VBSEMI
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IRLML6401GTRPBF
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 功率耗散: 1.25W 击穿电压: 20V 阈值电压: 1.5V 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 4.5A 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 输入电容(Ci): 835pF 反向传输电容Crss: 155pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 10nC 配置: 单路 Vgs(Max): ±12V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 10nC 晶体管类型: MOSFET 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 功率耗散: 1.25W 击穿电压: 20V 阈值电压: 1.5V 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 4.5A 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 输入电容(Ci): 835pF 反向传输电容Crss: 155pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 10nC 配置: 单路 Vgs(Max): ±12V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 10nC 晶体管类型: MOSFET 引脚数: 3Pin
FDG6303N
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 Dual N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=2.3A RDS(ON)=86mΩ@4.5V SOT363
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 阈值电压: 2V 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 2.3A 封装/外壳: SOT-363 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 原产国家: China Taiwan Vgs(Max): ±12V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 导通电阻(RDS(on): 86mΩ 栅极电荷(Qg): 5nC 零件状态: Active 晶体管类型: MOSFET
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 Dual N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=2.3A RDS(ON)=86mΩ@4.5V SOT363
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 阈值电压: 2V 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 2.3A 封装/外壳: SOT-363 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 原产国家: China Taiwan Vgs(Max): ±12V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 导通电阻(RDS(on): 86mΩ 栅极电荷(Qg): 5nC 零件状态: Active 晶体管类型: MOSFET
SI2305DS-T1-GE3
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 击穿电压: 20V 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 4.5A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 输入电容(Ci): 835pF 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 脚间距: 1.9mm 原产国家: China Taiwan Vgs(Max): ±12V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 10nC 晶体管类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 击穿电压: 20V 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 4.5A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 输入电容(Ci): 835pF 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 脚间距: 1.9mm 原产国家: China Taiwan Vgs(Max): ±12V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 10nC 晶体管类型: P沟道
VB1330
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs N-沟道 30V 6.5A SOT-23
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 击穿电压: 30V 阈值电压: 1.1V 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 6.5A 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 Vgs(Max): ±20V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 33mΩ 栅极电荷(Qg): 6.7nC 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs N-沟道 30V 6.5A SOT-23
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 击穿电压: 30V 阈值电压: 1.1V 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 6.5A 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 Vgs(Max): ±20V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 33mΩ 栅极电荷(Qg): 6.7nC 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
AP2305GN
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 功率耗散: 1.25W 阈值电压: 1.5V 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 4.5A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 155pF 栅极源极击穿电压: ±12V 输入电容(Ci): 835pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 Vgs(Max): ±12V 应用等级: Consumer 漏源电压(Vdss): 20V 导通电阻(RDS(on): 43mΩ 栅极电荷(Qg): 10nC 高度: 1.12mm 晶体管类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 功率耗散: 1.25W 阈值电压: 1.5V 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 4.5A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 155pF 栅极源极击穿电压: ±12V 输入电容(Ci): 835pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 Vgs(Max): ±12V 应用等级: Consumer 漏源电压(Vdss): 20V 导通电阻(RDS(on): 43mΩ 栅极电荷(Qg): 10nC 高度: 1.12mm 晶体管类型: P沟道
VBA2311
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs P-沟道 30V 11.6A SO-8
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 功率耗散: 2.5W 阈值电压: 3V 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 11.6A 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SO-8 输入电容(Ci): 1.96nF 反向传输电容Crss: 325pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 最小包装: 4000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 1.75mm 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs P-沟道 30V 11.6A SO-8
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 功率耗散: 2.5W 阈值电压: 3V 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 11.6A 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SO-8 输入电容(Ci): 1.96nF 反向传输电容Crss: 325pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 最小包装: 4000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 1.75mm 引脚数: 8Pin
IRLML0060TRPBF
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs 1个N沟道 耐压:60V 电流:4A SOT-23
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 功率耗散: 1.09W 阈值电压: 3V 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 3.1A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 13pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 2.1nC 配置: 单路 Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 6.1nC 零件状态: Active 高度: 1.12mm 晶体管类型: MOSFET
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs 1个N沟道 耐压:60V 电流:4A SOT-23
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 功率耗散: 1.09W 阈值电压: 3V 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 3.1A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 13pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 2.1nC 配置: 单路 Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 6.1nC 零件状态: Active 高度: 1.12mm 晶体管类型: MOSFET
SI2309CDS-T1-GE3
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=5.2A RDS(ON)=50mΩ@10V SOT23
安装类型: SMT 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 5.2A 存储温度: -55℃~+175℃ 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 31pF 输入电容(Ci): 270pF 工作温度: -55℃~+175℃(TJ) 充电电量: 12nC 配置: 单路 原产国家: China Taiwan Vgs(Max): ±20V 应用等级: Consumer 漏源电压(Vdss): 60V 认证信息: RoHS 栅极电荷(Qg): 12nC 高度: 1.12mm 晶体管类型: P沟道 应用: Consumer
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=5.2A RDS(ON)=50mΩ@10V SOT23
安装类型: SMT 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 5.2A 存储温度: -55℃~+175℃ 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 31pF 输入电容(Ci): 270pF 工作温度: -55℃~+175℃(TJ) 充电电量: 12nC 配置: 单路 原产国家: China Taiwan Vgs(Max): ±20V 应用等级: Consumer 漏源电压(Vdss): 60V 认证信息: RoHS 栅极电荷(Qg): 12nC 高度: 1.12mm 晶体管类型: P沟道 应用: Consumer
SI2312CDS-T1-GE3
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A RDS(ON)=28mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 功率耗散: 1.25W 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 5A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 55pF 输入电容(Ci): 865pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 8.8nC 配置: 单路 原产国家: China Taiwan Vgs(Max): ±12V 漏源电压(Vdss): 20V 导通电阻(RDS(on): 28mΩ 栅极电荷(Qg): 18nC 高度: 1.12mm 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A RDS(ON)=28mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 功率耗散: 1.25W 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 5A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 55pF 输入电容(Ci): 865pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 8.8nC 配置: 单路 原产国家: China Taiwan Vgs(Max): ±12V 漏源电压(Vdss): 20V 导通电阻(RDS(on): 28mΩ 栅极电荷(Qg): 18nC 高度: 1.12mm 晶体管类型: N沟道
IRF5803TRPBF
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=4A RDS(ON)=54mΩ@4.5V SOT23-6
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 功率耗散: 2W 击穿电压: 30V 阈值电压: 2V 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 4A 封装/外壳: SOT23-6 反向传输电容Crss: 63pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 5.1nC 配置: 单路 原产国家: China Taiwan Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 54mΩ 栅极电荷(Qg): 15nC 零件状态: Active 晶体管类型: MOSFET 引脚数: 6Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=4A RDS(ON)=54mΩ@4.5V SOT23-6
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 功率耗散: 2W 击穿电压: 30V 阈值电压: 2V 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 4A 封装/外壳: SOT23-6 反向传输电容Crss: 63pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 5.1nC 配置: 单路 原产国家: China Taiwan Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 54mΩ 栅极电荷(Qg): 15nC 零件状态: Active 晶体管类型: MOSFET 引脚数: 6Pin