VBSEMI
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2SJ355
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6A RDS(ON)=56mΩ@4.5V SOT89
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 功率耗散: 2.5W 阈值电压: 2.5V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 6A 长x宽/尺寸: 4.60 x 2.60mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT89-3 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 145pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 13nC 配置: 单路 Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 38nC 高度: 1.60mm 零件状态: Active 晶体管类型: MOSFET
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6A RDS(ON)=56mΩ@4.5V SOT89
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 功率耗散: 2.5W 阈值电压: 2.5V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 6A 长x宽/尺寸: 4.60 x 2.60mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT89-3 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 145pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 13nC 配置: 单路 Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 38nC 高度: 1.60mm 零件状态: Active 晶体管类型: MOSFET
AP2307GN
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 功率耗散: 1.25W 击穿电压: 20V 阈值电压: 1.5V@250µA 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 43mΩ 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 4.5A 封装/外壳: SOT-23 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 原产国家: China Taiwan Vgs(Max): ±12V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 10nC 零件状态: Active 晶体管类型: MOSFET 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 功率耗散: 1.25W 击穿电压: 20V 阈值电压: 1.5V@250µA 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 43mΩ 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 4.5A 封装/外壳: SOT-23 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 原产国家: China Taiwan Vgs(Max): ±12V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 10nC 零件状态: Active 晶体管类型: MOSFET 引脚数: 3Pin
VB2290A
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=3.7A RDS(ON)=60mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 功率耗散: 1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 60mΩ@4.5V,3.8A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 3.7A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 155pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 8nC 配置: 单路 Vgs(Max): ±12V 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 8nC 高度: 1.12mm 晶体管类型: P沟道 类型: 1个P沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=3.7A RDS(ON)=60mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 功率耗散: 1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 60mΩ@4.5V,3.8A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 3.7A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 155pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 8nC 配置: 单路 Vgs(Max): ±12V 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 8nC 高度: 1.12mm 晶体管类型: P沟道 类型: 1个P沟道 引脚数: 3Pin
SGM2306A
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6.8A RDS(ON)=22mΩ@4.5V SOT89
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 功率耗散: 2.5W 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 6.8A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.60 x 2.60mm 封装/外壳: SOT89-3 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 10nC 配置: 单路 输入电容: 1.2nF Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 33nC 高度: 1.60mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6.8A RDS(ON)=22mΩ@4.5V SOT89
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 功率耗散: 2.5W 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 6.8A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.60 x 2.60mm 封装/外壳: SOT89-3 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 10nC 配置: 单路 输入电容: 1.2nF Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 33nC 高度: 1.60mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
AO3460
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=250mA RDS(ON)=3.1Ω@4.5V SOT23
安装类型: SMT 功率耗散: 300mW 阈值电压: 2.5V@250µA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 3.1Ω 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 250mA 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 2pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 0.4nC 配置: 单路 原产国家: China Taiwan Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 60V 认证信息: RoHS 栅极电荷(Qg): 0.6nC 零件状态: Active 晶体管类型: MOSFET
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=250mA RDS(ON)=3.1Ω@4.5V SOT23
安装类型: SMT 功率耗散: 300mW 阈值电压: 2.5V@250µA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 3.1Ω 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 250mA 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 2pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 0.4nC 配置: 单路 原产国家: China Taiwan Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 60V 认证信息: RoHS 栅极电荷(Qg): 0.6nC 零件状态: Active 晶体管类型: MOSFET
VB7322
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.5A RDS(ON)=27mΩ@4.5V TSOP6
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 功率耗散: 1.3W 阈值电压: 1.5V@250µA 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 5.5A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TSOP-6 漏极电流: 6A 反向传输电容Crss: 42pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 4.2nC 配置: 单路 原产国家: China Taiwan Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 13nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.5A RDS(ON)=27mΩ@4.5V TSOP6
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 功率耗散: 1.3W 阈值电压: 1.5V@250µA 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 5.5A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TSOP-6 漏极电流: 6A 反向传输电容Crss: 42pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 4.2nC 配置: 单路 原产国家: China Taiwan Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 13nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
CES2301
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 功率耗散: 1.25W 阈值电压: 1.5V@250µA 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 4.5A 封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 155pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 输入电容: 835pF Vgs(Max): ±12V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 10nC 高度: 1.12mm 零件状态: Active 晶体管类型: MOSFET
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 功率耗散: 1.25W 阈值电压: 1.5V@250µA 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 4.5A 封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 155pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 输入电容: 835pF Vgs(Max): ±12V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 10nC 高度: 1.12mm 零件状态: Active 晶体管类型: MOSFET
NCE4614
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6.8A,6.6A SOIC8_150MIL
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 击穿电压: 30V 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 24mΩ,50mΩ 包装: Tape/reel 极性: N-沟道,P-沟道 连续漏极电流: 6.8A,6.6A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOIC8_150MIL 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 输入电容: 510pF,620pF Vgs(Max): ±20V 最小包装: 4000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 1.75mm 晶体管类型: N沟道和P沟道互补型 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6.8A,6.6A SOIC8_150MIL
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 击穿电压: 30V 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 24mΩ,50mΩ 包装: Tape/reel 极性: N-沟道,P-沟道 连续漏极电流: 6.8A,6.6A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOIC8_150MIL 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 输入电容: 510pF,620pF Vgs(Max): ±20V 最小包装: 4000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 1.75mm 晶体管类型: N沟道和P沟道互补型 引脚数: 8Pin
VB1106K
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=260mA RDS(ON)=3Ω@4.5V SOT23
安装类型: SMT 功率耗散: 370mW 阈值电压: 2.5V@250µA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 2.8Ω@10V,0.26A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 260mA 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 0.5nC 配置: 单路 输入电容: 30pF Vgs(Max): ±20V 应用等级: Consumer 漏源电压(Vdss): 100V 栅极电荷(Qg): 0.5nC 高度: 1.12mm 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=260mA RDS(ON)=3Ω@4.5V SOT23
安装类型: SMT 功率耗散: 370mW 阈值电压: 2.5V@250µA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 2.8Ω@10V,0.26A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 260mA 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 0.5nC 配置: 单路 输入电容: 30pF Vgs(Max): ±20V 应用等级: Consumer 漏源电压(Vdss): 100V 栅极电荷(Qg): 0.5nC 高度: 1.12mm 晶体管类型: N沟道
RSR020N06TL
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=3.1A RDS(ON)=86mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 功率耗散: 1.09W 击穿电压: 60V 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 86mΩ 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 3.1A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 2.1nC 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 漏源电压(Vdss): 60V 高度: 1.12mm 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=3.1A RDS(ON)=86mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 功率耗散: 1.09W 击穿电压: 60V 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 86mΩ 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 3.1A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 2.1nC 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 漏源电压(Vdss): 60V 高度: 1.12mm 引脚数: 3Pin