NCE
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NCE3401AY
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±12V ID=4.4A SOT23-3L
安装类型: SMT 漏源电流(Idss): 1uA 阈值电压: 1.3V 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 4.4A 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 输入电容(Ci): 950pF 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 Vgs(Max): 12V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 9.5nC 高度: 1.25mm 晶体管类型: P沟道 类型: 1个P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±12V ID=4.4A SOT23-3L
安装类型: SMT 漏源电流(Idss): 1uA 阈值电压: 1.3V 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 4.4A 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 输入电容(Ci): 950pF 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 Vgs(Max): 12V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 9.5nC 高度: 1.25mm 晶体管类型: P沟道 类型: 1个P沟道
NCE3090K
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: NCE N沟道增强型功率MOSFET
安装类型: SMT 漏源电流(Idss): 1uA 阈值电压: 2.5V 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 90A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO-252(DPAK) 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 67nC 配置: 单路 Vgs(Max): ±20V 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 5.8mΩ@10V,20A 栅极电荷(Qg): 60nC 高度: 2.40mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: NCE N沟道增强型功率MOSFET
安装类型: SMT 漏源电流(Idss): 1uA 阈值电压: 2.5V 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 90A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO-252(DPAK) 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 67nC 配置: 单路 Vgs(Max): ±20V 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 5.8mΩ@10V,20A 栅极电荷(Qg): 60nC 高度: 2.40mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
NCE01H13D
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：200W
安装类型: SMT 击穿电压: 100V 功率耗散: 285W 阈值电压: 3V 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 100A 存储温度: -55℃~+175℃ 封装/外壳: TO-263(D²Pak) 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 695pF 工作温度: -55℃~+175℃ 配置: 单路 Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 100V 导通电阻(RDS(on): 6.8mΩ 栅极电荷(Qg): 105nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：200W
安装类型: SMT 击穿电压: 100V 功率耗散: 285W 阈值电压: 3V 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 100A 存储温度: -55℃~+175℃ 封装/外壳: TO-263(D²Pak) 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 695pF 工作温度: -55℃~+175℃ 配置: 单路 Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 100V 导通电阻(RDS(on): 6.8mΩ 栅极电荷(Qg): 105nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 2Pin
NCE3415
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: P沟道增强型功率MOSFET
安装类型: SMT 品牌: NCE 漏源电流(Idss): 1uA 阈值电压: 900mV 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 4A 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±10V 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 12nC 原产国家: China Vgs(Max): 10V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 12nC 高度: 1.15mm 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: P沟道增强型功率MOSFET
安装类型: SMT 品牌: NCE 漏源电流(Idss): 1uA 阈值电压: 900mV 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 4A 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±10V 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 12nC 原产国家: China Vgs(Max): 10V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 12nC 高度: 1.15mm 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin
NCE0102
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: MOSFETs N-沟道 100V 2A SOT-23
安装类型: SMT 漏源电流(Idss): 1uA 击穿电压: 100V 阈值电压: 2.5V 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 2A 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 13pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 100V 导通电阻(RDS(on): 240mΩ@10V 栅极电荷(Qg): 5.2nC 高度: 1.02mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: MOSFETs N-沟道 100V 2A SOT-23
安装类型: SMT 漏源电流(Idss): 1uA 击穿电压: 100V 阈值电压: 2.5V 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 2A 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 13pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 100V 导通电阻(RDS(on): 240mΩ@10V 栅极电荷(Qg): 5.2nC 高度: 1.02mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
NCEP40T13GU
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：130A 功率(Pd)：80W
安装类型: SMT 品牌: NCE 漏源电流(Idss): 1uA 击穿电压: 40V 阈值电压: 2.2V 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 130A 封装/外壳: DFN-8(5x6) 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 57pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 40nC 配置: 单路 Vgs(Max): 20V 漏源电压(Vdss): 40V 导通电阻(RDS(on): 2.3mΩ@10V 栅极电荷(Qg): 70nC 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：130A 功率(Pd)：80W
安装类型: SMT 品牌: NCE 漏源电流(Idss): 1uA 击穿电压: 40V 阈值电压: 2.2V 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 130A 封装/外壳: DFN-8(5x6) 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 57pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 40nC 配置: 单路 Vgs(Max): 20V 漏源电压(Vdss): 40V 导通电阻(RDS(on): 2.3mΩ@10V 栅极电荷(Qg): 70nC 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
NCE4060K
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：65W
安装类型: SMT 漏源电流(Idss): 1uA 阈值电压: 2.5V 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 60A 长x宽/尺寸: 6.70 x 6.20mm 封装/外壳: TO-252(DPAK) 输入电容(Ci): 1.8nF 工作温度: -55℃~+175℃ 配置: 单路 Vgs(Max): 20V 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 40V 导通电阻(RDS(on): 13mΩ@10V 栅极电荷(Qg): 29nC 晶体管类型: N沟道 引脚数: 2Pin 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：65W
安装类型: SMT 漏源电流(Idss): 1uA 阈值电压: 2.5V 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 60A 长x宽/尺寸: 6.70 x 6.20mm 封装/外壳: TO-252(DPAK) 输入电容(Ci): 1.8nF 工作温度: -55℃~+175℃ 配置: 单路 Vgs(Max): 20V 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 40V 导通电阻(RDS(on): 13mΩ@10V 栅极电荷(Qg): 29nC 晶体管类型: N沟道 引脚数: 2Pin 类型: 1个N沟道
NCE10TD60BD
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT
描述: 600V,10A,沟槽式FS II l快速IGBT
安装类型: SMT 正向电流: 10A 集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO: 600V 关断延迟时间: 20ns Vce饱和压降: 1.7V 包装: Tape/reel 集射极击穿电压Vceo: 600V 集射极饱和电压(VCE(sat)): 600V 正向压降VF: 1.5V 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 10.36 x 9.02mm 封装/外壳: TO-263(D²Pak) 工作温度: -55℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 20A 原产国家: China 开通延迟时间: 73ns 栅极电荷(Qg): 44nC 晶体管类型: FS(场截止) 栅极-射极电压VGE: ±30V 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT
描述: 600V,10A,沟槽式FS II l快速IGBT
安装类型: SMT 正向电流: 10A 集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO: 600V 关断延迟时间: 20ns Vce饱和压降: 1.7V 包装: Tape/reel 集射极击穿电压Vceo: 600V 集射极饱和电压(VCE(sat)): 600V 正向压降VF: 1.5V 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 10.36 x 9.02mm 封装/外壳: TO-263(D²Pak) 工作温度: -55℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 20A 原产国家: China 开通延迟时间: 73ns 栅极电荷(Qg): 44nC 晶体管类型: FS(场截止) 栅极-射极电压VGE: ±30V 引脚数: 3Pin
NCE40P05Y
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: P沟道 Vdss=40V Id=5.3A Pd=2W
安装类型: SMT 品牌: NCE 漏源电流(Idss): 1uA 击穿电压: 40V 阈值电压: 3V 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 5.3A 封装/外壳: SOT23-3 输入电容(Ci): 600pF 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 Vgs(Max): 20V 漏源电压(Vdss): 40V 导通电阻(RDS(on): 85mΩ@10V 栅极电荷(Qg): 14nC 高度: 1.25mm 晶体管类型: P沟道 类型: 1个P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: P沟道 Vdss=40V Id=5.3A Pd=2W
安装类型: SMT 品牌: NCE 漏源电流(Idss): 1uA 击穿电压: 40V 阈值电压: 3V 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 5.3A 封装/外壳: SOT23-3 输入电容(Ci): 600pF 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 Vgs(Max): 20V 漏源电压(Vdss): 40V 导通电阻(RDS(on): 85mΩ@10V 栅极电荷(Qg): 14nC 高度: 1.25mm 晶体管类型: P沟道 类型: 1个P沟道
NCE80H12D
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: MOSFETs N-Channel Vdss：80V Id：120A Pd：220W
安装类型: SMT 品牌: NCE 漏源电流(Idss): 1uA 阈值电压: 4V 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 120A 长x宽/尺寸: 10.31 x 8.90mm 存储温度: -55℃~+175℃ 封装/外壳: TO-263(D²Pak) 工作温度: -55℃~+175℃ 配置: 单路 原产国家: China Vgs(Max): 20V 最小包装: 800pcs 漏源电压(Vdss): 80V 栅极电荷(Qg): 163nC 零件状态: Active 高度: 4.67mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: MOSFETs N-Channel Vdss：80V Id：120A Pd：220W
安装类型: SMT 品牌: NCE 漏源电流(Idss): 1uA 阈值电压: 4V 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 120A 长x宽/尺寸: 10.31 x 8.90mm 存储温度: -55℃~+175℃ 封装/外壳: TO-263(D²Pak) 工作温度: -55℃~+175℃ 配置: 单路 原产国家: China Vgs(Max): 20V 最小包装: 800pcs 漏源电压(Vdss): 80V 栅极电荷(Qg): 163nC 零件状态: Active 高度: 4.67mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin