NCE
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NCE80H12
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 耐压:80V 电流:120A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):80V 连续漏极电流(Id):120A 功率(Pd):220W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6mΩ@10V,40A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA
安装类型: DIP 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 阈值电压Vgs(th): 4V@250µA 包装: Tube packing 连续漏极电流Id@25℃: 120A 漏源击穿电压BVDSS: 80V 存储温度: -55℃~+175℃ 长x宽/尺寸: 10.25 x 4.60mm 封装/外壳: TO220 元件生命周期: Active 输入电容Ciss: 6.5nF 工作温度: -55℃~+175℃ 漏极电流Idss: 1uA 配置: 单路 栅极电荷(Qg)(Max): 163nC 最小包装: 50pcs 漏源电压(Vdss): 80V 高度: 19.15mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 耐压:80V 电流:120A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):80V 连续漏极电流(Id):120A 功率(Pd):220W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6mΩ@10V,40A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA
安装类型: DIP 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 阈值电压Vgs(th): 4V@250µA 包装: Tube packing 连续漏极电流Id@25℃: 120A 漏源击穿电压BVDSS: 80V 存储温度: -55℃~+175℃ 长x宽/尺寸: 10.25 x 4.60mm 封装/外壳: TO220 元件生命周期: Active 输入电容Ciss: 6.5nF 工作温度: -55℃~+175℃ 漏极电流Idss: 1uA 配置: 单路 栅极电荷(Qg)(Max): 163nC 最小包装: 50pcs 漏源电压(Vdss): 80V 高度: 19.15mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
NCEP85T11
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：85V 连续漏极电流(Id)：110A 功率(Pd)：145W
安装类型: DIP 品牌: NCE 阈值电压: 4.5V 额定功率: 145W 包装: Tube packing 极性: N-沟道 连续漏极电流: 110A 长x宽/尺寸: 10.25 x 4.60mm 封装/外壳: TO220-3L 漏极电流: 1uA 栅极源极击穿电压: 20V 工作温度: -55℃~+175℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 6mΩ 原产国家: China 输入电容: 3.87nF 漏源电压(Vdss): 85V 栅极电荷(Qg): 54nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：85V 连续漏极电流(Id)：110A 功率(Pd)：145W
安装类型: DIP 品牌: NCE 阈值电压: 4.5V 额定功率: 145W 包装: Tube packing 极性: N-沟道 连续漏极电流: 110A 长x宽/尺寸: 10.25 x 4.60mm 封装/外壳: TO220-3L 漏极电流: 1uA 栅极源极击穿电压: 20V 工作温度: -55℃~+175℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 6mΩ 原产国家: China 输入电容: 3.87nF 漏源电压(Vdss): 85V 栅极电荷(Qg): 54nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
NCE07TD60BF
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT
描述: 600V，7A，沟槽式FS II快速IGBT
安装类型: DIP 正向电流: 7A 品牌: NCE 功率耗散: 32W 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 包装: Tube packing 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 10.36 x 4.83mm 封装/外壳: TO220F 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 600V 集电极电流 Ic: 12A 原产国家: China 最小包装: 50pcs 高度: 19.57mm 零件状态: Active 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT
描述: 600V，7A，沟槽式FS II快速IGBT
安装类型: DIP 正向电流: 7A 品牌: NCE 功率耗散: 32W 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 包装: Tube packing 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 10.36 x 4.83mm 封装/外壳: TO220F 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 600V 集电极电流 Ic: 12A 原产国家: China 最小包装: 50pcs 高度: 19.57mm 零件状态: Active 引脚数: 3Pin
NCE60P12K
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: P沟道 耐压:60V 电流:12A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):12A 功率(Pd):60W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):100mΩ@10V,12A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.2V@250uA
安装类型: SMT 品牌: NCE 额定功率: 60W 阈值电压Vgs(th): 2.2V 连续漏极电流Id@25℃: 12A 包装: Tape/reel 存储温度: -55℃~+175℃ 封装/外壳: TO252-2 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+175℃ 漏极电流Idss: 1uA 充电电量: 37.6nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 100mΩ 原产国家: China 栅极电荷(Qg)(Max): 37.6nC 漏源电压(Vdss): 60V 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: P沟道 耐压:60V 电流:12A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):12A 功率(Pd):60W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):100mΩ@10V,12A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.2V@250uA
安装类型: SMT 品牌: NCE 额定功率: 60W 阈值电压Vgs(th): 2.2V 连续漏极电流Id@25℃: 12A 包装: Tape/reel 存储温度: -55℃~+175℃ 封装/外壳: TO252-2 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+175℃ 漏极电流Idss: 1uA 充电电量: 37.6nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 100mΩ 原产国家: China 栅极电荷(Qg)(Max): 37.6nC 漏源电压(Vdss): 60V 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin
NCE3407AY
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: P沟道 耐压:30V 电流:4.3A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4.3A 功率(Pd):1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):52mΩ@10V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA
安装类型: SMT 功率耗散: 1.5W 阈值电压Vgs(th): 3V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 4.3A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT23-3L 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 75pF 工作温度: -55℃~+150℃ 漏极电流Idss: 1uA 充电电量: 14nC 配置: 单路 原产国家: China 栅极电荷(Qg)(Max): 14nC 漏源电压(Vdss): 30V 零件状态: 在售 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: P沟道 耐压:30V 电流:4.3A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4.3A 功率(Pd):1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):52mΩ@10V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA
安装类型: SMT 功率耗散: 1.5W 阈值电压Vgs(th): 3V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 4.3A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT23-3L 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 75pF 工作温度: -55℃~+150℃ 漏极电流Idss: 1uA 充电电量: 14nC 配置: 单路 原产国家: China 栅极电荷(Qg)(Max): 14nC 漏源电压(Vdss): 30V 零件状态: 在售 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin
NCE30P20Q
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: P沟道 耐压:30V 电流:20A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):20A 功率(Pd):35W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11.5mΩ@10V,15A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA
安装类型: SMT 品牌: NCE 阈值电压Vgs(th): 1.5V@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 20A 包装: Tape/reel 漏源击穿电压BVDSS: 30V 封装/外壳: DFN8_3.3X3.3MM_EP 输入电容Ciss: 2.13nF 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 227pF 工作温度: -55℃~+150℃ 漏极电流Idss: 1uA 充电电量: 45.6nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 25mΩ 原产国家: China 栅极电荷(Qg)(Max): 45.6nC 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 0.75mm 晶体管类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: P沟道 耐压:30V 电流:20A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):20A 功率(Pd):35W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11.5mΩ@10V,15A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA
安装类型: SMT 品牌: NCE 阈值电压Vgs(th): 1.5V@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 20A 包装: Tape/reel 漏源击穿电压BVDSS: 30V 封装/外壳: DFN8_3.3X3.3MM_EP 输入电容Ciss: 2.13nF 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 227pF 工作温度: -55℃~+150℃ 漏极电流Idss: 1uA 充电电量: 45.6nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 25mΩ 原产国家: China 栅极电荷(Qg)(Max): 45.6nC 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 0.75mm 晶体管类型: P沟道
NCE65T540F
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：31.6W
安装类型: DIP 击穿电压: 650V 功率耗散: 31.6W 阈值电压: 4V@250µA 包装: Tube packing 连续漏极电流: 8A 封装/外壳: TO220F 漏极电流: 1uA 输入电容Ciss: 590pF 栅极源极击穿电压: ±30V 反向传输电容Crss: 0.9pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 22nC 配置: 单路 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 540mΩ 最小包装: 50pcs 漏源电压(Vdss): 650V 栅极电荷(Qg): 22nC 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：31.6W
安装类型: DIP 击穿电压: 650V 功率耗散: 31.6W 阈值电压: 4V@250µA 包装: Tube packing 连续漏极电流: 8A 封装/外壳: TO220F 漏极电流: 1uA 输入电容Ciss: 590pF 栅极源极击穿电压: ±30V 反向传输电容Crss: 0.9pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 22nC 配置: 单路 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 540mΩ 最小包装: 50pcs 漏源电压(Vdss): 650V 栅极电荷(Qg): 22nC 引脚数: 3Pin
NCE1550
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: NCE1550
安装类型: SMT 品牌: NCE 阈值电压Vgs(th): 3.2V@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 50A 包装: Tube packing 极性: N-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 150V 存储温度: -55℃~+175℃ 封装/外壳: TO220-3 工作温度: -55℃~+175℃ 漏极电流Idss: 1uA 充电电量: 151nC 配置: 单路 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 23mΩ 栅极电荷(Qg)(Max): 163nC 漏源电压(Vdss): 150V 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: NCE1550
安装类型: SMT 品牌: NCE 阈值电压Vgs(th): 3.2V@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 50A 包装: Tube packing 极性: N-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 150V 存储温度: -55℃~+175℃ 封装/外壳: TO220-3 工作温度: -55℃~+175℃ 漏极电流Idss: 1uA 充电电量: 151nC 配置: 单路 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 23mΩ 栅极电荷(Qg)(Max): 163nC 漏源电压(Vdss): 150V 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
NCE0224K
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：24A 功率(Pd)：150W
安装类型: SMT 品牌: NCE 击穿电压: 200V 功率耗散: 150W 阈值电压: 3.2V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 24A 封装/外壳: TO252 漏极电流: 1uA 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 75pF 工作温度: -55℃~+175℃ 充电电量: 60nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 80mΩ 原产国家: China 漏源电压(Vdss): 200V 栅极电荷(Qg): 60nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：24A 功率(Pd)：150W
安装类型: SMT 品牌: NCE 击穿电压: 200V 功率耗散: 150W 阈值电压: 3.2V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 24A 封装/外壳: TO252 漏极电流: 1uA 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 75pF 工作温度: -55℃~+175℃ 充电电量: 60nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 80mΩ 原产国家: China 漏源电压(Vdss): 200V 栅极电荷(Qg): 60nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
NCE3020Q
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 耐压:30V 电流:20A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):20A 功率(Pd):20W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.8mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA
安装类型: SMT 品牌: NCE 阈值电压Vgs(th): 1.5V@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 20A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 30V 长x宽/尺寸: 3.15 x 3.10mm 封装/外壳: DFN8_3.15X3.1MM 输入电容Ciss: 1nF 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 164.4pF 工作温度: -55℃~+150℃ 漏极电流Idss: 1uA 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 12mΩ 原产国家: China 栅极电荷(Qg)(Max): 17nC 漏源电压(Vdss): 30V 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 耐压:30V 电流:20A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):20A 功率(Pd):20W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.8mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA
安装类型: SMT 品牌: NCE 阈值电压Vgs(th): 1.5V@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 20A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 30V 长x宽/尺寸: 3.15 x 3.10mm 封装/外壳: DFN8_3.15X3.1MM 输入电容Ciss: 1nF 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 164.4pF 工作温度: -55℃~+150℃ 漏极电流Idss: 1uA 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 12mΩ 原产国家: China 栅极电荷(Qg)(Max): 17nC 漏源电压(Vdss): 30V 晶体管类型: N沟道