WINSOK
商品列表
WSF3087
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：70A 功率(Pd)：51W
安装类型: SMT 品牌: Winsok 击穿电压: 30V 阈值电压: 1.5V@250uA 额定功率: 51W 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 70A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO-252(DPAK) 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 输入电容: 2.1nF Vgs(Max): ±20V 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 20nC@4.5V 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：70A 功率(Pd)：51W
安装类型: SMT 品牌: Winsok 击穿电压: 30V 阈值电压: 1.5V@250uA 额定功率: 51W 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 70A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO-252(DPAK) 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 输入电容: 2.1nF Vgs(Max): ±20V 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 20nC@4.5V 晶体管类型: N沟道
WST6002
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFET SOT523 N-Channel ID=100mA
安装类型: SMT 漏源电流(Idss): 0.1A 击穿电压: 30V 阈值电压: 2.5V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 100mA 封装/外壳: SOT-523-3 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 原产国家: China 输入电容: 9pF Vgs(Max): ±20V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 0.75mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFET SOT523 N-Channel ID=100mA
安装类型: SMT 漏源电流(Idss): 0.1A 击穿电压: 30V 阈值电压: 2.5V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 100mA 封装/外壳: SOT-523-3 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 原产国家: China 输入电容: 9pF Vgs(Max): ±20V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 0.75mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
WSR25N20
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=200V VGS=±20V ID=25A RDS(ON)=75mΩ@10V TO220F
安装类型: 插件 品牌: Winsok 漏源电流(Idss): 25A 击穿电压: 200V 阈值电压: 1.5V@250µA 额定功率: 45W 包装: Tube packing 极性: N-沟道 连续漏极电流: 25A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 10.16 x 4.67mm 封装/外壳: TO-220F 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 200V 栅极电荷(Qg): 60nC@10V 高度: 19.31mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=200V VGS=±20V ID=25A RDS(ON)=75mΩ@10V TO220F
安装类型: 插件 品牌: Winsok 漏源电流(Idss): 25A 击穿电压: 200V 阈值电压: 1.5V@250µA 额定功率: 45W 包装: Tube packing 极性: N-沟道 连续漏极电流: 25A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 10.16 x 4.67mm 封装/外壳: TO-220F 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 200V 栅极电荷(Qg): 60nC@10V 高度: 19.31mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
WSD3067DN56
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 1个N沟道和1个P沟道漏源电压(Vdss)：30/-30V 连续漏极电流(Id)：24/-19.8A 功率(Pd)：18.9W
安装类型: SMT 品牌: Winsok 阈值电压: 1.8V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD. 包装: Tape/reel 极性: N-沟道,P-沟道 连续漏极电流: 24A 封装/外壳: DFN5x6-8L 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China Taiwan Vgs(Max): ±20V 最小包装: 5000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 认证信息: RoHS 高度: 1.17mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道和P沟道互补型 应用: Consumer
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 1个N沟道和1个P沟道漏源电压(Vdss)：30/-30V 连续漏极电流(Id)：24/-19.8A 功率(Pd)：18.9W
安装类型: SMT 品牌: Winsok 阈值电压: 1.8V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD. 包装: Tape/reel 极性: N-沟道,P-沟道 连续漏极电流: 24A 封装/外壳: DFN5x6-8L 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China Taiwan Vgs(Max): ±20V 最小包装: 5000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 认证信息: RoHS 高度: 1.17mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道和P沟道互补型 应用: Consumer
WSF3013
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 1个N沟道和1个P沟道漏源电压(Vdss)：30/-30V 连续漏极电流(Id)：12/-11.5A 功率(Pd)：5.25W
安装类型: SMT 品牌: Winsok 击穿电压: 30V 阈值电压: 1.8V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 14mΩ,23mΩ 包装: Tape/reel 极性: N-沟道,P-沟道 连续漏极电流: 12A,11.5A 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: TO-252-4 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China Taiwan Vgs(Max): ±20V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 晶体管类型: N沟道和P沟道互补型 引脚数: 4Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 1个N沟道和1个P沟道漏源电压(Vdss)：30/-30V 连续漏极电流(Id)：12/-11.5A 功率(Pd)：5.25W
安装类型: SMT 品牌: Winsok 击穿电压: 30V 阈值电压: 1.8V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 14mΩ,23mΩ 包装: Tape/reel 极性: N-沟道,P-沟道 连续漏极电流: 12A,11.5A 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: TO-252-4 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China Taiwan Vgs(Max): ±20V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 晶体管类型: N沟道和P沟道互补型 引脚数: 4Pin
WST3426
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=3A RDS(ON)=75mΩ@4.5V SOT23N
安装类型: SMT 品牌: Winsok 漏源电流(Idss): 3A 击穿电压: 20V 阈值电压: 850mV@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 3A 封装/外壳: SOT23N 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 22pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China Vgs(Max): ±12V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 5.4nC@4.5V 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=3A RDS(ON)=75mΩ@4.5V SOT23N
安装类型: SMT 品牌: Winsok 漏源电流(Idss): 3A 击穿电压: 20V 阈值电压: 850mV@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 3A 封装/外壳: SOT23N 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 22pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China Vgs(Max): ±12V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 5.4nC@4.5V 晶体管类型: N沟道
WSD80100DN56
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：80V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：200W
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 200W 击穿电压: 80V 阈值电压: 3V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Original 极性: N-沟道 连续漏极电流: 100A 长x宽/尺寸: 5.75 x 4.90mm 封装/外壳: DFN5x6-8L 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃ 配置: 单路 Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 80V 高度: 1.10mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：80V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：200W
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 200W 击穿电压: 80V 阈值电压: 3V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Original 极性: N-沟道 连续漏极电流: 100A 长x宽/尺寸: 5.75 x 4.90mm 封装/外壳: DFN5x6-8L 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃ 配置: 单路 Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 80V 高度: 1.10mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin
WST3427
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=2.5A RDS(ON)=165mΩ@4.5V SOT23N
安装类型: SMT 漏源电流(Idss): -2.5A 击穿电压: 20V 阈值电压: 650mV@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 2.5A 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 封装/外壳: SOT23N 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 30pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China Vgs(Max): ±12V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 5nC@4.5V 晶体管类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=2.5A RDS(ON)=165mΩ@4.5V SOT23N
安装类型: SMT 漏源电流(Idss): -2.5A 击穿电压: 20V 阈值电压: 650mV@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 2.5A 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 封装/外壳: SOT23N 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 30pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China Vgs(Max): ±12V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 5nC@4.5V 晶体管类型: P沟道
WSR140N08
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=80V VGS=±25V ID=140A RDS(ON)=6mΩ@10V TO220FB-3L
安装类型: 插件 品牌: Winsok 漏源电流(Idss): 140A 功率耗散: 250W 阈值电压: 3V@250µA 包装: Tube packing 极性: N-沟道 连续漏极电流: 140A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 10.16 x 4.67mm 封装/外壳: TO-220FB-3 反向传输电容Crss: 235pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 115nC 配置: 单路 原产国家: China Vgs(Max): ±25V 漏源电压(Vdss): 80V 高度: 19.31mm 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=80V VGS=±25V ID=140A RDS(ON)=6mΩ@10V TO220FB-3L
安装类型: 插件 品牌: Winsok 漏源电流(Idss): 140A 功率耗散: 250W 阈值电压: 3V@250µA 包装: Tube packing 极性: N-沟道 连续漏极电流: 140A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 10.16 x 4.67mm 封装/外壳: TO-220FB-3 反向传输电容Crss: 235pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 115nC 配置: 单路 原产国家: China Vgs(Max): ±25V 漏源电压(Vdss): 80V 高度: 19.31mm 晶体管类型: N沟道
WSF40P04
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=20A RDS(ON)=42mΩ@10V TO252
安装类型: SMT 漏源电流(Idss): -20A 击穿电压: 40V 功率耗散: 45W 阈值电压: 2V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 42mΩ@10V,12A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 20A 封装/外壳: TO-252(DPAK) 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 60pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 20nC 配置: 单路 原产国家: China Vgs(Max): ±20V 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 40V 晶体管类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=20A RDS(ON)=42mΩ@10V TO252
安装类型: SMT 漏源电流(Idss): -20A 击穿电压: 40V 功率耗散: 45W 阈值电压: 2V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 42mΩ@10V,12A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 20A 封装/外壳: TO-252(DPAK) 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 60pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 20nC 配置: 单路 原产国家: China Vgs(Max): ±20V 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 40V 晶体管类型: P沟道