NCE
商品列表
NCE70R900K
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道超级结功率MOSFET TO252
安装类型: SMT 品牌: NCE 功率耗散: 49W 阈值电压Vgs(th): 3V@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 3A 包装: Tape/reel 漏源击穿电压BVDSS: 700V 长x宽/尺寸: 6.70 x 6.20mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO252-2L 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 3.5pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 10nC 配置: 单路 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 950mΩ 栅极电荷(Qg)(Max): 20nC 漏源电压(Vdss): 700V 零件状态: 在售
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道超级结功率MOSFET TO252
安装类型: SMT 品牌: NCE 功率耗散: 49W 阈值电压Vgs(th): 3V@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 3A 包装: Tape/reel 漏源击穿电压BVDSS: 700V 长x宽/尺寸: 6.70 x 6.20mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO252-2L 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 3.5pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 10nC 配置: 单路 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 950mΩ 栅极电荷(Qg)(Max): 20nC 漏源电压(Vdss): 700V 零件状态: 在售
NCE6990
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: N沟道 耐压:69V 电流:90A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):69V 连续漏极电流(Id):90A 功率(Pd):160W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA
产品分类: MOSFETs晶体管 阈值电压Vgs(th): 4V@250µA 漏极电流Idss: 1uA FET类型: N沟道 元件生命周期: Active 存储温度: -55~+175℃ 引线数量: 3Pin 原产国家: China 品牌: NCE 零件状态: 在售 漏源电压(Vdss): 69V 连续漏极电流Id@25℃: 90A 导通电阻Rds On(Max): 7.0mΩ 栅极电荷(Qg)(Max): 94nC 输入电容(Ciss)(Max): 3400pF 功率(Max): 160W 工作温度(Tj): -55°C~175°C 安装类型: 表面贴装(SMT) 封装/外壳: TO-220-3L
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: N沟道 耐压:69V 电流:90A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):69V 连续漏极电流(Id):90A 功率(Pd):160W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA
产品分类: MOSFETs晶体管 阈值电压Vgs(th): 4V@250µA 漏极电流Idss: 1uA FET类型: N沟道 元件生命周期: Active 存储温度: -55~+175℃ 引线数量: 3Pin 原产国家: China 品牌: NCE 零件状态: 在售 漏源电压(Vdss): 69V 连续漏极电流Id@25℃: 90A 导通电阻Rds On(Max): 7.0mΩ 栅极电荷(Qg)(Max): 94nC 输入电容(Ciss)(Max): 3400pF 功率(Max): 160W 工作温度(Tj): -55°C~175°C 安装类型: 表面贴装(SMT) 封装/外壳: TO-220-3L
NCE60P50
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: MOS管 P-channel Id=50A VDS=60V TO220-3
安装类型: 插件 功率耗散: 95W 阈值电压: 3.5V@250µA 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 包装: Tube packing 极性: P-沟道 连续漏极电流: 50A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO-220-3 元件生命周期: Active 漏极电流: 1uA 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 输入电容: 6.46nF Vgs(Max): 20V 最小包装: 50pcs 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 75nC 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: MOS管 P-channel Id=50A VDS=60V TO220-3
安装类型: 插件 功率耗散: 95W 阈值电压: 3.5V@250µA 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 包装: Tube packing 极性: P-沟道 连续漏极电流: 50A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO-220-3 元件生命周期: Active 漏极电流: 1uA 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 输入电容: 6.46nF Vgs(Max): 20V 最小包装: 50pcs 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 75nC 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin
NCE65T900F
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-channel Id=5A VDS=650V TO-220F
安装类型: 插件 品牌: NCE 功率耗散: 29W 阈值电压: 4V@250µA 额定功率: 29W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 750mΩ@10V,2.5A 包装: Tube packing 连续漏极电流: 5A 长x宽/尺寸: 10.36 x 4.90mm 封装/外壳: TO-220F 漏极电流: 1uA 反向传输电容Crss: 0.5pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 10.5nC 配置: 单路 输入电容: 370pF 漏源电压(Vdss): 650V 栅极电荷(Qg): 15nC 类型: 1个N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-channel Id=5A VDS=650V TO-220F
安装类型: 插件 品牌: NCE 功率耗散: 29W 阈值电压: 4V@250µA 额定功率: 29W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 750mΩ@10V,2.5A 包装: Tube packing 连续漏极电流: 5A 长x宽/尺寸: 10.36 x 4.90mm 封装/外壳: TO-220F 漏极电流: 1uA 反向传输电容Crss: 0.5pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 10.5nC 配置: 单路 输入电容: 370pF 漏源电压(Vdss): 650V 栅极电荷(Qg): 15nC 类型: 1个N沟道 引脚数: 3Pin
NCE8295A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：82V 连续漏极电流(Id)：95A 功率(Pd)：170W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8mΩ@10V,20A
产品分类: MOSFETs晶体管 阈值电压Vgs(th): 4V@250µA 漏极电流Idss: 1uA FET类型: N沟道 元件生命周期: Active 存储温度: -55~+175℃ 引线数量: 3Pin 原产国家: China 品牌: NCE 零件状态: 在售 漏源电压(Vdss): 82V 连续漏极电流Id@25℃: 95A 导通电阻Rds On(Max): 8mΩ 栅极电荷(Qg)(Max): 109.3nC 输入电容(Ciss)(Max): 6800pF 功率(Max): 170W 工作温度(Tj): -55°C~175°C 安装类型: 通孔(THT) 封装/外壳: TO-220-3L
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：82V 连续漏极电流(Id)：95A 功率(Pd)：170W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8mΩ@10V,20A
产品分类: MOSFETs晶体管 阈值电压Vgs(th): 4V@250µA 漏极电流Idss: 1uA FET类型: N沟道 元件生命周期: Active 存储温度: -55~+175℃ 引线数量: 3Pin 原产国家: China 品牌: NCE 零件状态: 在售 漏源电压(Vdss): 82V 连续漏极电流Id@25℃: 95A 导通电阻Rds On(Max): 8mΩ 栅极电荷(Qg)(Max): 109.3nC 输入电容(Ciss)(Max): 6800pF 功率(Max): 170W 工作温度(Tj): -55°C~175°C 安装类型: 通孔(THT) 封装/外壳: TO-220-3L
NCE6005AR
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: N沟道增强型功率MOSFET SOT223-3L
安装类型: SMT 品牌: NCE 击穿电压: 60V 阈值电压: 2.5V 额定功率: 2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 35mΩ@4.5V,5A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 5A 封装/外壳: SOT-223 漏极电流: 1uA 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 Vgs(Max): 20V 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 22nC 高度: 1.80mm 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: N沟道增强型功率MOSFET SOT223-3L
安装类型: SMT 品牌: NCE 击穿电压: 60V 阈值电压: 2.5V 额定功率: 2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 35mΩ@4.5V,5A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 5A 封装/外壳: SOT-223 漏极电流: 1uA 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 Vgs(Max): 20V 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 22nC 高度: 1.80mm 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
NCEP1545G
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: MOS管 N-channel Id=40A VDS=150V DFN8_5X6MM_EP
安装类型: SMT 品牌: NCE 阈值电压: 4V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 40A 长x宽/尺寸: 5.00 x 6.10mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: DFN5x6-8L 元件生命周期: Active 漏极电流: 1uA 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China Vgs(Max): 20V 漏源电压(Vdss): 150V 栅极电荷(Qg): 21.1nC 零件状态: Active 高度: 1.10mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: MOS管 N-channel Id=40A VDS=150V DFN8_5X6MM_EP
安装类型: SMT 品牌: NCE 阈值电压: 4V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 40A 长x宽/尺寸: 5.00 x 6.10mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: DFN5x6-8L 元件生命周期: Active 漏极电流: 1uA 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China Vgs(Max): 20V 漏源电压(Vdss): 150V 栅极电荷(Qg): 21.1nC 零件状态: Active 高度: 1.10mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin
NCEP40P80K
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-channel Id=80A VDS=40V TO252-2
安装类型: SMT 功率耗散: 150W 阈值电压: 1.8V@250µA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 9.1mΩ 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 80A 存储温度: -55℃~+175℃ 封装/外壳: TO-252(DPAK) 元件生命周期: Active 漏极电流: 1uA 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+175℃ 充电电量: 57.2nC 配置: 单路 输入电容: 3.738nF Vgs(Max): 20V 漏源电压(Vdss): 40V 栅极电荷(Qg): 57.2nC 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-channel Id=80A VDS=40V TO252-2
安装类型: SMT 功率耗散: 150W 阈值电压: 1.8V@250µA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 9.1mΩ 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 80A 存储温度: -55℃~+175℃ 封装/外壳: TO-252(DPAK) 元件生命周期: Active 漏极电流: 1uA 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+175℃ 充电电量: 57.2nC 配置: 单路 输入电容: 3.738nF Vgs(Max): 20V 漏源电压(Vdss): 40V 栅极电荷(Qg): 57.2nC 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin
NCE6080A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：110W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8mΩ@10V,20A
产品分类: MOSFETs晶体管 阈值电压Vgs(th): 1.8V@250µA 漏极电流Idss: 1uA FET类型: N沟道 元件生命周期: Active 存储温度: -55~+175℃ 引线数量: 3Pin 原产国家: China 品牌: NCE 漏源极电压（Vdss）: 60V 零件状态: 在售 漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流Id@25℃: 80A 导通电阻Rds On(Max): 8mΩ 栅极电荷(Qg)(Max): 90.3nC 输入电容(Ciss)(Max): 4000pF 功率(Max): 110W 工作温度(Tj): -55°C~175°C 安装类型: 通孔(THT) 封装/外壳: TO-220-3L
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：110W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8mΩ@10V,20A
产品分类: MOSFETs晶体管 阈值电压Vgs(th): 1.8V@250µA 漏极电流Idss: 1uA FET类型: N沟道 元件生命周期: Active 存储温度: -55~+175℃ 引线数量: 3Pin 原产国家: China 品牌: NCE 漏源极电压（Vdss）: 60V 零件状态: 在售 漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流Id@25℃: 80A 导通电阻Rds On(Max): 8mΩ 栅极电荷(Qg)(Max): 90.3nC 输入电容(Ciss)(Max): 4000pF 功率(Max): 110W 工作温度(Tj): -55°C~175°C 安装类型: 通孔(THT) 封装/外壳: TO-220-3L
NCE3080KA
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=80A TO252-2L
安装类型: SMT 功率耗散: 83W 击穿电压: 30V 阈值电压: 1.4V@250μA 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 80A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 6.70 x 6.20mm 封装/外壳: TO-252(DPAK) 元件生命周期: Active 漏极电流: 1uA 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 Vgs(Max): 30V 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 51nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=80A TO252-2L
安装类型: SMT 功率耗散: 83W 击穿电压: 30V 阈值电压: 1.4V@250μA 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 80A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 6.70 x 6.20mm 封装/外壳: TO-252(DPAK) 元件生命周期: Active 漏极电流: 1uA 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 Vgs(Max): 30V 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 51nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 2Pin