VBSEMI
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STM4973
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 Dual P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=7.3A RDS(ON)=40mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
安装类型: SMT 功率耗散: 2.5W 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 7.3A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOIC-8 栅极源极击穿电压: ±20V 输入电容(Ci): 1.35nF 反向传输电容Crss: 185pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 15nC 配置: 单路 原产国家: China Taiwan Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 40mΩ 栅极电荷(Qg): 50nC 高度: 1.75mm 晶体管类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 Dual P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=7.3A RDS(ON)=40mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
安装类型: SMT 功率耗散: 2.5W 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 7.3A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOIC-8 栅极源极击穿电压: ±20V 输入电容(Ci): 1.35nF 反向传输电容Crss: 185pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 15nC 配置: 单路 原产国家: China Taiwan Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 40mΩ 栅极电荷(Qg): 50nC 高度: 1.75mm 晶体管类型: P沟道
SI3442CDV
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.5A RDS(ON)=27mΩ@4.5V TSOP6
安装类型: SMT 击穿电压: 30V 功率耗散: 1.3W 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 5.5A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TSOP-6 输入电容(Ci): 424pF 反向传输电容Crss: 42pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 4.2nC 配置: 单路 原产国家: China Taiwan Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 27mΩ 栅极电荷(Qg): 13nC 晶体管类型: N沟道 引脚数: 6Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.5A RDS(ON)=27mΩ@4.5V TSOP6
安装类型: SMT 击穿电压: 30V 功率耗散: 1.3W 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 5.5A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TSOP-6 输入电容(Ci): 424pF 反向传输电容Crss: 42pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 4.2nC 配置: 单路 原产国家: China Taiwan Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 27mΩ 栅极电荷(Qg): 13nC 晶体管类型: N沟道 引脚数: 6Pin
BSH103
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.3A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 击穿电压: 30V 阈值电压: - 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 5.3A 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 输入电容(Ci): 335pF 反向传输电容Crss: 17pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 Vgs(Max): ±20V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 33mΩ 栅极电荷(Qg): 4.5nC 晶体管类型: MOSFET
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.3A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 击穿电压: 30V 阈值电压: - 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 5.3A 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 输入电容(Ci): 335pF 反向传输电容Crss: 17pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 Vgs(Max): ±20V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 33mΩ 栅极电荷(Qg): 4.5nC 晶体管类型: MOSFET
AO4800
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 双N-通道 VDS=30V VGS=±20V ID=6.2A RDS(ON)=26mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 功率耗散: 1.78W 阈值电压: 2.5V 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 6.2A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOIC-8 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 Vgs(Max): ±20V 最小包装: 4000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 5.6nC 零件状态: Active 高度: 1.75mm 晶体管类型: MOSFET
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 双N-通道 VDS=30V VGS=±20V ID=6.2A RDS(ON)=26mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 功率耗散: 1.78W 阈值电压: 2.5V 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 6.2A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOIC-8 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 Vgs(Max): ±20V 最小包装: 4000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 5.6nC 零件状态: Active 高度: 1.75mm 晶体管类型: MOSFET
SSM3K7002F
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=250mA RDS(ON)=3.1Ω@4.5V SOT23
安装类型: SMT 击穿电压: 60V 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 250mA 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 2pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 原产国家: China Taiwan Vgs(Max): ±20V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 60V 导通电阻(RDS(on): 3.1Ω 栅极电荷(Qg): 0.6nC 高度: 1.12mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=250mA RDS(ON)=3.1Ω@4.5V SOT23
安装类型: SMT 击穿电压: 60V 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 250mA 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 2pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 原产国家: China Taiwan Vgs(Max): ±20V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 60V 导通电阻(RDS(on): 3.1Ω 栅极电荷(Qg): 0.6nC 高度: 1.12mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
CES2362
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=3.1A RDS(ON)=86mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 功率耗散: 1.09W 击穿电压: 60V 阈值电压: 3V 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 3.1A 封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 13pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 原产国家: China Taiwan Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 60V 导通电阻(RDS(on): 86mΩ 栅极电荷(Qg): 6.1nC 零件状态: Active 晶体管类型: MOSFET
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=3.1A RDS(ON)=86mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 功率耗散: 1.09W 击穿电压: 60V 阈值电压: 3V 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 3.1A 封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 13pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 原产国家: China Taiwan Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 60V 导通电阻(RDS(on): 86mΩ 栅极电荷(Qg): 6.1nC 零件状态: Active 晶体管类型: MOSFET
PMN50XP
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=4A RDS(ON)=54mΩ@4.5V TSOP6
安装类型: SMT 击穿电压: 30V 功率耗散: 2W 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 4A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TSOP-6 输入电容(Ci): 450pF 反向传输电容Crss: 63pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 5.1nC 配置: 单路 原产国家: China Taiwan Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 54mΩ 栅极电荷(Qg): 15nC 晶体管类型: P沟道 引脚数: 6Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=4A RDS(ON)=54mΩ@4.5V TSOP6
安装类型: SMT 击穿电压: 30V 功率耗散: 2W 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 4A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TSOP-6 输入电容(Ci): 450pF 反向传输电容Crss: 63pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 5.1nC 配置: 单路 原产国家: China Taiwan Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 54mΩ 栅极电荷(Qg): 15nC 晶体管类型: P沟道 引脚数: 6Pin
SI2301DS-T1-GE3
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 击穿电压: 20V 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 4.5A 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 Vgs(Max): ±12V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 导通电阻(RDS(on): 43mΩ 栅极电荷(Qg): 10nC 高度: 1.12mm 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 击穿电压: 20V 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 4.5A 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 Vgs(Max): ±12V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 导通电阻(RDS(on): 43mΩ 栅极电荷(Qg): 10nC 高度: 1.12mm 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin
FDC6312P
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 Dual P-ChannelVDS=20V VGS=±12V ID=3.6A RDS(ON)=75mΩ@4.5V TSOP6
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 功率耗散: 1.14W 击穿电压: 20V 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 3.6A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.05 x 1.65mm 封装/外壳: TSOP-6 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 5.2nC 配置: 双路 原产国家: China Taiwan 漏源电压(Vdss): 20V 高度: 1.10mm 晶体管类型: MOSFET
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 Dual P-ChannelVDS=20V VGS=±12V ID=3.6A RDS(ON)=75mΩ@4.5V TSOP6
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 功率耗散: 1.14W 击穿电压: 20V 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 3.6A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.05 x 1.65mm 封装/外壳: TSOP-6 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 5.2nC 配置: 双路 原产国家: China Taiwan 漏源电压(Vdss): 20V 高度: 1.10mm 晶体管类型: MOSFET
ST2300S23RG
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A RDS(ON)=28mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 功率耗散: 1.25W 击穿电压: 20V 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 5A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 8.8nC 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 漏源电压(Vdss): 20V 高度: 1.12mm 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A RDS(ON)=28mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 功率耗散: 1.25W 击穿电压: 20V 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 5A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 8.8nC 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 漏源电压(Vdss): 20V 高度: 1.12mm 晶体管类型: N沟道