VBSEMI
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2SJ179
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6A RDS(ON)=56mΩ@4.5V SOT89
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 击穿电压: 30V 阈值电压: 2.5V 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 6A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT89-3 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 145pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 56mΩ 栅极电荷(Qg): 38nC 零件状态: Active 晶体管类型: MOSFET
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6A RDS(ON)=56mΩ@4.5V SOT89
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 击穿电压: 30V 阈值电压: 2.5V 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 6A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT89-3 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 145pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 56mΩ 栅极电荷(Qg): 38nC 零件状态: Active 晶体管类型: MOSFET
AO6601
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N+P Channel VDS=20V VGS=±20V ID=5.5A,3.4A TSOP6
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 击穿电压: 20V 阈值电压: - 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: N-沟道,P-沟道 连续漏极电流: 5.5A,3.4A 长x宽/尺寸: 3.05 x 1.65mm 封装/外壳: TSOP-6 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: - 原产国家: China Taiwan Vgs(Max): ±20V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 3.6nC 晶体管类型: MOSFET
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N+P Channel VDS=20V VGS=±20V ID=5.5A,3.4A TSOP6
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 击穿电压: 20V 阈值电压: - 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: N-沟道,P-沟道 连续漏极电流: 5.5A,3.4A 长x宽/尺寸: 3.05 x 1.65mm 封装/外壳: TSOP-6 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: - 原产国家: China Taiwan Vgs(Max): ±20V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 3.6nC 晶体管类型: MOSFET
AO7401
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=1.4A RDS(ON)=80mΩ@4.5V SOT323
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 击穿电压: 20V 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 1.4A 长x宽/尺寸: 2.00 x 1.25mm 封装/外壳: SOT-323 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 Vgs(Max): ±12V 应用等级: Consumer 漏源电压(Vdss): 20V 导通电阻(RDS(on): 80mΩ 高度: 1.10mm 晶体管类型: MOSFET 应用: Consumer 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=1.4A RDS(ON)=80mΩ@4.5V SOT323
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 击穿电压: 20V 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 1.4A 长x宽/尺寸: 2.00 x 1.25mm 封装/外壳: SOT-323 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 Vgs(Max): ±12V 应用等级: Consumer 漏源电压(Vdss): 20V 导通电阻(RDS(on): 80mΩ 高度: 1.10mm 晶体管类型: MOSFET 应用: Consumer 引脚数: 3Pin
SI1967DH-T1-GE3
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 Dual P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=1.6A RDS(ON)=155mΩ@4.5V SC-70-6
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 击穿电压: 20V 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 1.6A 封装/外壳: SC-70-6 输入电容(Ci): 210pF 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 33pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 原产国家: China Taiwan Vgs(Max): ±12V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 导通电阻(RDS(on): 155mΩ 栅极电荷(Qg): 8nC 晶体管类型: 2个P沟道(双)
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 Dual P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=1.6A RDS(ON)=155mΩ@4.5V SC-70-6
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 击穿电压: 20V 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 1.6A 封装/外壳: SC-70-6 输入电容(Ci): 210pF 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 33pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 原产国家: China Taiwan Vgs(Max): ±12V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 导通电阻(RDS(on): 155mΩ 栅极电荷(Qg): 8nC 晶体管类型: 2个P沟道(双)
XP202A0003PR
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6A RDS(ON)=56mΩ@4.5V SOT89-3
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 阈值电压: 2.5V 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 6A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.60 x 2.60mm 封装/外壳: SOT89-3 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 Vgs(Max): ±20V 最小包装: 1000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 38nC 零件状态: Active 高度: 1.60mm 晶体管类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6A RDS(ON)=56mΩ@4.5V SOT89-3
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 阈值电压: 2.5V 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 6A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.60 x 2.60mm 封装/外壳: SOT89-3 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 Vgs(Max): ±20V 最小包装: 1000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 38nC 零件状态: Active 高度: 1.60mm 晶体管类型: P沟道
NCE3400A
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.3A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 击穿电压: 30V 阈值电压: 1.1V 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 5.3A 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±20V 输入电容(Ci): 335pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 原产国家: China Taiwan Vgs(Max): ±20V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 33mΩ 栅极电荷(Qg): 6.7nC 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.3A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 击穿电压: 30V 阈值电压: 1.1V 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 5.3A 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±20V 输入电容(Ci): 335pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 原产国家: China Taiwan Vgs(Max): ±20V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 33mΩ 栅极电荷(Qg): 6.7nC 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
VBK1270
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs N-沟道 20V 4A SOT-323
安装类型: SMT 击穿电压: 20V 功率耗散: 1.56W 阈值电压: 1.3V 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 4A 长x宽/尺寸: 2.00 x 1.25mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-323 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 Vgs(Max): ±12V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 导通电阻(RDS(on): 48mΩ 高度: 1.10mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs N-沟道 20V 4A SOT-323
安装类型: SMT 击穿电压: 20V 功率耗散: 1.56W 阈值电压: 1.3V 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 4A 长x宽/尺寸: 2.00 x 1.25mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-323 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 Vgs(Max): ±12V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 导通电阻(RDS(on): 48mΩ 高度: 1.10mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin 类型: 1个N沟道
VBA1311
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs N-沟道 30V 13A SO-8
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 功率耗散: 4.1W 阈值电压: 3V 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 13A 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SO-8 输入电容(Ci): 800pF 反向传输电容Crss: 73pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) Vgs(Max): ±20V 最小包装: 4000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 11mΩ@4.5V 栅极电荷(Qg): 10.2nC 高度: 1.75mm 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs N-沟道 30V 13A SO-8
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 功率耗散: 4.1W 阈值电压: 3V 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 13A 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SO-8 输入电容(Ci): 800pF 反向传输电容Crss: 73pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) Vgs(Max): ±20V 最小包装: 4000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 11mΩ@4.5V 栅极电荷(Qg): 10.2nC 高度: 1.75mm 引脚数: 8Pin
AO3422
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=3.1A RDS(ON)=86mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 击穿电压: 60V 阈值电压: 3V 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 3.1A 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 13pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 原产国家: China Taiwan Vgs(Max): ±20V 应用等级: Consumer 漏源电压(Vdss): 60V 认证信息: RoHS, HF(Halogen Free) 栅极电荷(Qg): 6.1nC 晶体管类型: MOSFET 应用: Consumer
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=3.1A RDS(ON)=86mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 击穿电压: 60V 阈值电压: 3V 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 3.1A 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 13pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 原产国家: China Taiwan Vgs(Max): ±20V 应用等级: Consumer 漏源电压(Vdss): 60V 认证信息: RoHS, HF(Halogen Free) 栅极电荷(Qg): 6.1nC 晶体管类型: MOSFET 应用: Consumer
VB3222
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs N-沟道 20V 6A TSOP-6
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 功率耗散: 1.14W 阈值电压: - 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 6A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TSOP-6 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 26pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 1.8nC 原产国家: China Taiwan Vgs(Max): ±12V 漏源电压(Vdss): 20V 导通电阻(RDS(on): 22mΩ 栅极电荷(Qg): 6nC 零件状态: Active 晶体管类型: 2个N沟道(双)
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs N-沟道 20V 6A TSOP-6
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 功率耗散: 1.14W 阈值电压: - 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 6A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TSOP-6 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 26pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 1.8nC 原产国家: China Taiwan Vgs(Max): ±12V 漏源电压(Vdss): 20V 导通电阻(RDS(on): 22mΩ 栅极电荷(Qg): 6nC 零件状态: Active 晶体管类型: 2个N沟道(双)