NCE
商品列表
NCE80H12
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: MOSFETs N-Channel TO220-3L Vds=80V Vgs=±20V Id=120A Pd=220W
安装类型: 插件 品牌: NCE 漏源电流(Idss): 1uA 功率耗散: 220W 阈值电压: 4V@250µA 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 包装: Tube packing 连续漏极电流: 120A 长x宽/尺寸: 10.25 x 4.60mm 存储温度: -55℃~+175℃ 封装/外壳: TO-220-3 工作温度: -55℃~+175℃ 配置: 单路 原产国家: China Vgs(Max): 20V 漏源电压(Vdss): 80V 栅极电荷(Qg): 163nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: MOSFETs N-Channel TO220-3L Vds=80V Vgs=±20V Id=120A Pd=220W
安装类型: 插件 品牌: NCE 漏源电流(Idss): 1uA 功率耗散: 220W 阈值电压: 4V@250µA 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 包装: Tube packing 连续漏极电流: 120A 长x宽/尺寸: 10.25 x 4.60mm 存储温度: -55℃~+175℃ 封装/外壳: TO-220-3 工作温度: -55℃~+175℃ 配置: 单路 原产国家: China Vgs(Max): 20V 漏源电压(Vdss): 80V 栅极电荷(Qg): 163nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
NCEP85T11
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：85V 连续漏极电流(Id)：110A 功率(Pd)：145W
安装类型: 插件 品牌: NCE 漏源电流(Idss): 1uA 功率耗散: 145W 阈值电压: 4.5V 包装: Tube packing 极性: N-沟道 原产地: China 连续漏极电流: 110A 长x宽/尺寸: 10.25 x 4.60mm 存储温度: -55℃~+175℃ 封装/外壳: TO-220-3 工作温度: -55℃~+175℃ 配置: 单路 Vgs(Max): 20V 最小包装: 50pcs 漏源电压(Vdss): 85V 栅极电荷(Qg): 54nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：85V 连续漏极电流(Id)：110A 功率(Pd)：145W
安装类型: 插件 品牌: NCE 漏源电流(Idss): 1uA 功率耗散: 145W 阈值电压: 4.5V 包装: Tube packing 极性: N-沟道 原产地: China 连续漏极电流: 110A 长x宽/尺寸: 10.25 x 4.60mm 存储温度: -55℃~+175℃ 封装/外壳: TO-220-3 工作温度: -55℃~+175℃ 配置: 单路 Vgs(Max): 20V 最小包装: 50pcs 漏源电压(Vdss): 85V 栅极电荷(Qg): 54nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
NCE07TD60BF
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT
描述: 600V，7A，沟槽式FS II快速IGBT
安装类型: 插件 正向电流: 7A 品牌: NCE 关断损耗: 100μJ 关断延迟时间: 73ns 包装: Tube packing 脉冲电流-集电极(Icm): 21A 集射极击穿电压Vceo: 600V 集射极饱和电压(VCE(sat)): 600V 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 10.36 x 4.83mm 封装/外壳: TO-220F 工作温度: -55℃~+150℃ 最小包装: 50pcs 开通延迟时间: 20ns 反向恢复时间(trr): 230ns 栅极电荷(Qg): 28nC@15V 高度: 19.57mm 晶体管类型: FS(场截止) 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT
描述: 600V，7A，沟槽式FS II快速IGBT
安装类型: 插件 正向电流: 7A 品牌: NCE 关断损耗: 100μJ 关断延迟时间: 73ns 包装: Tube packing 脉冲电流-集电极(Icm): 21A 集射极击穿电压Vceo: 600V 集射极饱和电压(VCE(sat)): 600V 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 10.36 x 4.83mm 封装/外壳: TO-220F 工作温度: -55℃~+150℃ 最小包装: 50pcs 开通延迟时间: 20ns 反向恢复时间(trr): 230ns 栅极电荷(Qg): 28nC@15V 高度: 19.57mm 晶体管类型: FS(场截止) 引脚数: 3Pin
NCE60P12K
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: P-channel Id=12A VDS=60V TO252-2
安装类型: SMT 漏源电流(Idss): 1uA 功率耗散: 50W 阈值电压: 2.2V 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 12A 长x宽/尺寸: 6.70 x 6.20mm 封装/外壳: TO-252(DPAK) 工作温度: -55℃~+175℃ 充电电量: 37.6nC 配置: 单路 Vgs(Max): 20V 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 60V 导通电阻(RDS(on): 100mΩ@10V,12A 栅极电荷(Qg): 37.6nC 高度: 2.40mm 晶体管类型: P沟道 类型: 1个P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: P-channel Id=12A VDS=60V TO252-2
安装类型: SMT 漏源电流(Idss): 1uA 功率耗散: 50W 阈值电压: 2.2V 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 12A 长x宽/尺寸: 6.70 x 6.20mm 封装/外壳: TO-252(DPAK) 工作温度: -55℃~+175℃ 充电电量: 37.6nC 配置: 单路 Vgs(Max): 20V 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 60V 导通电阻(RDS(on): 100mΩ@10V,12A 栅极电荷(Qg): 37.6nC 高度: 2.40mm 晶体管类型: P沟道 类型: 1个P沟道
NCE3407AY
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.3A 功率(Pd)：1.5W
安装类型: SMT 品牌: NCE 漏源电流(Idss): 1uA 阈值电压: 3V 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 原产地: China 连续漏极电流: 4.3A 封装/外壳: SOT23-3 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 Vgs(Max): 20V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 52mΩ@10V,4A 栅极电荷(Qg): 14nC 晶体管类型: P沟道 类型: 1个P沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.3A 功率(Pd)：1.5W
安装类型: SMT 品牌: NCE 漏源电流(Idss): 1uA 阈值电压: 3V 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 原产地: China 连续漏极电流: 4.3A 封装/外壳: SOT23-3 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 Vgs(Max): 20V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 52mΩ@10V,4A 栅极电荷(Qg): 14nC 晶体管类型: P沟道 类型: 1个P沟道 引脚数: 3Pin
NCE30P20Q
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: MOSFETs DFN8_3.3X3.3MM_EP P-Channel VDS=30V ID=20A
安装类型: SMT 漏源电流(Idss): 1uA 击穿电压: 30V 阈值电压: 1.5V 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 20A 长x宽/尺寸: 3.15 x 3.10mm 封装/外壳: DFN-8-EP(3.3x3.3) 输入电容(Ci): 2.13nF 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 Vgs(Max): 20V 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 45.6nC 高度: 0.75mm 晶体管类型: P沟道 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: MOSFETs DFN8_3.3X3.3MM_EP P-Channel VDS=30V ID=20A
安装类型: SMT 漏源电流(Idss): 1uA 击穿电压: 30V 阈值电压: 1.5V 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 20A 长x宽/尺寸: 3.15 x 3.10mm 封装/外壳: DFN-8-EP(3.3x3.3) 输入电容(Ci): 2.13nF 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 Vgs(Max): 20V 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 45.6nC 高度: 0.75mm 晶体管类型: P沟道 引脚数: 8Pin
NCE65T540F
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：31.6W
安装类型: 插件 品牌: NCE 漏源电流(Idss): 1uA 击穿电压: 650V 功率耗散: 31.6W 阈值电压: 4V 包装: Tube packing 连续漏极电流: 8A 封装/外壳: TO-220F 栅极源极击穿电压: ±30V 输入电容(Ci): 590pF 反向传输电容Crss: 0.9pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 22nC 配置: 单路 漏源电压(Vdss): 650V 导通电阻(RDS(on): 540mΩ@10V,4A 栅极电荷(Qg): 22nC 类型: 1个N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：31.6W
安装类型: 插件 品牌: NCE 漏源电流(Idss): 1uA 击穿电压: 650V 功率耗散: 31.6W 阈值电压: 4V 包装: Tube packing 连续漏极电流: 8A 封装/外壳: TO-220F 栅极源极击穿电压: ±30V 输入电容(Ci): 590pF 反向传输电容Crss: 0.9pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 22nC 配置: 单路 漏源电压(Vdss): 650V 导通电阻(RDS(on): 540mΩ@10V,4A 栅极电荷(Qg): 22nC 类型: 1个N沟道 引脚数: 3Pin
NCE1550
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: N沟道增强型功率MOSFET
安装类型: 插件 品牌: NCE 漏源电流(Idss): 1uA 阈值电压: 3.2V@250µA 包装: Tube packing 极性: N-沟道 原产地: China 连续漏极电流: 50A 长x宽/尺寸: 10.25 x 4.60mm 封装/外壳: TO-220-3 工作温度: -55℃~+175℃ 充电电量: 151nC 配置: 单路 Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 150V 导通电阻(RDS(on): 23mΩ 栅极电荷(Qg): 163nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: N沟道增强型功率MOSFET
安装类型: 插件 品牌: NCE 漏源电流(Idss): 1uA 阈值电压: 3.2V@250µA 包装: Tube packing 极性: N-沟道 原产地: China 连续漏极电流: 50A 长x宽/尺寸: 10.25 x 4.60mm 封装/外壳: TO-220-3 工作温度: -55℃~+175℃ 充电电量: 151nC 配置: 单路 Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 150V 导通电阻(RDS(on): 23mΩ 栅极电荷(Qg): 163nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
NCE0224K
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：24A 功率(Pd)：150W
安装类型: SMT 品牌: NCE 漏源电流(Idss): 1uA 击穿电压: 200V 阈值电压: 3.2V@250µA 包装: Tape/reel 原产地: China 连续漏极电流: 24A 封装/外壳: TO-252(DPAK) 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 75pF 工作温度: -55℃~+175℃ 充电电量: 60nC 配置: 单路 Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 200V 栅极电荷(Qg): 60nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：24A 功率(Pd)：150W
安装类型: SMT 品牌: NCE 漏源电流(Idss): 1uA 击穿电压: 200V 阈值电压: 3.2V@250µA 包装: Tape/reel 原产地: China 连续漏极电流: 24A 封装/外壳: TO-252(DPAK) 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 75pF 工作温度: -55℃~+175℃ 充电电量: 60nC 配置: 单路 Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 200V 栅极电荷(Qg): 60nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 2Pin
NCE3020Q
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：20W
安装类型: SMT 漏源电流(Idss): 1uA 功率耗散: 20W 阈值电压: 1.5V 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 20A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.15 x 3.10mm 封装/外壳: DFN-8(3x3) 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 最小包装: 5000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 17nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：20W
安装类型: SMT 漏源电流(Idss): 1uA 功率耗散: 20W 阈值电压: 1.5V 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 20A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.15 x 3.10mm 封装/外壳: DFN-8(3x3) 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 最小包装: 5000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 17nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin