NCE
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NCE3050
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道增强型功率MOSFET
安装类型: 插件 品牌: NCE 漏源电流(Idss): 1uA 功率耗散: 60W 阈值电压: 3V 包装: Tube packing 原产地: China 连续漏极电流: 50A 封装/外壳: TO-220-3 工作温度: -55℃~+175℃ Vgs(Max): 20V 最小包装: 50pcs 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 11mΩ@10V 栅极电荷(Qg): 23nC 高度: 19.15mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道增强型功率MOSFET
安装类型: 插件 品牌: NCE 漏源电流(Idss): 1uA 功率耗散: 60W 阈值电压: 3V 包装: Tube packing 原产地: China 连续漏极电流: 50A 封装/外壳: TO-220-3 工作温度: -55℃~+175℃ Vgs(Max): 20V 最小包装: 50pcs 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 11mΩ@10V 栅极电荷(Qg): 23nC 高度: 19.15mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道 引脚数: 3Pin
NCE30H12K
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：120W
安装类型: SMT 品牌: NCE 漏源电流(Idss): 1uA 击穿电压: 30V 阈值电压: 3V 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 原产地: China 连续漏极电流: 120A 封装/外壳: TO-252(DPAK) 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+175℃ 配置: 单路 Vgs(Max): 20V 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 79nC 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：120W
安装类型: SMT 品牌: NCE 漏源电流(Idss): 1uA 击穿电压: 30V 阈值电压: 3V 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 原产地: China 连续漏极电流: 120A 封装/外壳: TO-252(DPAK) 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+175℃ 配置: 单路 Vgs(Max): 20V 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 79nC 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
NCE70T360F
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：700V 连续漏极电流(Id)：11.5A 功率(Pd)：32.6W
安装类型: 插件 品牌: NCE 功率耗散: 32.6W 阈值电压: 3.5V 包装: Tube packing 极性: N-沟道 原产地: China 连续漏极电流: 11.5A 长x宽/尺寸: 10.36 x 4.90mm 封装/外壳: TO-220F 输入电容(Ci): 870pF 栅极源极击穿电压: 30V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 Vgs(Max): 30V 漏源电压(Vdss): 700V 导通电阻(RDS(on): 390mΩ 栅极电荷(Qg): 19nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：700V 连续漏极电流(Id)：11.5A 功率(Pd)：32.6W
安装类型: 插件 品牌: NCE 功率耗散: 32.6W 阈值电压: 3.5V 包装: Tube packing 极性: N-沟道 原产地: China 连续漏极电流: 11.5A 长x宽/尺寸: 10.36 x 4.90mm 封装/外壳: TO-220F 输入电容(Ci): 870pF 栅极源极击穿电压: 30V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 Vgs(Max): 30V 漏源电压(Vdss): 700V 导通电阻(RDS(on): 390mΩ 栅极电荷(Qg): 19nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
NCE0157A2
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: N沟道增强型功率MOSFET
安装类型: 插件 功率耗散: 160W 阈值电压: 4V 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 包装: Tube packing 连续漏极电流: 57A 存储温度: -55℃~+175℃ 长x宽/尺寸: 10.25 x 4.60mm 封装/外壳: TO-220-3 元件生命周期: Active 输入电容(Ci): 3.969nF 工作温度: -55℃~+175℃ 充电电量: 146.1nC 配置: 单路 Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 100V 栅极电荷(Qg): 146.1nC 零件状态: Active 高度: 19.15mm 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: N沟道增强型功率MOSFET
安装类型: 插件 功率耗散: 160W 阈值电压: 4V 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 包装: Tube packing 连续漏极电流: 57A 存储温度: -55℃~+175℃ 长x宽/尺寸: 10.25 x 4.60mm 封装/外壳: TO-220-3 元件生命周期: Active 输入电容(Ci): 3.969nF 工作温度: -55℃~+175℃ 充电电量: 146.1nC 配置: 单路 Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 100V 栅极电荷(Qg): 146.1nC 零件状态: Active 高度: 19.15mm 晶体管类型: N沟道
NCE55P04S
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: 2个P沟道 漏源电压(Vdss)：55V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：3W
安装类型: SMT 品牌: NCE 漏源电流(Idss): 1uA 功率耗散: 3W 阈值电压: 3.5V 包装: Tape/reel 原产地: China 连续漏极电流: 4A 封装/外壳: SOIC-8 反向传输电容Crss: 110pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 26nC 配置: 单路 Vgs(Max): 20V 最小包装: 4000pcs 漏源电压(Vdss): 55V 栅极电荷(Qg): 26nC 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: 2个P沟道 漏源电压(Vdss)：55V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：3W
安装类型: SMT 品牌: NCE 漏源电流(Idss): 1uA 功率耗散: 3W 阈值电压: 3.5V 包装: Tape/reel 原产地: China 连续漏极电流: 4A 封装/外壳: SOIC-8 反向传输电容Crss: 110pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 26nC 配置: 单路 Vgs(Max): 20V 最小包装: 4000pcs 漏源电压(Vdss): 55V 栅极电荷(Qg): 26nC 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道 引脚数: 8Pin
NCEP072N10
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: MOS管 N-channel Id=90A VDS=100V TO220
安装类型: 插件 品牌: NCE 阈值电压: 3V 包装: Tube packing 连续漏极电流: 90A 长x宽/尺寸: 10.25 x 4.60mm 存储温度: -55℃~+175℃ 封装/外壳: TO-220-3 栅极源极击穿电压: ±20V 输入电容(Ci): 3.6nF 反向传输电容Crss: 19.5pF 工作温度: -55℃~+175℃ 充电电量: 60nC 配置: 单路 最小包装: 50pcs 漏源电压(Vdss): 100V 导通电阻(RDS(on): 6.8mΩ@10V,45A 栅极电荷(Qg): 60nC 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: MOS管 N-channel Id=90A VDS=100V TO220
安装类型: 插件 品牌: NCE 阈值电压: 3V 包装: Tube packing 连续漏极电流: 90A 长x宽/尺寸: 10.25 x 4.60mm 存储温度: -55℃~+175℃ 封装/外壳: TO-220-3 栅极源极击穿电压: ±20V 输入电容(Ci): 3.6nF 反向传输电容Crss: 19.5pF 工作温度: -55℃~+175℃ 充电电量: 60nC 配置: 单路 最小包装: 50pcs 漏源电压(Vdss): 100V 导通电阻(RDS(on): 6.8mΩ@10V,45A 栅极电荷(Qg): 60nC 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
NCE01H10D
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N-沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：200W
安装类型: SMT 击穿电压: 100V 功率耗散: 200W 阈值电压: 3V 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 100A 存储温度: -55℃~+175℃ 长x宽/尺寸: 10.31 x 8.90mm 封装/外壳: TO-263(D²Pak) 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+175℃ 配置: 单路 Vgs(Max): ±20V 最小包装: 800pcs 漏源电压(Vdss): 100V 栅极电荷(Qg): 85nC 晶体管类型: N沟道 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N-沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：200W
安装类型: SMT 击穿电压: 100V 功率耗散: 200W 阈值电压: 3V 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 100A 存储温度: -55℃~+175℃ 长x宽/尺寸: 10.31 x 8.90mm 封装/外壳: TO-263(D²Pak) 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+175℃ 配置: 单路 Vgs(Max): ±20V 最小包装: 800pcs 漏源电压(Vdss): 100V 栅极电荷(Qg): 85nC 晶体管类型: N沟道 引脚数: 2Pin
NCE2030K
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：40W
安装类型: SMT 品牌: NCE 漏源电流(Idss): 1uA 功率耗散: 40W 阈值电压: 1.2V 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 30A 长x宽/尺寸: 6.70 x 6.20mm 封装/外壳: TO-252(DPAK) 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+175℃ 配置: 单路 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 15nC 高度: 2.40mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：40W
安装类型: SMT 品牌: NCE 漏源电流(Idss): 1uA 功率耗散: 40W 阈值电压: 1.2V 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 30A 长x宽/尺寸: 6.70 x 6.20mm 封装/外壳: TO-252(DPAK) 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+175℃ 配置: 单路 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 15nC 高度: 2.40mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
NCE0110K
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=9.6A RDS(ON)=140mΩ@10V TO252-2L
安装类型: SMT 品牌: NCE 漏源电流(Idss): 9.6A 功率耗散: 30W 阈值电压: 1.8V 包装: Tape/reel 原产地: China 连续漏极电流: 9.6A 存储温度: -55℃~+175℃ 长x宽/尺寸: 6.70 x 6.20mm 封装/外壳: TO-252(DPAK) 输入电容(Ci): 690pF 工作温度: -55℃~+175℃(TJ) 充电电量: 15.5nC 配置: 单路 Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 100V 导通电阻(RDS(on): 140mΩ@10V,6A 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=9.6A RDS(ON)=140mΩ@10V TO252-2L
安装类型: SMT 品牌: NCE 漏源电流(Idss): 9.6A 功率耗散: 30W 阈值电压: 1.8V 包装: Tape/reel 原产地: China 连续漏极电流: 9.6A 存储温度: -55℃~+175℃ 长x宽/尺寸: 6.70 x 6.20mm 封装/外壳: TO-252(DPAK) 输入电容(Ci): 690pF 工作温度: -55℃~+175℃(TJ) 充电电量: 15.5nC 配置: 单路 Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 100V 导通电阻(RDS(on): 140mΩ@10V,6A 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
NCEP040N10D
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：130A 功率(Pd)：210W
安装类型: SMT 漏源电流(Idss): 1uA 击穿电压: 100V 阈值电压: 4V 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 130A 长x宽/尺寸: 10.16 x 8.92mm 封装/外壳: TO-263(D²Pak) 输入电容(Ci): 6.3nF 工作温度: -55℃~+175℃ 配置: 单路 Vgs(Max): 20V 最小包装: 800pcs 漏源电压(Vdss): 100V 栅极电荷(Qg): 110nC 高度: 4.44mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：130A 功率(Pd)：210W
安装类型: SMT 漏源电流(Idss): 1uA 击穿电压: 100V 阈值电压: 4V 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 130A 长x宽/尺寸: 10.16 x 8.92mm 封装/外壳: TO-263(D²Pak) 输入电容(Ci): 6.3nF 工作温度: -55℃~+175℃ 配置: 单路 Vgs(Max): 20V 最小包装: 800pcs 漏源电压(Vdss): 100V 栅极电荷(Qg): 110nC 高度: 4.44mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin