NCE
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NCE6045G
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-channel Id=45A VDS=60V DFN8_5X6MM_EP
安装类型: SMT 品牌: NCE 漏源电流(Idss): 1uA 功率耗散: 60W 阈值电压: 2.2V@250µA 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 45A 长x宽/尺寸: 5.02 x 5.82mm 封装/外壳: DFN5x6-8L 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 Vgs(Max): 20V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 58nC 高度: 0.90mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-channel Id=45A VDS=60V DFN8_5X6MM_EP
安装类型: SMT 品牌: NCE 漏源电流(Idss): 1uA 功率耗散: 60W 阈值电压: 2.2V@250µA 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 45A 长x宽/尺寸: 5.02 x 5.82mm 封装/外壳: DFN5x6-8L 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 Vgs(Max): 20V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 58nC 高度: 0.90mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
NCE3025Q
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：25A 功率(Pd)：25W
安装类型: SMT 漏源电流(Idss): 1uA 击穿电压: 30V 阈值电压: 3V@250μA 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 25A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.15 x 3.10mm 封装/外壳: DFN-8(3.3x3.3) 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 198pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 15nC 配置: 单路 最小包装: 5000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 零件状态: Active
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：25A 功率(Pd)：25W
安装类型: SMT 漏源电流(Idss): 1uA 击穿电压: 30V 阈值电压: 3V@250μA 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 25A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.15 x 3.10mm 封装/外壳: DFN-8(3.3x3.3) 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 198pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 15nC 配置: 单路 最小包装: 5000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 零件状态: Active
NCE3420
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: N沟道增强型功率MOSFET
安装类型: SMT 品牌: NCE 漏源电流(Idss): 1uA 击穿电压: 20V 阈值电压: 1V@250μA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 6A 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 51.5pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China Vgs(Max): 10V 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 12nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: N沟道增强型功率MOSFET
安装类型: SMT 品牌: NCE 漏源电流(Idss): 1uA 击穿电压: 20V 阈值电压: 1V@250μA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 6A 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 51.5pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China Vgs(Max): 10V 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 12nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道 引脚数: 3Pin
NCE60H15A
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道增强型功率MOSFET TO220-3L
安装类型: 插件 品牌: NCE 漏源电流(Idss): 1uA 击穿电压: 60V 阈值电压: 4V@250µA 包装: Tube packing 连续漏极电流: 150A 封装/外壳: TO-220-3 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 488pF 工作温度: -55℃~+175℃ 配置: 单路 原产国家: China Vgs(Max): 20V 漏源电压(Vdss): 60V 导通电阻(RDS(on): 3.1mΩ@10V,75A 栅极电荷(Qg): 130.8nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道增强型功率MOSFET TO220-3L
安装类型: 插件 品牌: NCE 漏源电流(Idss): 1uA 击穿电压: 60V 阈值电压: 4V@250µA 包装: Tube packing 连续漏极电流: 150A 封装/外壳: TO-220-3 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 488pF 工作温度: -55℃~+175℃ 配置: 单路 原产国家: China Vgs(Max): 20V 漏源电压(Vdss): 60V 导通电阻(RDS(on): 3.1mΩ@10V,75A 栅极电荷(Qg): 130.8nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
NCE40H12
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: N沟道增强型功率MOSFET
安装类型: 插件 品牌: NCE 漏源电流(Idss): 1uA 功率耗散: 130W 阈值电压: 2.5V 包装: Tube packing 连续漏极电流: 120A 存储温度: -55℃~+175℃ 封装/外壳: TO-220-3 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+175℃ 原产国家: China Vgs(Max): 20V 最小包装: 50pcs 漏源电压(Vdss): 40V 导通电阻(RDS(on): 4mΩ@10V 栅极电荷(Qg): 75nC 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: N沟道增强型功率MOSFET
安装类型: 插件 品牌: NCE 漏源电流(Idss): 1uA 功率耗散: 130W 阈值电压: 2.5V 包装: Tube packing 连续漏极电流: 120A 存储温度: -55℃~+175℃ 封装/外壳: TO-220-3 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+175℃ 原产国家: China Vgs(Max): 20V 最小包装: 50pcs 漏源电压(Vdss): 40V 导通电阻(RDS(on): 4mΩ@10V 栅极电荷(Qg): 75nC 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道 引脚数: 3Pin
NCE9435
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: P沟道 Vdss：30V Id：5.1A Pd：2.5W
安装类型: SMT 漏源电流(Idss): 1uA 击穿电压: 30V 阈值电压: 2.1V@250µA 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 5.1A 长x宽/尺寸: 5.10 x 4.00mm 封装/外壳: SOIC-8 元件生命周期: Active 输入电容(Ci): 980pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 Vgs(Max): 20V 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 43mΩ@10V,5.1A 栅极电荷(Qg): 11nC 晶体管类型: P沟道 类型: 1个P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: P沟道 Vdss：30V Id：5.1A Pd：2.5W
安装类型: SMT 漏源电流(Idss): 1uA 击穿电压: 30V 阈值电压: 2.1V@250µA 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 5.1A 长x宽/尺寸: 5.10 x 4.00mm 封装/外壳: SOIC-8 元件生命周期: Active 输入电容(Ci): 980pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 Vgs(Max): 20V 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 43mΩ@10V,5.1A 栅极电荷(Qg): 11nC 晶体管类型: P沟道 类型: 1个P沟道
NCEP3090GU
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-channel Id=90A VDS=30V DFN8_5X6MM_EP
安装类型: SMT 漏源电流(Idss): 1uA 击穿电压: 30V 阈值电压: 1.5V@250µA 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 90A 封装/外壳: DFN5x6-8L 反向传输电容Crss: 15.5pF 输入电容(Ci): 2.1nF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 34.8nC 配置: 单路 原产国家: China Vgs(Max): 20V 最小包装: 5000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 34.8nC 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-channel Id=90A VDS=30V DFN8_5X6MM_EP
安装类型: SMT 漏源电流(Idss): 1uA 击穿电压: 30V 阈值电压: 1.5V@250µA 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 90A 封装/外壳: DFN5x6-8L 反向传输电容Crss: 15.5pF 输入电容(Ci): 2.1nF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 34.8nC 配置: 单路 原产国家: China Vgs(Max): 20V 最小包装: 5000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 34.8nC 晶体管类型: N沟道
NCE2060K
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: NCE N沟道增强型功率MOSFET
安装类型: SMT 漏源电流(Idss): 1uA 击穿电压: 20V 阈值电压: 1V@250μA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 60A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 6.70 x 6.20mm 封装/外壳: TO-252(DPAK) 元件生命周期: Active 输入电容(Ci): 2nF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 Vgs(Max): ±12V 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 27nC 晶体管类型: N沟道 引脚数: 2Pin 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: NCE N沟道增强型功率MOSFET
安装类型: SMT 漏源电流(Idss): 1uA 击穿电压: 20V 阈值电压: 1V@250μA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 60A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 6.70 x 6.20mm 封装/外壳: TO-252(DPAK) 元件生命周期: Active 输入电容(Ci): 2nF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 Vgs(Max): ±12V 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 27nC 晶体管类型: N沟道 引脚数: 2Pin 类型: 1个N沟道
NCE30H15K
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：150A 功率(Pd)：130W
安装类型: SMT 品牌: NCE 漏源电流(Idss): 1uA 击穿电压: 30V 阈值电压: 2.5V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 150A 封装/外壳: TO-252(DPAK) 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 563pF 工作温度: -55℃~+175℃ 充电电量: 38nC 配置: 单路 原产国家: China Vgs(Max): 20V 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 38nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：150A 功率(Pd)：130W
安装类型: SMT 品牌: NCE 漏源电流(Idss): 1uA 击穿电压: 30V 阈值电压: 2.5V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 150A 封装/外壳: TO-252(DPAK) 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 563pF 工作温度: -55℃~+175℃ 充电电量: 38nC 配置: 单路 原产国家: China Vgs(Max): 20V 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 38nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
NCE82H140
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道增强型功率MOSFET TO220-3L
安装类型: 插件 漏源电流(Idss): 1uA 功率耗散: 220W 阈值电压: 3V 包装: Tube packing 连续漏极电流: 140A 封装/外壳: TO-220-3 反向传输电容Crss: 384pF@40V 输入电容(Ci): 7.9nF 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+175℃ 充电电量: 158nC Vgs(Max): 20V 最小包装: 50pcs 漏源电压(Vdss): 82V 导通电阻(RDS(on): 4.3mΩ@10V,20A 栅极电荷(Qg): 158nC 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道增强型功率MOSFET TO220-3L
安装类型: 插件 漏源电流(Idss): 1uA 功率耗散: 220W 阈值电压: 3V 包装: Tube packing 连续漏极电流: 140A 封装/外壳: TO-220-3 反向传输电容Crss: 384pF@40V 输入电容(Ci): 7.9nF 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+175℃ 充电电量: 158nC Vgs(Max): 20V 最小包装: 50pcs 漏源电压(Vdss): 82V 导通电阻(RDS(on): 4.3mΩ@10V,20A 栅极电荷(Qg): 158nC 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin 类型: 1个N沟道