VBSEMI
商品列表
NTGS3443T1G
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs P沟道 耐压:30V 电流:4.8A SOT23-6
安装类型: SMT 击穿电压: 30V 功率耗散: 2W 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 4A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.05 x 1.65mm 封装/外壳: SOT23-6 输入电容(Ci): 450pF 反向传输电容Crss: 63pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 5.1nC 配置: 单路 原产国家: China Taiwan Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 54mΩ 栅极电荷(Qg): 15nC 晶体管类型: P沟道 引脚数: 6Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs P沟道 耐压:30V 电流:4.8A SOT23-6
安装类型: SMT 击穿电压: 30V 功率耗散: 2W 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 4A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.05 x 1.65mm 封装/外壳: SOT23-6 输入电容(Ci): 450pF 反向传输电容Crss: 63pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 5.1nC 配置: 单路 原产国家: China Taiwan Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 54mΩ 栅极电荷(Qg): 15nC 晶体管类型: P沟道 引脚数: 6Pin
AP2625GY
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 Dual P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=3.6A RDS(ON)=75mΩ@4.5V TSOP6
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 击穿电压: 20V 阈值电压: 2V 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 3.6A 封装/外壳: TSOP-6 反向传输电容Crss: 33pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 5.2nC 配置: 双路 原产国家: China Taiwan Vgs(Max): ±12V 漏源电压(Vdss): 20V 导通电阻(RDS(on): 75mΩ 栅极电荷(Qg): 8nC 零件状态: Active 晶体管类型: MOSFET 引脚数: 6Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 Dual P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=3.6A RDS(ON)=75mΩ@4.5V TSOP6
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 击穿电压: 20V 阈值电压: 2V 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 3.6A 封装/外壳: TSOP-6 反向传输电容Crss: 33pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 5.2nC 配置: 双路 原产国家: China Taiwan Vgs(Max): ±12V 漏源电压(Vdss): 20V 导通电阻(RDS(on): 75mΩ 栅极电荷(Qg): 8nC 零件状态: Active 晶体管类型: MOSFET 引脚数: 6Pin
VBA2333
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs P-沟道 30V 5.8A SO-8
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 功率耗散: 2.5W 阈值电压: 2V 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 5.8A 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SO-8 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 最小包装: 4000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 56mΩ@4.5V 栅极电荷(Qg): 24nC 高度: 1.75mm 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs P-沟道 30V 5.8A SO-8
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 功率耗散: 2.5W 阈值电压: 2V 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 5.8A 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SO-8 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 最小包装: 4000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 56mΩ@4.5V 栅极电荷(Qg): 24nC 高度: 1.75mm 引脚数: 8Pin
FDN338P-NL
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=80mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 功率耗散: 1.25W 阈值电压: 1.5V 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 4.5A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 Vgs(Max): ±12V 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 10nC 高度: 1.12mm 零件状态: Active 晶体管类型: MOSFET 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=80mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 功率耗散: 1.25W 阈值电压: 1.5V 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 4.5A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 Vgs(Max): ±12V 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 10nC 高度: 1.12mm 零件状态: Active 晶体管类型: MOSFET 引脚数: 3Pin
HM3400PR
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6.8A RDS(ON)=22mΩ@4.5V SOT89
安装类型: SMT 功率耗散: 2.5W 击穿电压: 30V 阈值电压: 1.5V 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 6.8A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT89-3 输入电容(Ci): 1.2nF 反向传输电容Crss: 100pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 10nC 配置: 单路 Vgs(Max): ±20V 最小包装: 1000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 22mΩ 栅极电荷(Qg): 33nC 晶体管类型: MOSFET
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6.8A RDS(ON)=22mΩ@4.5V SOT89
安装类型: SMT 功率耗散: 2.5W 击穿电压: 30V 阈值电压: 1.5V 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 6.8A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT89-3 输入电容(Ci): 1.2nF 反向传输电容Crss: 100pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 10nC 配置: 单路 Vgs(Max): ±20V 最小包装: 1000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 22mΩ 栅极电荷(Qg): 33nC 晶体管类型: MOSFET
AO5404E
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs N-沟道 20V 700mA SC-75-3
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 功率耗散: 400mW 阈值电压: 1V 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 700mA 长x宽/尺寸: 1.57 x 0.76mm 封装/外壳: SC-75-3 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 Vgs(Max): ±12V 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 4.1nC 高度: 0.80mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs N-沟道 20V 700mA SC-75-3
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 功率耗散: 400mW 阈值电压: 1V 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 700mA 长x宽/尺寸: 1.57 x 0.76mm 封装/外壳: SC-75-3 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 Vgs(Max): ±12V 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 4.1nC 高度: 0.80mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
LR024N
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=16.9A RDS(ON)=83mΩ@4.5V TO252
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 功率耗散: 2.1W 阈值电压: 3V 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 16.9A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 6.73 x 6.22mm 封装/外壳: TO-252(DPAK) 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 19.8nC 配置: 单路 Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 30nC 高度: 2.38mm 零件状态: Active 晶体管类型: MOSFET 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=16.9A RDS(ON)=83mΩ@4.5V TO252
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 功率耗散: 2.1W 阈值电压: 3V 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 16.9A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 6.73 x 6.22mm 封装/外壳: TO-252(DPAK) 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 19.8nC 配置: 单路 Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 30nC 高度: 2.38mm 零件状态: Active 晶体管类型: MOSFET 引脚数: 3Pin
VBA1410
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs N-沟道 40V 10A SO-8
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 功率耗散: 3.8W 阈值电压: 1V 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 10A 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SO-8 反向传输电容Crss: 150pF 输入电容(Ci): 2nF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 最小包装: 4000pcs 漏源电压(Vdss): 40V 栅极电荷(Qg): 33nC 高度: 1.75mm 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs N-沟道 40V 10A SO-8
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 功率耗散: 3.8W 阈值电压: 1V 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 10A 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SO-8 反向传输电容Crss: 150pF 输入电容(Ci): 2nF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 最小包装: 4000pcs 漏源电压(Vdss): 40V 栅极电荷(Qg): 33nC 高度: 1.75mm 引脚数: 8Pin
MT4606
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N+P Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6.8A,6.6A SOIC8_150MIL
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 阈值电压: - 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: N-沟道,P-沟道 连续漏极电流: 6.8A,6.6A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOIC-8 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: - Vgs(Max): ±20V 最小包装: 4000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 63nC 高度: 1.75mm 晶体管类型: N沟道和P沟道互补型 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N+P Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6.8A,6.6A SOIC8_150MIL
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 阈值电压: - 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: N-沟道,P-沟道 连续漏极电流: 6.8A,6.6A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOIC-8 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: - Vgs(Max): ±20V 最小包装: 4000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 63nC 高度: 1.75mm 晶体管类型: N沟道和P沟道互补型 引脚数: 8Pin
2SK1590
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=250mA RDS(ON)=3.1Ω@4.5V SOT23
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 阈值电压: 2.5V 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 250mA 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±20V 输入电容(Ci): 25pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 Vgs(Max): ±20V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 60V 导通电阻(RDS(on): 3.1Ω 栅极电荷(Qg): 0.6nC 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=250mA RDS(ON)=3.1Ω@4.5V SOT23
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 阈值电压: 2.5V 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 250mA 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±20V 输入电容(Ci): 25pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 Vgs(Max): ±20V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 60V 导通电阻(RDS(on): 3.1Ω 栅极电荷(Qg): 0.6nC 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin