WINSOK
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WSC15N10
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：15A 功率(Pd)：60W
安装类型: 插件 是否无铅: Yes 击穿电压: 100V 阈值电压: 2V@250µA 额定功率: 60W 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD. 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 80mΩ@10V,5A 包装: Tube packing 连续漏极电流: 15A 封装/外壳: TO-251-3 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+170℃ 配置: 单路 Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 100V 栅极电荷(Qg): 21nC@10V 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：15A 功率(Pd)：60W
安装类型: 插件 是否无铅: Yes 击穿电压: 100V 阈值电压: 2V@250µA 额定功率: 60W 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD. 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 80mΩ@10V,5A 包装: Tube packing 连续漏极电流: 15A 封装/外壳: TO-251-3 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+170℃ 配置: 单路 Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 100V 栅极电荷(Qg): 21nC@10V 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
WST2026
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFET SOT323 N-Channel ID=2A
安装类型: SMT 品牌: Winsok 漏源电流(Idss): 2A 阈值电压: 800mV@250µA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 65mΩ@10V,2A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 2A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.00 x 1.25mm 封装/外壳: SOT-323 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 7.6nC 配置: 单路 Vgs(Max): ±12V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 7.6nC@4.5V 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFET SOT323 N-Channel ID=2A
安装类型: SMT 品牌: Winsok 漏源电流(Idss): 2A 阈值电压: 800mV@250µA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 65mΩ@10V,2A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 2A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.00 x 1.25mm 封装/外壳: SOT-323 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 7.6nC 配置: 单路 Vgs(Max): ±12V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 7.6nC@4.5V 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
WSD3023DN56
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N-P沟道 漏源电压(Vdss)：30/-30V 连续漏极电流(Id)：14/-14A 功率(Pd)：5.25W
安装类型: SMT 击穿电压: 30V 阈值电压: 1.8V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD. 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 14A,12A 存储温度: -55℃~+175℃ 封装/外壳: DFN5x6-8L 反向传输电容Crss: 55,72pF 工作温度: -55℃~+175℃ 充电电量: 5.2,13nC 配置: 单路 原产国家: China 输入电容: 545pF,580pF Vgs(Max): ±20V 应用等级: Consumer 漏源电压(Vdss): 30V 认证信息: RoHS 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道和P沟道互补型
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N-P沟道 漏源电压(Vdss)：30/-30V 连续漏极电流(Id)：14/-14A 功率(Pd)：5.25W
安装类型: SMT 击穿电压: 30V 阈值电压: 1.8V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD. 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 14A,12A 存储温度: -55℃~+175℃ 封装/外壳: DFN5x6-8L 反向传输电容Crss: 55,72pF 工作温度: -55℃~+175℃ 充电电量: 5.2,13nC 配置: 单路 原产国家: China 输入电容: 545pF,580pF Vgs(Max): ±20V 应用等级: Consumer 漏源电压(Vdss): 30V 认证信息: RoHS 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道和P沟道互补型
WSD50P10ADN56
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：40A 功率(Pd)：104W
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 104W 额定功率: 104W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 81mΩ 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 40A 长x宽/尺寸: 5.85 X 5.40mm 封装/外壳: DFN5x6-8L 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 75nC 配置: 单路 输入电容: 2.59nF Vgs(Max): ±20V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 100KV 栅极电荷(Qg): 75nC 晶体管类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：40A 功率(Pd)：104W
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 104W 额定功率: 104W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 81mΩ 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 40A 长x宽/尺寸: 5.85 X 5.40mm 封装/外壳: DFN5x6-8L 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 75nC 配置: 单路 输入电容: 2.59nF Vgs(Max): ±20V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 100KV 栅极电荷(Qg): 75nC 晶体管类型: P沟道
WSF20N20
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：50W
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 击穿电压: 200V 阈值电压: 2V@250uA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD. 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 20A 封装/外壳: TO-252(DPAK) 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 150pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 68nC 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 输入电容: 3.1nF Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 200V 栅极电荷(Qg): 68nC@10V 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：50W
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 击穿电压: 200V 阈值电压: 2V@250uA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD. 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 20A 封装/外壳: TO-252(DPAK) 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 150pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 68nC 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 输入电容: 3.1nF Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 200V 栅极电荷(Qg): 68nC@10V 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
WSD4062DN56
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=62A RDS(ON)=10.5mΩ@10V
安装类型: SMT 漏源电流(Idss): 62A 功率耗散: 2.1W 阈值电压: 1.8V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 62A 长x宽/尺寸: 4.90 x 5.75mm 封装/外壳: DFN-8(5x6) 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 90pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 76nC 配置: 单路 原产国家: China 输入电容: 1.15nF Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 40V 高度: 1.17mm 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=62A RDS(ON)=10.5mΩ@10V
安装类型: SMT 漏源电流(Idss): 62A 功率耗散: 2.1W 阈值电压: 1.8V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 62A 长x宽/尺寸: 4.90 x 5.75mm 封装/外壳: DFN-8(5x6) 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 90pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 76nC 配置: 单路 原产国家: China 输入电容: 1.15nF Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 40V 高度: 1.17mm 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
WSF30P06
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：23.5A 功率(Pd)：30W
安装类型: SMT 阈值电压: -1.65V@250uA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 38mΩ 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 23.5A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: TO-252(DPAK) 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 输入电容: 2.98nF Vgs(Max): ±20V 应用等级: Consumer 漏源电压(Vdss): 60V 认证信息: RoHS 高度: 2.40mm 晶体管类型: P沟道 应用: Consumer 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：23.5A 功率(Pd)：30W
安装类型: SMT 阈值电压: -1.65V@250uA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 38mΩ 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 23.5A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: TO-252(DPAK) 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 输入电容: 2.98nF Vgs(Max): ±20V 应用等级: Consumer 漏源电压(Vdss): 60V 认证信息: RoHS 高度: 2.40mm 晶体管类型: P沟道 应用: Consumer 引脚数: 2Pin
WSF50P04
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：40A 功率(Pd)：80W
安装类型: SMT 功率耗散: 80W 阈值电压: 1.5V@250μA 额定功率: 80W 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 40A 长x宽/尺寸: 6.70 x 6.20mm 封装/外壳: TO-252(DPAK) 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 310pF@20V 工作温度: -55℃~+175℃ 充电电量: 72nC 配置: 单路 Vgs(Max): ±20V 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 40V 栅极电荷(Qg): 72nC 晶体管类型: P沟道 类型: 1个P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：40A 功率(Pd)：80W
安装类型: SMT 功率耗散: 80W 阈值电压: 1.5V@250μA 额定功率: 80W 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 40A 长x宽/尺寸: 6.70 x 6.20mm 封装/外壳: TO-252(DPAK) 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 310pF@20V 工作温度: -55℃~+175℃ 充电电量: 72nC 配置: 单路 Vgs(Max): ±20V 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 40V 栅极电荷(Qg): 72nC 晶体管类型: P沟道 类型: 1个P沟道
WSG02P06
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs P沟道 60V 2A SOT223
安装类型: SMT 功率耗散: 2W 阈值电压: 1.9V@250μA 额定功率: 2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 175mΩ@10V,2A 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 2A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 6.30 x 3.50mm 封装/外壳: SOT-223 反向传输电容Crss: 12pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) Vgs(Max): ±20V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 6.3nC 晶体管类型: P沟道 类型: 1个P沟道 引脚数: 4Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs P沟道 60V 2A SOT223
安装类型: SMT 功率耗散: 2W 阈值电压: 1.9V@250μA 额定功率: 2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 175mΩ@10V,2A 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 2A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 6.30 x 3.50mm 封装/外壳: SOT-223 反向传输电容Crss: 12pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) Vgs(Max): ±20V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 6.3nC 晶体管类型: P沟道 类型: 1个P沟道 引脚数: 4Pin
WSP6024
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=15A RDS(ON)=10mΩ@10V
安装类型: SMT 漏源电流(Idss): 15A 击穿电压: 60V 阈值电压: 2V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 额定功率: 1.78W 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 15A 封装/外壳: SOP-8 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 40pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China Vgs(Max): ±20V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 25.4nC@10V 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=15A RDS(ON)=10mΩ@10V
安装类型: SMT 漏源电流(Idss): 15A 击穿电压: 60V 阈值电压: 2V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 额定功率: 1.78W 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 15A 封装/外壳: SOP-8 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 40pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China Vgs(Max): ±20V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 25.4nC@10V 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道