BLUE ROCKET
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79D05
供应商: Anychip Mall
分类: 线性稳压器(LDO)
描述: 输入35V 输出5V 1A 输出类型:固定 最大输入电压:35V 输出电压:5V 输出电流:1A 电源纹波抑制比(PSRR):60dB@(120Hz) 输出极性:负
安装类型: SMT 输出配置: Negative 电源抑制比(PSRR): 60dB 品牌: BLUE ROCKET 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 输入电压: -35V 输出端数: 1 长x宽/尺寸: 6.75 x 6.25mm 存储温度: -65℃~+150℃ 输出类型: 固定 封装/外壳: TO252-3 元件生命周期: Active 工作温度: 0℃~+125℃ 负荷调节: 100mV 原产国家: China 输出电流: 1A 最小包装: 2500pcs 输出电压: 5V 高度: 2.40mm 引脚数: 4Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 线性稳压器(LDO)
描述: 输入35V 输出5V 1A 输出类型:固定 最大输入电压:35V 输出电压:5V 输出电流:1A 电源纹波抑制比(PSRR):60dB@(120Hz) 输出极性:负
安装类型: SMT 输出配置: Negative 电源抑制比(PSRR): 60dB 品牌: BLUE ROCKET 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 输入电压: -35V 输出端数: 1 长x宽/尺寸: 6.75 x 6.25mm 存储温度: -65℃~+150℃ 输出类型: 固定 封装/外壳: TO252-3 元件生命周期: Active 工作温度: 0℃~+125℃ 负荷调节: 100mV 原产国家: China 输出电流: 1A 最小包装: 2500pcs 输出电压: 5V 高度: 2.40mm 引脚数: 4Pin
BRD5N50
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 耐压:500V 电流:5A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):500V 连续漏极电流(Id):5A 功率(Pd):2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.4Ω@10V,2.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA
安装类型: SMT 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 阈值电压Vgs(th): 4V 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 5A 极性: N-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 500V 长x宽/尺寸: 6.75 x 6.25mm 封装/外壳: TO252 元件生命周期: Active 输入电容Ciss: 480pF 栅极源极击穿电压: ±30V 反向传输电容Crss: 15pF 工作温度: +150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 1.14Ω 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 500V 高度: 6.25mm 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 耐压:500V 电流:5A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):500V 连续漏极电流(Id):5A 功率(Pd):2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.4Ω@10V,2.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA
安装类型: SMT 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 阈值电压Vgs(th): 4V 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 5A 极性: N-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 500V 长x宽/尺寸: 6.75 x 6.25mm 封装/外壳: TO252 元件生命周期: Active 输入电容Ciss: 480pF 栅极源极击穿电压: ±30V 反向传输电容Crss: 15pF 工作温度: +150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 1.14Ω 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 500V 高度: 6.25mm 晶体管类型: N沟道
BRD4N65
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 耐压:650V 电流:4A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd):75W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.7Ω@10V,2A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA
安装类型: SMT 品牌: BLUE ROCKET 功率耗散: 75W 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 阈值电压Vgs(th): 4V 连续漏极电流Id@25℃: 4A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 长x宽/尺寸: 6.75 x 6.25mm 封装/外壳: TO252 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 2.2pF 输入电容Ciss: 560pF 栅极源极击穿电压: ±30V 工作温度: +150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 2.7Ω 原产国家: China 漏源电压(Vdss): 650V 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 耐压:650V 电流:4A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd):75W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.7Ω@10V,2A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA
安装类型: SMT 品牌: BLUE ROCKET 功率耗散: 75W 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 阈值电压Vgs(th): 4V 连续漏极电流Id@25℃: 4A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 长x宽/尺寸: 6.75 x 6.25mm 封装/外壳: TO252 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 2.2pF 输入电容Ciss: 560pF 栅极源极击穿电压: ±30V 工作温度: +150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 2.7Ω 原产国家: China 漏源电压(Vdss): 650V 晶体管类型: N沟道
7809
供应商: Anychip Mall
分类: 线性稳压器/LDO
描述: TO-220 塑封封装电压调整器 9V 1.5A
安装类型: DIP 输出配置: Positive 电源抑制比(PSRR): 55dB 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 输入电压: 35V 输出端数: 1 长x宽/尺寸: 10.20 x 4.70mm 存储温度: -65℃~+150℃ 输出类型: 固定 封装/外壳: TO220 元件生命周期: Active 工作温度: 0℃~+125℃ 负荷调节: 180mV 原产国家: China 输出电流: 1.5A 静态电流: 8mA 输出电压精度: ±5% 输出电压: 9V 高度: 16.10mm 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 线性稳压器/LDO
描述: TO-220 塑封封装电压调整器 9V 1.5A
安装类型: DIP 输出配置: Positive 电源抑制比(PSRR): 55dB 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 输入电压: 35V 输出端数: 1 长x宽/尺寸: 10.20 x 4.70mm 存储温度: -65℃~+150℃ 输出类型: 固定 封装/外壳: TO220 元件生命周期: Active 工作温度: 0℃~+125℃ 负荷调节: 180mV 原产国家: China 输出电流: 1.5A 静态电流: 8mA 输出电压精度: ±5% 输出电压: 9V 高度: 16.10mm 引脚数: 3Pin
BRD15N10
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 耐压:100V 电流:15A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):15A 功率(Pd):39W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):90mΩ@10V,8.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA
安装类型: SMT 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 阈值电压Vgs(th): 2.2V 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 15A 极性: N-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 100V 长x宽/尺寸: 7.50 x 6.75mm 封装/外壳: TO252-3 元件生命周期: Active 输入电容Ciss: 1.12nF 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 35pF 工作温度: +150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 80mΩ 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 100V 高度: 2.40mm 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 耐压:100V 电流:15A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):15A 功率(Pd):39W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):90mΩ@10V,8.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA
安装类型: SMT 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 阈值电压Vgs(th): 2.2V 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 15A 极性: N-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 100V 长x宽/尺寸: 7.50 x 6.75mm 封装/外壳: TO252-3 元件生命周期: Active 输入电容Ciss: 1.12nF 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 35pF 工作温度: +150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 80mΩ 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 100V 高度: 2.40mm 晶体管类型: N沟道
BRCS10N15DP
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: BRCS10N15DP
安装类型: SMT 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 阈值电压Vgs(th): 3V 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 10A 极性: N-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 155V 长x宽/尺寸: 6.75 x 6.25mm 封装/外壳: TO252 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 17pF 工作温度: +150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 182mΩ 原产国家: China 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 150V 高度: 6.25mm 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: BRCS10N15DP
安装类型: SMT 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 阈值电压Vgs(th): 3V 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 10A 极性: N-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 155V 长x宽/尺寸: 6.75 x 6.25mm 封装/外壳: TO252 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 17pF 工作温度: +150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 182mΩ 原产国家: China 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 150V 高度: 6.25mm 晶体管类型: N沟道
MMBTA94
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 耐压:400V 电流:300mA PNP 晶体管类型:PNP 集电极电流(Ic):300mA 集射极击穿电压(Vceo):400V 功率(Pd):350mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):80@10mA,10V
安装类型: SMT 品牌: BLUE ROCKET 功率耗散: 350mW 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 集射极击穿电压Vce(Max): 400V 包装: Tape/reel 极性: PNP 跃迁频率: 50MHz 长x宽/尺寸: 3.10 x 1.50mm 封装/外壳: SOT23 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 300mA 原产国家: China 最小包装: 3000pcs DC电流增益(hFE)(Min&Range): 80~300 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V Vce饱和压降(Max): 300mV 高度: 1.30mm 晶体管类型: PNP
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 耐压:400V 电流:300mA PNP 晶体管类型:PNP 集电极电流(Ic):300mA 集射极击穿电压(Vceo):400V 功率(Pd):350mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):80@10mA,10V
安装类型: SMT 品牌: BLUE ROCKET 功率耗散: 350mW 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 集射极击穿电压Vce(Max): 400V 包装: Tape/reel 极性: PNP 跃迁频率: 50MHz 长x宽/尺寸: 3.10 x 1.50mm 封装/外壳: SOT23 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 300mA 原产国家: China 最小包装: 3000pcs DC电流增益(hFE)(Min&Range): 80~300 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V Vce饱和压降(Max): 300mV 高度: 1.30mm 晶体管类型: PNP
MJD350
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 耐压:300V 电流:500mA PNP (30-240) 晶体管类型:PNP 集电极电流(Ic):500mA 集射极击穿电压(Vceo):300V 功率(Pd):15W 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):30@50mA,10V (30-240)
安装类型: SMT 品牌: BLUE ROCKET 功率耗散: 1.56W 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: PNP 集电极与基极之间电压 VCBO: 300V 长x宽/尺寸: 7.50 x 6.75mm 封装/外壳: TO252 元件生命周期: Active 集电极电流 Ic: 500mA 集电极-发射极电压 VCEO: 300V 原产国家: China 最小包装: 2500pcs DC电流增益(hFE)(Min&Range): 30~240 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V Vce饱和压降(Max): 10V 高度: 2.40mm 晶体管类型: PNP 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 耐压:300V 电流:500mA PNP (30-240) 晶体管类型:PNP 集电极电流(Ic):500mA 集射极击穿电压(Vceo):300V 功率(Pd):15W 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):30@50mA,10V (30-240)
安装类型: SMT 品牌: BLUE ROCKET 功率耗散: 1.56W 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: PNP 集电极与基极之间电压 VCBO: 300V 长x宽/尺寸: 7.50 x 6.75mm 封装/外壳: TO252 元件生命周期: Active 集电极电流 Ic: 500mA 集电极-发射极电压 VCEO: 300V 原产国家: China 最小包装: 2500pcs DC电流增益(hFE)(Min&Range): 30~240 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V Vce饱和压降(Max): 10V 高度: 2.40mm 晶体管类型: PNP 引脚数: 3Pin
MJE13003F1
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: TO-92 NPN 通用三极管 800mA 5MHz
安装类型: DIP 功率耗散: 1W 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 集电极-基极电压（VCBO）: 600V 集射极击穿电压Vce(Max): 400V Vce饱和压降: 500mV 包装: Bag Packing 极性: NPN 跃迁频率: 5MHz 长x宽/尺寸: 4.60 x 3.60mm 封装/外壳: TO92 元件生命周期: Active 集电极-发射极电压 VCEO: 400V 集电极电流 Ic: 800mA 原产国家: China 最小包装: 1000pcs DC电流增益(hFE)(Min&Range): 10~40 发射极与基极之间电压 VEBO: 9V 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: TO-92 NPN 通用三极管 800mA 5MHz
安装类型: DIP 功率耗散: 1W 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 集电极-基极电压（VCBO）: 600V 集射极击穿电压Vce(Max): 400V Vce饱和压降: 500mV 包装: Bag Packing 极性: NPN 跃迁频率: 5MHz 长x宽/尺寸: 4.60 x 3.60mm 封装/外壳: TO92 元件生命周期: Active 集电极-发射极电压 VCEO: 400V 集电极电流 Ic: 800mA 原产国家: China 最小包装: 1000pcs DC电流增益(hFE)(Min&Range): 10~40 发射极与基极之间电压 VEBO: 9V 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
BRCS4484SC
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 耐压:40V 电流:10A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):10A 功率(Pd):1.7W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.2mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.4V@250uA
安装类型: SMT 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 阈值电压Vgs(th): 1.4V 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 10A 极性: N-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 40V 长x宽/尺寸: 5.10 x 4.10mm 封装/外壳: SO8 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 135pF 工作温度: +150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 12.5mΩ 原产国家: China 最小包装: 4000pcs 漏源电压(Vdss): 40V 高度: 1.75mm 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 耐压:40V 电流:10A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):10A 功率(Pd):1.7W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.2mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.4V@250uA
安装类型: SMT 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 阈值电压Vgs(th): 1.4V 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 10A 极性: N-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 40V 长x宽/尺寸: 5.10 x 4.10mm 封装/外壳: SO8 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 135pF 工作温度: +150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 12.5mΩ 原产国家: China 最小包装: 4000pcs 漏源电压(Vdss): 40V 高度: 1.75mm 晶体管类型: N沟道