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1N60L-T92-K
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：600V 连续漏极电流(Id)：1.2A 功率(Pd)：1W
安装类型: 插件 击穿电压: 600 功率耗散: 1W 阈值电压: 4V 极性: N-沟道 连续漏极电流: 1.2A 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.80mm 封装/外壳: TO-92 反向传输电容Crss: 3 栅极源极击穿电压: ±30 输入电容(Ci): 120pF 工作温度: +150℃(TJ) Vgs(Max): ±30 漏源电压(Vdss): 600V 导通电阻(RDS(on): 11.5Ω@10V,600mA 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：600V 连续漏极电流(Id)：1.2A 功率(Pd)：1W
安装类型: 插件 击穿电压: 600 功率耗散: 1W 阈值电压: 4V 极性: N-沟道 连续漏极电流: 1.2A 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.80mm 封装/外壳: TO-92 反向传输电容Crss: 3 栅极源极击穿电压: ±30 输入电容(Ci): 120pF 工作温度: +150℃(TJ) Vgs(Max): ±30 漏源电压(Vdss): 600V 导通电阻(RDS(on): 11.5Ω@10V,600mA 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
LD1117AG-1.8V-A
供应商: Anychip Mall
分类: 线性稳压器/LDO
描述: 线性稳压器/LDO Vi=18V Vo=1.8V Io=1A SOT223
安装类型: SMT 输出配置: Positive 电源抑制比(PSRR): 75dB@(120Hz) 压差: 1.3V@1A 极性: 正极 输入电压: 18V 存储温度: -65℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 6.50 x 3.50mm 输出类型: 固定 封装/外壳: SOT-223-3 工作温度: -20℃~+125℃ 输出电流: 1A 静态电流: 10mA 输出通道数: 1 输出电压: 1.8V 高度: 1.60mm 引脚数: 4Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 线性稳压器/LDO
描述: 线性稳压器/LDO Vi=18V Vo=1.8V Io=1A SOT223
安装类型: SMT 输出配置: Positive 电源抑制比(PSRR): 75dB@(120Hz) 压差: 1.3V@1A 极性: 正极 输入电压: 18V 存储温度: -65℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 6.50 x 3.50mm 输出类型: 固定 封装/外壳: SOT-223-3 工作温度: -20℃~+125℃ 输出电流: 1A 静态电流: 10mA 输出通道数: 1 输出电压: 1.8V 高度: 1.60mm 引脚数: 4Pin
2P50G-TN3-R
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：500V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：41W
安装类型: SMT 击穿电压: -500 功率耗散: 41W 阈值电压: 4V 原始制造商: Unisonic Technology Co., Ltd. 包装: Tape/reel 原产地: China Taiwan 连续漏极电流: 2A 长x宽/尺寸: 6.80 x 6.20mm 封装/外壳: TO-252(DPAK) 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±30 反向传输电容Crss: 9 输入电容(Ci): 343pF 工作温度: +150℃(TJ) 配置: 单路 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 500V 导通电阻(RDS(on): 8.5Ω@10V,1A 晶体管类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：500V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：41W
安装类型: SMT 击穿电压: -500 功率耗散: 41W 阈值电压: 4V 原始制造商: Unisonic Technology Co., Ltd. 包装: Tape/reel 原产地: China Taiwan 连续漏极电流: 2A 长x宽/尺寸: 6.80 x 6.20mm 封装/外壳: TO-252(DPAK) 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±30 反向传输电容Crss: 9 输入电容(Ci): 343pF 工作温度: +150℃(TJ) 配置: 单路 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 500V 导通电阻(RDS(on): 8.5Ω@10V,1A 晶体管类型: P沟道
8550SG-D-AE3-R
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 通用三极管 IC=700mA VCE=0.5V SOT23
安装类型: SMT 功率耗散: 350mW 集射极击穿电压Vceo: 20V 集射极饱和电压(VCE(sat)): 500mV 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.70mm 封装/外壳: SOT-23 工作温度: -40℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 700mA 特征频率(fT): 100MHz 高度: 1.10mm 零件状态: Active 晶体管类型: PNP DC电流增益(hFE): 40 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 通用三极管 IC=700mA VCE=0.5V SOT23
安装类型: SMT 功率耗散: 350mW 集射极击穿电压Vceo: 20V 集射极饱和电压(VCE(sat)): 500mV 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.70mm 封装/外壳: SOT-23 工作温度: -40℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 700mA 特征频率(fT): 100MHz 高度: 1.10mm 零件状态: Active 晶体管类型: PNP DC电流增益(hFE): 40 引脚数: 3Pin
P2576L-50-TQ5-R
供应商: Anychip Mall
分类: DC-DC转换器
描述: TO263-5
安装类型: SMT 输出配置: Positive 拓扑结构: 降压 输入电压: 40V 长x宽/尺寸: - 输出类型: 固定 封装/外壳: TO-263-5 工作温度: -40℃~+125℃ 功能: 降压 输出电流: 3A 静态电流: 5mA 开关频率: 52KHz 输出通道数: 1 输出电压: 5V 引脚数: 5Pin
供应商: Anychip Mall
分类: DC-DC转换器
描述: TO263-5
安装类型: SMT 输出配置: Positive 拓扑结构: 降压 输入电压: 40V 长x宽/尺寸: - 输出类型: 固定 封装/外壳: TO-263-5 工作温度: -40℃~+125℃ 功能: 降压 输出电流: 3A 静态电流: 5mA 开关频率: 52KHz 输出通道数: 1 输出电压: 5V 引脚数: 5Pin
UF640L-TN3-R
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：18A 功率(Pd)：83W
安装类型: SMT 击穿电压: 200 功率耗散: 83W 阈值电压: 4V 极性: N-沟道 连续漏极电流: 18A 长x宽/尺寸: 6.80 x 6.20mm 封装/外壳: TO-252(DPAK) 反向传输电容Crss: 46 栅极源极击穿电压: ±20 输入电容(Ci): 805pF 工作温度: +150℃(TJ) Vgs(Max): ±20 漏源电压(Vdss): 200V 导通电阻(RDS(on): 180mΩ@10V 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：18A 功率(Pd)：83W
安装类型: SMT 击穿电压: 200 功率耗散: 83W 阈值电压: 4V 极性: N-沟道 连续漏极电流: 18A 长x宽/尺寸: 6.80 x 6.20mm 封装/外壳: TO-252(DPAK) 反向传输电容Crss: 46 栅极源极击穿电压: ±20 输入电容(Ci): 805pF 工作温度: +150℃(TJ) Vgs(Max): ±20 漏源电压(Vdss): 200V 导通电阻(RDS(on): 180mΩ@10V 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
7N65G-TN3-R
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：7A 功率(Pd)：125W
安装类型: SMT 击穿电压: 650 功率耗散: 55W 极性: N-沟道 连续漏极电流: 7A 长x宽/尺寸: 6.80 x 6.20mm 封装/外壳: TO-252(DPAK) 反向传输电容Crss: 4.2 栅极源极击穿电压: ±30 输入电容(Ci): 990pF 工作温度: +150℃(TJ) Vgs(Max): ±30 漏源电压(Vdss): 650V 导通电阻(RDS(on): - 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：7A 功率(Pd)：125W
安装类型: SMT 击穿电压: 650 功率耗散: 55W 极性: N-沟道 连续漏极电流: 7A 长x宽/尺寸: 6.80 x 6.20mm 封装/外壳: TO-252(DPAK) 反向传输电容Crss: 4.2 栅极源极击穿电压: ±30 输入电容(Ci): 990pF 工作温度: +150℃(TJ) Vgs(Max): ±30 漏源电压(Vdss): 650V 导通电阻(RDS(on): - 晶体管类型: N沟道
LD1117AG-1.2V
供应商: Anychip Mall
分类: 线性稳压器/LDO
描述: 低压降固定和可调正电压调节器
安装类型: SMT 输出配置: Positive 输入电压: 18V 存储温度: -65℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 6.50 x 3.50mm 输出类型: 固定 封装/外壳: SOT-223-3 工作温度: -20℃~+125℃ 输出电流: 1A 静态电流: 10mA 输出电压: 1.2V 高度: 1.60mm 引脚数: 4Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 线性稳压器/LDO
描述: 低压降固定和可调正电压调节器
安装类型: SMT 输出配置: Positive 输入电压: 18V 存储温度: -65℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 6.50 x 3.50mm 输出类型: 固定 封装/外壳: SOT-223-3 工作温度: -20℃~+125℃ 输出电流: 1A 静态电流: 10mA 输出电压: 1.2V 高度: 1.60mm 引脚数: 4Pin
TL431K-T92-K
供应商: Anychip Mall
分类: 电压基准
描述: 可编程精度基准
安装类型: 插件 阴极电流: 500μA 原始制造商: Unisonic Technology Co., Ltd. 额定功率: 770mW 工作电压: 37V 输入电压: 37V 长x宽/尺寸: 4.83 x 3.70mm 元件生命周期: Active 输出类型: 可调 封装/外壳: TO-92-3 工作温度: +150℃ 原产国家: China Taiwan 输出电流: 100mA 温度系数（温漂）: 50ppm/℃ 输出电压: 36V 高度: 7.23mm 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 电压基准
描述: 可编程精度基准
安装类型: 插件 阴极电流: 500μA 原始制造商: Unisonic Technology Co., Ltd. 额定功率: 770mW 工作电压: 37V 输入电压: 37V 长x宽/尺寸: 4.83 x 3.70mm 元件生命周期: Active 输出类型: 可调 封装/外壳: TO-92-3 工作温度: +150℃ 原产国家: China Taiwan 输出电流: 100mA 温度系数（温漂）: 50ppm/℃ 输出电压: 36V 高度: 7.23mm 引脚数: 3Pin
U74HC4051G-Q16-3030-R
供应商: Anychip Mall
分类: 多路复用芯片
描述: 8通道模拟多路复用器/解复用器
漏泄电流: ±0.10µA 原始制造商: Unisonic Technology Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: - 封装/外壳: QFN-16 元件生命周期: Active 工作温度: -40℃~+125℃ 原产国家: China 安装方式: SMT 导通电阻: 6Ω 通道数: 8 最小包装: 5000pcs 高度: -
供应商: Anychip Mall
分类: 多路复用芯片
描述: 8通道模拟多路复用器/解复用器
漏泄电流: ±0.10µA 原始制造商: Unisonic Technology Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: - 封装/外壳: QFN-16 元件生命周期: Active 工作温度: -40℃~+125℃ 原产国家: China 安装方式: SMT 导通电阻: 6Ω 通道数: 8 最小包装: 5000pcs 高度: -