ALLPOWER
商品列表
AP2N7002
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 60V 450mA
安装类型: SMT 品牌: ALLPOWER 功率耗散: 700mW 击穿电压: 60V 阈值电压: 2.5V@250µA 额定功率: 700mW 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 450mA 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.40mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT23 反向传输电容Crss: 6pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 4Ω 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 1.6nC 高度: 1.15mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 60V 450mA
安装类型: SMT 品牌: ALLPOWER 功率耗散: 700mW 击穿电压: 60V 阈值电压: 2.5V@250µA 额定功率: 700mW 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 450mA 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.40mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT23 反向传输电容Crss: 6pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 4Ω 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 1.6nC 高度: 1.15mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
AP1606
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs DFN-1006 Single N-Channel
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: ALLPOWER 功率耗散: 550mW 阈值电压: 0.8V 原始制造商: Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd. 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 700mA 封装/外壳: DFN1006-3 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±8V 反向传输电容Crss: 6.5pF 工作温度: +150℃ 配置: 单路 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 180mΩ 输入电容: 40pF 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 1.1nC 零件状态: Active
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs DFN-1006 Single N-Channel
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: ALLPOWER 功率耗散: 550mW 阈值电压: 0.8V 原始制造商: Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd. 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 700mA 封装/外壳: DFN1006-3 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±8V 反向传输电容Crss: 6.5pF 工作温度: +150℃ 配置: 单路 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 180mΩ 输入电容: 40pF 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 1.1nC 零件状态: Active
AP8810
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 2个N沟道(共漏) 耐压:20V 电流:7A 类型:2个N沟道(共漏) 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):7A 功率(Pd):1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@4.5V,6A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 原始制造商: Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd. 阈值电压Vgs(th): 1V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 7A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TSSOP8 元件生命周期: Active 输入电容Ciss: 2.6nF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 共漏 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 30mΩ 原产国家: China 栅极电荷(Qg)(Max): 45nC 最小包装: 5000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 认证信息: RoHS 零件状态: Active 晶体管类型: 2个N沟道(双)
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 2个N沟道(共漏) 耐压:20V 电流:7A 类型:2个N沟道(共漏) 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):7A 功率(Pd):1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@4.5V,6A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 原始制造商: Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd. 阈值电压Vgs(th): 1V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 7A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TSSOP8 元件生命周期: Active 输入电容Ciss: 2.6nF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 共漏 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 30mΩ 原产国家: China 栅极电荷(Qg)(Max): 45nC 最小包装: 5000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 认证信息: RoHS 零件状态: Active 晶体管类型: 2个N沟道(双)
AP3910GD
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 1个N沟道和1个P沟道 耐压:30V 电流:36A 类型:1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):36A 功率(Pd):35W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9.5mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.3V@250uA
安装类型: SMT 品牌: ALLPOWER 功率耗散: 35W 原始制造商: Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd. 阈值电压Vgs(th): 1.3V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 30A 极性: N-沟道,P-沟道 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 5.75 x 4.90mm 封装/外壳: PDFN8_5X6MM 输入电容Ciss: 790pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 20mΩ 栅极电荷(Qg)(Max): 13nC 漏源电压(Vdss): 30V 认证信息: RoHS 高度: 1.10mm 晶体管类型: N沟道和P沟道互补型
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 1个N沟道和1个P沟道 耐压:30V 电流:36A 类型:1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):36A 功率(Pd):35W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9.5mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.3V@250uA
安装类型: SMT 品牌: ALLPOWER 功率耗散: 35W 原始制造商: Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd. 阈值电压Vgs(th): 1.3V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 30A 极性: N-沟道,P-沟道 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 5.75 x 4.90mm 封装/外壳: PDFN8_5X6MM 输入电容Ciss: 790pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 20mΩ 栅极电荷(Qg)(Max): 13nC 漏源电压(Vdss): 30V 认证信息: RoHS 高度: 1.10mm 晶体管类型: N沟道和P沟道互补型
AP30H80Q
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 耐压:30V 电流:70A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):70A 功率(Pd):46W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.8mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: ALLPOWER 原始制造商: Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd. 阈值电压Vgs(th): 1.5V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 70A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.15 x 3.05mm 封装/外壳: DFN8_3.3X3.3MM 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China 栅极电荷(Qg)(Max): 33.7nC 最小包装: 5000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 0.85mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 耐压:30V 电流:70A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):70A 功率(Pd):46W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.8mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: ALLPOWER 原始制造商: Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd. 阈值电压Vgs(th): 1.5V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 70A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.15 x 3.05mm 封装/外壳: DFN8_3.3X3.3MM 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China 栅极电荷(Qg)(Max): 33.7nC 最小包装: 5000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 0.85mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
AP2301B
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: P沟道 耐压:20V 电流:2A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):2A 功率(Pd):750mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):130mΩ@4.5V,2A 阈值电压(Vgs(th)@Id):950mV@250uA
安装类型: SMT 品牌: ALLPOWER 功率耗散: 750mW 额定功率: 750mW 原始制造商: Shenzhen Quan Li Semiconductor Co., Ltd. 阈值电压Vgs(th): 950mV@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 2A 包装: Tape/reel 漏源击穿电压BVDSS: 20V 封装/外壳: SOT23 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 27pF 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃ 漏极电流Idss: -2A 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 165mΩ 漏源电压(Vdss): 20V 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: P沟道 耐压:20V 电流:2A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):2A 功率(Pd):750mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):130mΩ@4.5V,2A 阈值电压(Vgs(th)@Id):950mV@250uA
安装类型: SMT 品牌: ALLPOWER 功率耗散: 750mW 额定功率: 750mW 原始制造商: Shenzhen Quan Li Semiconductor Co., Ltd. 阈值电压Vgs(th): 950mV@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 2A 包装: Tape/reel 漏源击穿电压BVDSS: 20V 封装/外壳: SOT23 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 27pF 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃ 漏极电流Idss: -2A 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 165mΩ 漏源电压(Vdss): 20V 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道
AP2301
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: SOT23 1W
安装类型: SMT 击穿电压: 20V 功率耗散: 1W 阈值电压: -0.7V@250uA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 3A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 封装/外壳: SOT23 元件生命周期: Active 漏极电流: -3A 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 58pF 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 输入电容: 405pF 漏源电压(Vdss): 20V 认证信息: RoHS 栅极电荷(Qg): 12nC 晶体管类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: SOT23 1W
安装类型: SMT 击穿电压: 20V 功率耗散: 1W 阈值电压: -0.7V@250uA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 3A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 封装/外壳: SOT23 元件生命周期: Active 漏极电流: -3A 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 58pF 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 输入电容: 405pF 漏源电压(Vdss): 20V 认证信息: RoHS 栅极电荷(Qg): 12nC 晶体管类型: P沟道
AP2302B
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 耐压:20V 电流:2.8A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):2.8A 功率(Pd):350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):55mΩ@4.5V,2.8A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.2V@50uA
安装类型: SMT 功率耗散: 350mW 阈值电压Vgs(th): 0.7V@250uA 连续漏极电流Id@25℃: 2.8A 包装: Tape/reel 漏源击穿电压BVDSS: 20V 封装/外壳: SOT23 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±10V 输入电容Ciss: 300pF 反向传输电容Crss: 80pF 漏极电流Idss: 2.8A 工作温度: +150℃(TJ) 充电电量: 4nC 原产国家: China 栅极电荷(Qg)(Max): 10nC 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 认证信息: RoHS 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 耐压:20V 电流:2.8A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):2.8A 功率(Pd):350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):55mΩ@4.5V,2.8A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.2V@50uA
安装类型: SMT 功率耗散: 350mW 阈值电压Vgs(th): 0.7V@250uA 连续漏极电流Id@25℃: 2.8A 包装: Tape/reel 漏源击穿电压BVDSS: 20V 封装/外壳: SOT23 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±10V 输入电容Ciss: 300pF 反向传输电容Crss: 80pF 漏极电流Idss: 2.8A 工作温度: +150℃(TJ) 充电电量: 4nC 原产国家: China 栅极电荷(Qg)(Max): 10nC 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 认证信息: RoHS 晶体管类型: N沟道
AP6007S
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：3.2W
安装类型: SMT 品牌: ALLPOWER 击穿电压: 60V 功率耗散: 3.2W 阈值电压: 1.6V 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 12A 长x宽/尺寸: 5.10 x 4.00mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SO8 栅极源极击穿电压: ±20V 输入电容Ciss: 4.605nF 工作温度: +150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 9.5mΩ 原产国家: China 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 77nC 高度: 1.75mm
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：3.2W
安装类型: SMT 品牌: ALLPOWER 击穿电压: 60V 功率耗散: 3.2W 阈值电压: 1.6V 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 12A 长x宽/尺寸: 5.10 x 4.00mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SO8 栅极源极击穿电压: ±20V 输入电容Ciss: 4.605nF 工作温度: +150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 9.5mΩ 原产国家: China 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 77nC 高度: 1.75mm
AP2080K
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs TO-252 N-Channel Single VDS=20V VGS=±12V ID=50A
安装类型: SMT 品牌: ALLPOWER 击穿电压: 20V 阈值电压: 900mV@1mA 原始制造商: Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd. 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 50A 长x宽/尺寸: 6.80 x 6.30mm 封装/外壳: TO252 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 14mΩ 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 20V 认证信息: RoHS 栅极电荷(Qg): 99.2nC 高度: 2.50mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs TO-252 N-Channel Single VDS=20V VGS=±12V ID=50A
安装类型: SMT 品牌: ALLPOWER 击穿电压: 20V 阈值电压: 900mV@1mA 原始制造商: Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd. 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 50A 长x宽/尺寸: 6.80 x 6.30mm 封装/外壳: TO252 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 14mΩ 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 20V 认证信息: RoHS 栅极电荷(Qg): 99.2nC 高度: 2.50mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin