SPTECH
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2N3773
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 150W 集电极-基极电压（VCBO）: 160V Vce饱和压降: 4V 包装: Box packing 极性: NPN 跃迁频率: - 集射极击穿电压Vceo: 140V 集射极饱和电压(VCE(sat)): 140V 长x宽/尺寸: 39.00 x 26.00mm 封装/外壳: TO-204-2(TO-3) 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 16A 配置: 单路 发射极基极导通电压VBE(on): 2.2V 发射极与基极之间电压 VEBO: 7V 高度: 8.50mm DC电流增益(hFE): 60 晶体管类型: NPN
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 150W 集电极-基极电压（VCBO）: 160V Vce饱和压降: 4V 包装: Box packing 极性: NPN 跃迁频率: - 集射极击穿电压Vceo: 140V 集射极饱和电压(VCE(sat)): 140V 长x宽/尺寸: 39.00 x 26.00mm 封装/外壳: TO-204-2(TO-3) 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 16A 配置: 单路 发射极基极导通电压VBE(on): 2.2V 发射极与基极之间电压 VEBO: 7V 高度: 8.50mm DC电流增益(hFE): 60 晶体管类型: NPN
SPT50N65F1A
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT
描述: 650V/50A沟槽场阻IGBT
正向电流: 100A 安装类型: 插件 Vce饱和压降: 1.8V 包装: Tube packing 极性: NPN 跃迁频率: - 集射极击穿电压Vceo: 650V 存储温度: -40℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 16.13 x 5.21mm 封装/外壳: TO-247-3 元件生命周期: Active 上升/下降沿时间: 22ns 工作温度: -40℃~+150℃ 配置: 单路 栅极电荷(Qg): 180nC@15V 高度: 25.57mm 零件状态: Active 晶体管类型: FS(场截止) DC电流增益(hFE): - 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT
描述: 650V/50A沟槽场阻IGBT
正向电流: 100A 安装类型: 插件 Vce饱和压降: 1.8V 包装: Tube packing 极性: NPN 跃迁频率: - 集射极击穿电压Vceo: 650V 存储温度: -40℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 16.13 x 5.21mm 封装/外壳: TO-247-3 元件生命周期: Active 上升/下降沿时间: 22ns 工作温度: -40℃~+150℃ 配置: 单路 栅极电荷(Qg): 180nC@15V 高度: 25.57mm 零件状态: Active 晶体管类型: FS(场截止) DC电流增益(hFE): - 引脚数: 3Pin
2SD998
供应商: Anychip Mall
分类: 数字晶体管
描述: NPN Ic=10A Vceo=120V hfe=60~360 P=80W 预偏置
安装类型: 插件 基极电阻（R1）: - 基射极电阻（R2）: - Vce饱和压降: 500mV 包装: Tube packing 跃迁频率: 18MHz 集射极击穿电压Vceo: 120V 长x宽/尺寸: 16.10 x 5.70mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO3PML 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃ 集电极截止电流 (Icbo): 10μA 集电极电流 Ic: 10A 特征频率(fT): 18MHz 零件状态: Active 高度: 26.20mm DC电流增益(hFE): 60~360 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 数字晶体管
描述: NPN Ic=10A Vceo=120V hfe=60~360 P=80W 预偏置
安装类型: 插件 基极电阻（R1）: - 基射极电阻（R2）: - Vce饱和压降: 500mV 包装: Tube packing 跃迁频率: 18MHz 集射极击穿电压Vceo: 120V 长x宽/尺寸: 16.10 x 5.70mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO3PML 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃ 集电极截止电流 (Icbo): 10μA 集电极电流 Ic: 10A 特征频率(fT): 18MHz 零件状态: Active 高度: 26.20mm DC电流增益(hFE): 60~360 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
2SC3856
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 集电极-基极电压（VCBO）: 200V 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 包装: Tube packing Vce饱和压降: 2V 跃迁频率: 20MHz 集射极击穿电压Vceo: 180V 集射极饱和电压(VCE(sat)): 180V 长x宽/尺寸: 15.60 x 4.80mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO3PN 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 15A 配置: 单路 原产国家: Chnia 最小包装: 30pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V 高度: 20.10mm DC电流增益(hFE): 180 晶体管类型: NPN
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 集电极-基极电压（VCBO）: 200V 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 包装: Tube packing Vce饱和压降: 2V 跃迁频率: 20MHz 集射极击穿电压Vceo: 180V 集射极饱和电压(VCE(sat)): 180V 长x宽/尺寸: 15.60 x 4.80mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO3PN 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 15A 配置: 单路 原产国家: Chnia 最小包装: 30pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V 高度: 20.10mm DC电流增益(hFE): 180 晶体管类型: NPN
2SA940
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅PNP功率晶体管
安装类型: 插件 功率耗散: 25W 集电极-基极电压（VCBO）: 150V 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd Vce饱和压降: 1.5V 包装: Tube packing 极性: PNP 跃迁频率: 4MHz 集射极击穿电压Vceo: 150V 集射极饱和电压(VCE(sat)): 150V 封装/外壳: TO-220C 工作温度: +150℃ 配置: 单路 原产国家: Chnia 发射极基极导通电压VBE(on): 850mV 特征频率(fT): 4MHz 最小包装: 50pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V DC电流增益(hFE): 140 晶体管类型: PNP
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅PNP功率晶体管
安装类型: 插件 功率耗散: 25W 集电极-基极电压（VCBO）: 150V 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd Vce饱和压降: 1.5V 包装: Tube packing 极性: PNP 跃迁频率: 4MHz 集射极击穿电压Vceo: 150V 集射极饱和电压(VCE(sat)): 150V 封装/外壳: TO-220C 工作温度: +150℃ 配置: 单路 原产国家: Chnia 发射极基极导通电压VBE(on): 850mV 特征频率(fT): 4MHz 最小包装: 50pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V DC电流增益(hFE): 140 晶体管类型: PNP
SPT60N65F1A1
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT
描述: 650V/60A沟槽场阻IGBT
安装类型: 插件 正向电流: 120A 关断延迟时间: 165ns Vce饱和压降: 2.2V 包装: Tube packing 跃迁频率: - 集射极击穿电压Vceo: 650V 长x宽/尺寸: 16.13 x 5.21mm 封装/外壳: TO-247-3 元件生命周期: Active 上升/下降沿时间: 79ns 输入电容(Ci): 3.8nF@30V 工作温度: -40℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China 开通延迟时间: 56ns 栅极电荷(Qg): 158nC@15V 零件状态: Active 晶体管类型: FS(场截止) DC电流增益(hFE): -
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT
描述: 650V/60A沟槽场阻IGBT
安装类型: 插件 正向电流: 120A 关断延迟时间: 165ns Vce饱和压降: 2.2V 包装: Tube packing 跃迁频率: - 集射极击穿电压Vceo: 650V 长x宽/尺寸: 16.13 x 5.21mm 封装/外壳: TO-247-3 元件生命周期: Active 上升/下降沿时间: 79ns 输入电容(Ci): 3.8nF@30V 工作温度: -40℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China 开通延迟时间: 56ns 栅极电荷(Qg): 158nC@15V 零件状态: Active 晶体管类型: FS(场截止) DC电流增益(hFE): -
2SC3997
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 250W 集电极-基极电压（VCBO）: 1500V Vce饱和压降: 5V 包装: Tube packing 极性: NPN 跃迁频率: 25MHz 集射极击穿电压Vceo: 800V 长x宽/尺寸: 20.00 x 5.00mm 封装/外壳: TO-3PL 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 20A 配置: 单路 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V 高度: 26.00mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 8 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 250W 集电极-基极电压（VCBO）: 1500V Vce饱和压降: 5V 包装: Tube packing 极性: NPN 跃迁频率: 25MHz 集射极击穿电压Vceo: 800V 长x宽/尺寸: 20.00 x 5.00mm 封装/外壳: TO-3PL 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 20A 配置: 单路 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V 高度: 26.00mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 8 引脚数: 3Pin
2SB778
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: SPTECH硅PNP功率晶体管120V 10A TO3PML
安装类型: 插件 功率耗散: 80W 集电极-基极电压（VCBO）: 70V Vce饱和压降: 500mV 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vceo: 120V 跃迁频率: 25MHz 存储温度: -55℃~+160℃ 长x宽/尺寸: 20.00 x 5.60mm 封装/外壳: TO3PML 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+160℃ 集电极电流 Ic: 10A 配置: 单路 原产国家: Chnia 发射极基极导通电压VBE(on): 1.2V 特征频率(fT): 25MHz 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V 晶体管类型: PNP DC电流增益(hFE): 50
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: SPTECH硅PNP功率晶体管120V 10A TO3PML
安装类型: 插件 功率耗散: 80W 集电极-基极电压（VCBO）: 70V Vce饱和压降: 500mV 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vceo: 120V 跃迁频率: 25MHz 存储温度: -55℃~+160℃ 长x宽/尺寸: 20.00 x 5.60mm 封装/外壳: TO3PML 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+160℃ 集电极电流 Ic: 10A 配置: 单路 原产国家: Chnia 发射极基极导通电压VBE(on): 1.2V 特征频率(fT): 25MHz 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V 晶体管类型: PNP DC电流增益(hFE): 50
2KW8629
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: SPTECH硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 100W 集电极-基极电压（VCBO）: 450V 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd Vce饱和压降: 1.2V 包装: Box packing 极性: NPN 跃迁频率: - 集射极击穿电压Vceo: 400V 集射极饱和电压(VCE(sat)): 400V 长x宽/尺寸: 39.00 x 26.00mm 封装/外壳: TO-204-2(TO-3) 工作温度: +200℃ 配置: 单路 原产国家: Chnia 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 发射极与基极之间电压 VEBO: 450V 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 60
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: SPTECH硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 100W 集电极-基极电压（VCBO）: 450V 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd Vce饱和压降: 1.2V 包装: Box packing 极性: NPN 跃迁频率: - 集射极击穿电压Vceo: 400V 集射极饱和电压(VCE(sat)): 400V 长x宽/尺寸: 39.00 x 26.00mm 封装/外壳: TO-204-2(TO-3) 工作温度: +200℃ 配置: 单路 原产国家: Chnia 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 发射极与基极之间电压 VEBO: 450V 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 60
NJW3281G
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 功率耗散: 200W 集电极-基极电压（VCBO）: 250V 包装: Tube packing Vce饱和压降: 600mV 极性: NPN 跃迁频率: - 集射极击穿电压Vceo: 250V 存储温度: -65℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 15.60 x 4.80mm 封装/外壳: TO3PN 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 15A 配置: 单路 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 20.10mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 150 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 功率耗散: 200W 集电极-基极电压（VCBO）: 250V 包装: Tube packing Vce饱和压降: 600mV 极性: NPN 跃迁频率: - 集射极击穿电压Vceo: 250V 存储温度: -65℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 15.60 x 4.80mm 封装/外壳: TO3PN 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 15A 配置: 单路 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 20.10mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 150 引脚数: 3Pin