ALLPOWER
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AP68N06G
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs N-沟道 60V 50A PDFN-8(5x6)
安装类型: SMT 品牌: ALLPOWER 击穿电压: 60V 功率耗散: 104W 阈值电压: 3V 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 14mΩ@10V,25A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 50A 长x宽/尺寸: 5.85 x 5.00mm 封装/外壳: PDFN-8(5x6) 反向传输电容Crss: 80pF 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 输入电容: 1.92nF Vgs(Max): ±20V 最小包装: 5000pcs 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 33nC 类型: 1个N沟道 引脚数: 5Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs N-沟道 60V 50A PDFN-8(5x6)
安装类型: SMT 品牌: ALLPOWER 击穿电压: 60V 功率耗散: 104W 阈值电压: 3V 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 14mΩ@10V,25A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 50A 长x宽/尺寸: 5.85 x 5.00mm 封装/外壳: PDFN-8(5x6) 反向传输电容Crss: 80pF 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 输入电容: 1.92nF Vgs(Max): ±20V 最小包装: 5000pcs 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 33nC 类型: 1个N沟道 引脚数: 5Pin
AP3404
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道功率 MOSFET SOT23-3 VDS=30V VGS=±20V ID=5.8A
安装类型: SMT 品牌: ALLPOWER 漏源电流(Idss): 5.8A 功率耗散: 1.4W 击穿电压: 30V 阈值电压: 1.6V@250μA 额定功率: 1.4W 原始制造商: Shenzhen Quan Li Semiconductor Co., Ltd. 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 18mΩ@10V,5.8A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 5.8A 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 漏源电压(Vdss): 30V 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道功率 MOSFET SOT23-3 VDS=30V VGS=±20V ID=5.8A
安装类型: SMT 品牌: ALLPOWER 漏源电流(Idss): 5.8A 功率耗散: 1.4W 击穿电压: 30V 阈值电压: 1.6V@250μA 额定功率: 1.4W 原始制造商: Shenzhen Quan Li Semiconductor Co., Ltd. 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 18mΩ@10V,5.8A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 5.8A 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 漏源电压(Vdss): 30V 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
AP3415E
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道功率MOSFET SOT23 VDS=20V VGS=±10V ID=4A
安装类型: SMT 阈值电压: 800mV 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 35mΩ@4.5V,4A 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 4A 长x宽/尺寸: 3.10 x 1.50mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 输入电容: 750pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 10nC 高度: 1.30mm 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin 类型: 1个P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道功率MOSFET SOT23 VDS=20V VGS=±10V ID=4A
安装类型: SMT 阈值电压: 800mV 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 35mΩ@4.5V,4A 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 4A 长x宽/尺寸: 3.10 x 1.50mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 输入电容: 750pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 10nC 高度: 1.30mm 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin 类型: 1个P沟道
AP2055K
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 20V 60A 4.8mΩ N-Channel MOSFETs TO-252
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 功率耗散: 3.13W 阈值电压: 900mV@250µA 额定功率: 3.13W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 4.8mΩ@4.5V,20A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 60A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 6.70 x 6.20mm 封装/外壳: TO-252(DPAK) 反向传输电容Crss: 200pF@10V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 59.2nC 高度: 2.40mm 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 20V 60A 4.8mΩ N-Channel MOSFETs TO-252
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 功率耗散: 3.13W 阈值电压: 900mV@250µA 额定功率: 3.13W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 4.8mΩ@4.5V,20A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 60A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 6.70 x 6.20mm 封装/外壳: TO-252(DPAK) 反向传输电容Crss: 200pF@10V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 59.2nC 高度: 2.40mm 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
AP2045Q
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：65A 功率(Pd)：35W
安装类型: SMT 品牌: ALLPOWER 功率耗散: 35W 阈值电压: 900mV@250µA 原始制造商: Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 65A 封装/外壳: DFN-8(3.3x3.3) 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 400pF@10V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China 输入电容: 4.4nF 漏源电压(Vdss): 20V 认证信息: RoHS 栅极电荷(Qg): 99.2nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：65A 功率(Pd)：35W
安装类型: SMT 品牌: ALLPOWER 功率耗散: 35W 阈值电压: 900mV@250µA 原始制造商: Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 65A 封装/外壳: DFN-8(3.3x3.3) 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 400pF@10V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China 输入电容: 4.4nF 漏源电压(Vdss): 20V 认证信息: RoHS 栅极电荷(Qg): 99.2nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
AP3908GD
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 一个N沟道一个P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：25A 功率(Pd)：32W
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: ALLPOWER 功率耗散: 32W 阈值电压: 1.5V@250µA 原始制造商: Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd. 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 19mΩ 包装: Tape/reel 极性: N-沟道,P-沟道 连续漏极电流: 25A 封装/外壳: PDFN-8(5x6) 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China 输入电容: 900pF 漏源电压(Vdss): 30V 认证信息: RoHS 栅极电荷(Qg): 19nC 晶体管类型: N沟道和P沟道互补型
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 一个N沟道一个P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：25A 功率(Pd)：32W
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: ALLPOWER 功率耗散: 32W 阈值电压: 1.5V@250µA 原始制造商: Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd. 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 19mΩ 包装: Tape/reel 极性: N-沟道,P-沟道 连续漏极电流: 25A 封装/外壳: PDFN-8(5x6) 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China 输入电容: 900pF 漏源电压(Vdss): 30V 认证信息: RoHS 栅极电荷(Qg): 19nC 晶体管类型: N沟道和P沟道互补型
AP3400
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道功率MOSFET SOT23 VDS=30V VGS=±12V ID=5.8A
安装类型: SMT 漏源电流(Idss): 5.8A 功率耗散: 1.4W 阈值电压: 1.1V 额定功率: 1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 32mΩ@10V,5.8A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 5.8A 长x宽/尺寸: 3.10 x 1.50mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 77pF 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 输入电容: 823pF 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 1.30mm 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道功率MOSFET SOT23 VDS=30V VGS=±12V ID=5.8A
安装类型: SMT 漏源电流(Idss): 5.8A 功率耗散: 1.4W 阈值电压: 1.1V 额定功率: 1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 32mΩ@10V,5.8A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 5.8A 长x宽/尺寸: 3.10 x 1.50mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 77pF 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 输入电容: 823pF 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 1.30mm 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道 引脚数: 3Pin
AP2310
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道功率MOSFET SOT23 VDS=60V VGS=±20V ID=3A
安装类型: SMT 功率耗散: 1.68W 击穿电压: 65V 阈值电压: 1.7V 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 3A 长x宽/尺寸: 3.10 x 1.50mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 19.5pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 6nC 原产国家: China 输入电容: 460pF 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 6nC 高度: 1.30mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道功率MOSFET SOT23 VDS=60V VGS=±20V ID=3A
安装类型: SMT 功率耗散: 1.68W 击穿电压: 65V 阈值电压: 1.7V 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 3A 长x宽/尺寸: 3.10 x 1.50mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 19.5pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 6nC 原产国家: China 输入电容: 460pF 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 6nC 高度: 1.30mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
AP4407C
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs P-沟道 30V 12A SO-8
安装类型: SMT 品牌: ALLPOWER 功率耗散: 3.7W 阈值电压: 2.5V 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 14mΩ@10V 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 12A 长x宽/尺寸: 5.10 x 4.00mm 封装/外壳: SO-8 反向传输电容Crss: 237pF 工作温度: +150℃(TJ) 输入电容: 2.863nF Vgs(Max): ±20V 最小包装: 4000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 1.75mm 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs P-沟道 30V 12A SO-8
安装类型: SMT 品牌: ALLPOWER 功率耗散: 3.7W 阈值电压: 2.5V 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 14mΩ@10V 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 12A 长x宽/尺寸: 5.10 x 4.00mm 封装/外壳: SO-8 反向传输电容Crss: 237pF 工作温度: +150℃(TJ) 输入电容: 2.863nF Vgs(Max): ±20V 最小包装: 4000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 1.75mm 引脚数: 8Pin
AP20P30Q
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：40W
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: ALLPOWER 击穿电压: -30V 功率耗散: 21.5W 阈值电压: -1.5V 额定功率: 40W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 10.5mΩ@10V,10A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 20A 封装/外壳: DFN-8(3x3) 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 319pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 最小包装: 5000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 30nC 零件状态: Active 类型: 1个P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：40W
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: ALLPOWER 击穿电压: -30V 功率耗散: 21.5W 阈值电压: -1.5V 额定功率: 40W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 10.5mΩ@10V,10A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 20A 封装/外壳: DFN-8(3x3) 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 319pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 最小包装: 5000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 30nC 零件状态: Active 类型: 1个P沟道