VBSEMI
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AO4404
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=9A RDS(ON)=11mΩ@4.5V SOP-8
安装类型: SMT 击穿电压: 30V 阈值电压: 3V 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 9A 封装/外壳: SOP-8 输入电容(Ci): 800pF 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 73pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 原产国家: China Taiwan Vgs(Max): ±20V 最小包装: 4000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 11mΩ 栅极电荷(Qg): 23nC 晶体管类型: MOSFET
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=9A RDS(ON)=11mΩ@4.5V SOP-8
安装类型: SMT 击穿电压: 30V 阈值电压: 3V 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 9A 封装/外壳: SOP-8 输入电容(Ci): 800pF 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 73pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 原产国家: China Taiwan Vgs(Max): ±20V 最小包装: 4000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 11mΩ 栅极电荷(Qg): 23nC 晶体管类型: MOSFET
MEM2302
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A RDS(ON)=28mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 功率耗散: 1.25W 阈值电压: 1V 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 5A 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 55pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 Vgs(Max): ±12V 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 18nC 零件状态: Active 高度: 1.12mm 晶体管类型: MOSFET 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A RDS(ON)=28mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 功率耗散: 1.25W 阈值电压: 1V 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 5A 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 55pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 Vgs(Max): ±12V 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 18nC 零件状态: Active 高度: 1.12mm 晶体管类型: MOSFET 引脚数: 3Pin
HAT2029R
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 Dual N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6.2A RDS(ON)=26mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 功率耗散: 1.78W 阈值电压: 2.5V 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 6.2A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOIC-8 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 55pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 3.7nC 配置: 单路 Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 15nC 零件状态: Active 高度: 1.75mm 晶体管类型: 2个N沟道(双)
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 Dual N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6.2A RDS(ON)=26mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 功率耗散: 1.78W 阈值电压: 2.5V 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 6.2A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOIC-8 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 55pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 3.7nC 配置: 单路 Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 15nC 零件状态: Active 高度: 1.75mm 晶体管类型: 2个N沟道(双)
AP2301N
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 击穿电压: 20V 阈值电压: 1.5V 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 4.5A 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 原产国家: China Taiwan Vgs(Max): ±12V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 导通电阻(RDS(on): 43mΩ 栅极电荷(Qg): 10nC 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 击穿电压: 20V 阈值电压: 1.5V 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 4.5A 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 原产国家: China Taiwan Vgs(Max): ±12V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 导通电阻(RDS(on): 43mΩ 栅极电荷(Qg): 10nC 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道
SI2310
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=3.1A RDS(ON)=86mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 功率耗散: 1.09W 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 3.1A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 2.1nC 配置: 单路 Vgs(Max): ±20V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 6.1nC 高度: 1.12mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=3.1A RDS(ON)=86mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 功率耗散: 1.09W 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 3.1A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 2.1nC 配置: 单路 Vgs(Max): ±20V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 6.1nC 高度: 1.12mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
NDS331N-NL
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A RDS(ON)=28mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 击穿电压: 20V 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 5A 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 55pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 8.8nC 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 导通电阻(RDS(on): 28mΩ 高度: 1.12mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A RDS(ON)=28mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 击穿电压: 20V 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 5A 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 55pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 8.8nC 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 导通电阻(RDS(on): 28mΩ 高度: 1.12mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
STS2305A
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 击穿电压: 20V 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 4.5A 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 原产国家: China Taiwan Vgs(Max): ±12V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 导通电阻(RDS(on): 43mΩ 栅极电荷(Qg): 10nC 高度: 1.12mm 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 击穿电压: 20V 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 4.5A 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 原产国家: China Taiwan Vgs(Max): ±12V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 导通电阻(RDS(on): 43mΩ 栅极电荷(Qg): 10nC 高度: 1.12mm 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin
AO6801A
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 Dual P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=3.6A RDS(ON)=75mΩ@4.5V TSOP6
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 击穿电压: 20V 阈值电压: 2V 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 3.6A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.05 x 1.65mm 封装/外壳: TSOP-6 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 双路 原产国家: China Taiwan Vgs(Max): ±12V 漏源电压(Vdss): 20V 导通电阻(RDS(on): 75mΩ 栅极电荷(Qg): 8nC 零件状态: Active 晶体管类型: MOSFET
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 Dual P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=3.6A RDS(ON)=75mΩ@4.5V TSOP6
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 击穿电压: 20V 阈值电压: 2V 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 3.6A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.05 x 1.65mm 封装/外壳: TSOP-6 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 双路 原产国家: China Taiwan Vgs(Max): ±12V 漏源电压(Vdss): 20V 导通电阻(RDS(on): 75mΩ 栅极电荷(Qg): 8nC 零件状态: Active 晶体管类型: MOSFET
VBA1615
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs N-沟道 60V 12A SO-8
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 功率耗散: 5W 阈值电压: 3V 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 12A 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SO-8 反向传输电容Crss: 55pF 输入电容(Ci): 1.1nF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 最小包装: 4000pcs 漏源电压(Vdss): 60V 导通电阻(RDS(on): 12mΩ@10V 栅极电荷(Qg): 21nC 高度: 1.75mm 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs N-沟道 60V 12A SO-8
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 功率耗散: 5W 阈值电压: 3V 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 12A 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SO-8 反向传输电容Crss: 55pF 输入电容(Ci): 1.1nF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 最小包装: 4000pcs 漏源电压(Vdss): 60V 导通电阻(RDS(on): 12mΩ@10V 栅极电荷(Qg): 21nC 高度: 1.75mm 引脚数: 8Pin
NCE3404
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.3A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 漏源电流(Idss): 1uA 击穿电压: 30V 阈值电压: 2V 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 5.3A 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 17pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 33mΩ 栅极电荷(Qg): 6.7nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.3A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 漏源电流(Idss): 1uA 击穿电压: 30V 阈值电压: 2V 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 5.3A 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 17pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 33mΩ 栅极电荷(Qg): 6.7nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道