: SMT 品牌: LRC 阈值电压: 1V@250μA 原始制造商: Leshan Radio Co., Ltd. 额定功率: 380mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 1.44Ω@10V,500mA 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 200mA 长x宽/尺寸: 2.00 x 1.25mm 封装/外壳: SOT-363 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 输入电容: 22.8pF@25V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 60V 零件状态: Active 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: Small Signal MOSFETs
安装类型: SMT 品牌: LRC 阈值电压: 1V@250μA 原始制造商: Leshan Radio Co., Ltd. 额定功率: 380mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 1.44Ω@10V,500mA 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 200mA 长x宽/尺寸: 2.00 x 1.25mm 封装/外壳: SOT-363 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 输入电容: 22.8pF@25V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 60V 零件状态: Active 类型: 1个N沟道
SM360A
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 肖特基二极管
安装类型: SMT 品牌: LRC 原始制造商: Leshan Radio Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 700mV 长x宽/尺寸: 5.30 x 2.80mm 存储温度: -40~+150℃ 反向漏电流IR: 500µA 封装/外壳: DO-214AC 元件生命周期: Active 原产国家: China 反向峰值电压（最大值）: 60V 反向耐压VR: 60V Ifsm - 正向浪涌峰值电流: 100A 平均整流电流: 3A 最小包装: 3000pcs 零件状态: Active 高度: 2.55mm 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 肖特基二极管
安装类型: SMT 品牌: LRC 原始制造商: Leshan Radio Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 700mV 长x宽/尺寸: 5.30 x 2.80mm 存储温度: -40~+150℃ 反向漏电流IR: 500µA 封装/外壳: DO-214AC 元件生命周期: Active 原产国家: China 反向峰值电压（最大值）: 60V 反向耐压VR: 60V Ifsm - 正向浪涌峰值电流: 100A 平均整流电流: 3A 最小包装: 3000pcs 零件状态: Active 高度: 2.55mm 引脚数: 2Pin
LBZT52C3V3T1G
供应商: Anychip Mall
分类: 稳压二极管
描述: VZ:3.3V IZT:5mA PD:500mW
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 热阻: 305℃/W 原始制造商: Leshan Radio Company, Ltd. 包装: Tape/Reel 最大稳压值: 3.5V Zzt阻抗: 95Ω 反向漏电流IR: 5μA 封装/外壳: SOD-123 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ Izk-稳定电流Min: 1mA 原产国家: China 标准稳压值: 3.3V 最小稳压值: 3.1V 应用等级: AEC-Q101 反向耐压VR: 1V 稳态电流: 5mA 功率耗散（最大值）: 500mW 零件状态: Active
供应商: Anychip Mall
分类: 稳压二极管
描述: VZ:3.3V IZT:5mA PD:500mW
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 热阻: 305℃/W 原始制造商: Leshan Radio Company, Ltd. 包装: Tape/Reel 最大稳压值: 3.5V Zzt阻抗: 95Ω 反向漏电流IR: 5μA 封装/外壳: SOD-123 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ Izk-稳定电流Min: 1mA 原产国家: China 标准稳压值: 3.3V 最小稳压值: 3.1V 应用等级: AEC-Q101 反向耐压VR: 1V 稳态电流: 5mA 功率耗散（最大值）: 500mW 零件状态: Active