SPTECH
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2N3773
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 集电极-基极电压（VCBO）: 160V 额定功率: 150W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 集射极击穿电压Vce(Max): 140V 包装: Box packing Vce饱和压降: 4V 极性: NPN 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)): 140V 跃迁频率: - 封装/外壳: TO-204-2(TO-3) 工作温度: +150℃ 配置: 单路 原产国家: Chnia 发射极基极导通电压VBE(on): 2.2V 最小包装: 25pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: 7V DC电流增益(hFE): 60 晶体管类型: NPN
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 集电极-基极电压（VCBO）: 160V 额定功率: 150W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 集射极击穿电压Vce(Max): 140V 包装: Box packing Vce饱和压降: 4V 极性: NPN 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)): 140V 跃迁频率: - 封装/外壳: TO-204-2(TO-3) 工作温度: +150℃ 配置: 单路 原产国家: Chnia 发射极基极导通电压VBE(on): 2.2V 最小包装: 25pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: 7V DC电流增益(hFE): 60 晶体管类型: NPN
SPT50N65F1A
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT
描述: 650V/50A沟槽场阻IGBT
正向电流: 100A 安装类型: 插件 品牌: SPTECH 关断损耗: 1.1mJ 关断延迟时间: 180ns 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 集射极击穿电压Vce(Max): 650V Vce饱和压降: 1.8V 包装: Tube packing 跃迁频率: - 导通损耗: 1.9mJ 存储温度: -40℃~+150℃ 封装/外壳: TO-247-3 元件生命周期: Active 上升/下降沿时间: 22ns 工作温度: -40℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China 开通延迟时间: 40ns DC电流增益(hFE): -
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT
描述: 650V/50A沟槽场阻IGBT
正向电流: 100A 安装类型: 插件 品牌: SPTECH 关断损耗: 1.1mJ 关断延迟时间: 180ns 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 集射极击穿电压Vce(Max): 650V Vce饱和压降: 1.8V 包装: Tube packing 跃迁频率: - 导通损耗: 1.9mJ 存储温度: -40℃~+150℃ 封装/外壳: TO-247-3 元件生命周期: Active 上升/下降沿时间: 22ns 工作温度: -40℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China 开通延迟时间: 40ns DC电流增益(hFE): -
2SD998
供应商: Anychip Mall
分类: 带预偏置三极管
描述: NPN Ic=10A Vceo=120V hfe=60~360 P=80W 预偏置
安装类型: 插件 是否无铅: Yes 品牌: SPTECH 功率耗散: 80W 基极电阻（R1）: - Vce饱和压降: 500mV 包装: Tube packing 基射极电阻（R2）: - 集射极击穿电压Vce(Max): 120V 跃迁频率: 18MHz 长x宽/尺寸: 16.10 x 5.70mm 封装/外壳: TO3PML 工作温度: +150℃ 集电极截止电流 (Icbo): 10μA 集电极电流 Ic: 10A 特征频率(fT): 18MHz 最小包装: 30pcs 零件状态: Active 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 60~360
供应商: Anychip Mall
分类: 带预偏置三极管
描述: NPN Ic=10A Vceo=120V hfe=60~360 P=80W 预偏置
安装类型: 插件 是否无铅: Yes 品牌: SPTECH 功率耗散: 80W 基极电阻（R1）: - Vce饱和压降: 500mV 包装: Tube packing 基射极电阻（R2）: - 集射极击穿电压Vce(Max): 120V 跃迁频率: 18MHz 长x宽/尺寸: 16.10 x 5.70mm 封装/外壳: TO3PML 工作温度: +150℃ 集电极截止电流 (Icbo): 10μA 集电极电流 Ic: 10A 特征频率(fT): 18MHz 最小包装: 30pcs 零件状态: Active 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 60~360
2SC3856
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 功率耗散: 130W 额定功率: 130W Vce饱和压降: 2V 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vce(Max): 180V 极性: NPN 跃迁频率: 20MHz 长x宽/尺寸: 15.60 x 4.80mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO3PN 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 15A 配置: 单路 特征频率(fT): 20MHz 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V 高度: 20.10mm DC电流增益(hFE): 180 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 功率耗散: 130W 额定功率: 130W Vce饱和压降: 2V 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vce(Max): 180V 极性: NPN 跃迁频率: 20MHz 长x宽/尺寸: 15.60 x 4.80mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO3PN 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 15A 配置: 单路 特征频率(fT): 20MHz 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V 高度: 20.10mm DC电流增益(hFE): 180 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
2SA940
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅PNP功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 25W 集电极-基极电压（VCBO）: 150V 包装: Tube packing Vce饱和压降: 1.5V 集射极击穿电压Vce(Max): 150V 极性: PNP 跃迁频率: 4MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 10.20 x 4.50mm 封装/外壳: TO-220C 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 1.5A 配置: 单路 发射极基极导通电压VBE(on): 850mV 高度: 15.90mm DC电流增益(hFE): 140 晶体管类型: PNP 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅PNP功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 25W 集电极-基极电压（VCBO）: 150V 包装: Tube packing Vce饱和压降: 1.5V 集射极击穿电压Vce(Max): 150V 极性: PNP 跃迁频率: 4MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 10.20 x 4.50mm 封装/外壳: TO-220C 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 1.5A 配置: 单路 发射极基极导通电压VBE(on): 850mV 高度: 15.90mm DC电流增益(hFE): 140 晶体管类型: PNP 引脚数: 3Pin
SPT60N65F1A1
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT
描述: 650V/60A沟槽场阻IGBT
安装类型: 插件 正向电流: 120A 关断损耗: 1.1mJ 关断延迟时间: 165ns 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 集射极击穿电压Vce(Max): 650V Vce饱和压降: 2.2V 包装: Tube packing 跃迁频率: - 导通损耗: 2.2mJ 存储温度: -40℃~+150℃ 封装/外壳: TO-247-3 元件生命周期: Active 上升/下降沿时间: 79ns 工作温度: -40℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China 开通延迟时间: 56ns 零件状态: Active DC电流增益(hFE): -
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT
描述: 650V/60A沟槽场阻IGBT
安装类型: 插件 正向电流: 120A 关断损耗: 1.1mJ 关断延迟时间: 165ns 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 集射极击穿电压Vce(Max): 650V Vce饱和压降: 2.2V 包装: Tube packing 跃迁频率: - 导通损耗: 2.2mJ 存储温度: -40℃~+150℃ 封装/外壳: TO-247-3 元件生命周期: Active 上升/下降沿时间: 79ns 工作温度: -40℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China 开通延迟时间: 56ns 零件状态: Active DC电流增益(hFE): -
2SC3997
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 集电极-基极电压（VCBO）: 1500V 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 集射极击穿电压Vce(Max): 800V Vce饱和压降: 5V 包装: Tube packing 极性: NPN 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)): 800V 跃迁频率: 25MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO-3PL 工作温度: +150℃ 配置: 单路 原产国家: Chnia 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 最小包装: 25pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V DC电流增益(hFE): 8 晶体管类型: NPN
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 集电极-基极电压（VCBO）: 1500V 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 集射极击穿电压Vce(Max): 800V Vce饱和压降: 5V 包装: Tube packing 极性: NPN 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)): 800V 跃迁频率: 25MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO-3PL 工作温度: +150℃ 配置: 单路 原产国家: Chnia 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 最小包装: 25pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V DC电流增益(hFE): 8 晶体管类型: NPN
2SB778
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: SPTECH硅PNP功率晶体管120V 10A TO3PML
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 80W 额定功率: 80W 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vce(Max): 120V Vce饱和压降: 500mV 极性: PNP 跃迁频率: 25MHz 存储温度: -55℃~+160℃ 长x宽/尺寸: 20.00 x 5.60mm 封装/外壳: TO3PML 工作温度: -55℃~+160℃ 集电极电流 Ic: 10A 配置: 单路 发射极基极导通电压VBE(on): 1.2V 特征频率(fT): 25MHz 高度: 26.00mm 晶体管类型: PNP DC电流增益(hFE): 50
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: SPTECH硅PNP功率晶体管120V 10A TO3PML
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 80W 额定功率: 80W 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vce(Max): 120V Vce饱和压降: 500mV 极性: PNP 跃迁频率: 25MHz 存储温度: -55℃~+160℃ 长x宽/尺寸: 20.00 x 5.60mm 封装/外壳: TO3PML 工作温度: -55℃~+160℃ 集电极电流 Ic: 10A 配置: 单路 发射极基极导通电压VBE(on): 1.2V 特征频率(fT): 25MHz 高度: 26.00mm 晶体管类型: PNP DC电流增益(hFE): 50
2KW8629
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: SPTECH硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 100W 额定功率: 100W 集电极-基极电压（VCBO）: 450V 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd Vce饱和压降: 1.2V 包装: Box packing 集射极击穿电压Vce(Max): 400V 极性: NPN 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)): 400V 跃迁频率: - 封装/外壳: TO-204-2(TO-3) 工作温度: +200℃ 配置: 单路 原产国家: Chnia 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 发射极与基极之间电压 VEBO: 450V 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 60
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: SPTECH硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 100W 额定功率: 100W 集电极-基极电压（VCBO）: 450V 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd Vce饱和压降: 1.2V 包装: Box packing 集射极击穿电压Vce(Max): 400V 极性: NPN 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)): 400V 跃迁频率: - 封装/外壳: TO-204-2(TO-3) 工作温度: +200℃ 配置: 单路 原产国家: Chnia 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 发射极与基极之间电压 VEBO: 450V 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 60
NJW3281G
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 200W 集电极-基极电压（VCBO）: 250V 额定功率: 200W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 集射极击穿电压Vce(Max): 250V 包装: Tube packing Vce饱和压降: 600mV 极性: NPN 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)): 250V 跃迁频率: - 封装/外壳: TO3PN 工作温度: +150℃ 配置: 单路 原产国家: Chnia 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 150
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 200W 集电极-基极电压（VCBO）: 250V 额定功率: 200W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 集射极击穿电压Vce(Max): 250V 包装: Tube packing Vce饱和压降: 600mV 极性: NPN 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)): 250V 跃迁频率: - 封装/外壳: TO3PN 工作温度: +150℃ 配置: 单路 原产国家: Chnia 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 150